电容类型

电容类型

CMOS工艺出现过的固定电容主要有：Poly-to-Poly电容，MIM电容，以及MOM电容。

Poly-to-Poly电容

要实现Poly-to-Poly电容，必须有两层Poly的CMOS结构。图1显示了Poly-to-Poly电容的结构示意图。
缺点：两层poly工艺，单位面积电容值小，底层poly和P-sub之间会形成大的寄生电容（已淘汰）。

MIM电容

MIM电容主要利用不同层金属和他们之间的介质形成电容，如图5所示。
优点：相比于Poly-to-Ploy电容，其可以利用Via和特殊工艺分别将奇数层连接（M9, M7, M5）和偶数层 (M8，M6, M4)连接, 如图2所示），这样可以增加单位面积电容。
缺点：在65nm工艺下，即便用上9层金属和Poly去构建MIM，其单位面积电容也只有（1.4fF/微米平方），而寄生电容Cp可以达到总电容的10%，如图3所示。

MOM电容

与MIM电容不同，MOM电容是主要利用同层金属的插指结构来构建电容，如图7所示。
在图4中，同侧不同层金属可以仅用Via连接，来增加单位面积电容，不需要增加新的工艺，与金属连线制作相同。
这样，9层金属都用上，可以增加约9倍电容值；而对于MIM结构来说，9层金属只能增加约一半4倍（奇数层和偶数层”一正一负“）。

优点：
*高单位电容值
*低寄生电容
*对称平面结构
*优良RF特性
*优良匹配特性
*兼容金属线工序，无需增加额外工序

正因为如此，在先进CMOS制程中，MOM电容已经成为最主要的电容结构。
在28nm工艺中，固定电容只有唯一的MOM形式。

关于电阻电容选取比较好的帖子

MOS电容（NMOS）

MOS电容（PMOS）

PIP电容

华侨大学信息学院电子工程系厦门专用集成电路系统重点实验室黄炜炜主讲《IC工艺和版图设计》全套课件