TFT材料a-Si，IGZO以及LTPS的区别

TFT-LCD是薄膜晶体管液晶显示器英文thin film transistor-liquid crystal display的英文缩写。TFT-LCD利用在显示器件上的一种技术，它具有体积小、重量轻、低功率、全彩化等优点。它利用在Si上进行微电子精细加工的技术，移植到在大面积玻璃上进行tft阵列的加工，再将该阵列基板与另一片带彩色滤色膜的基板，利用已成熟的lcd技术，形成一个液晶盒相结合，再经过后工序如偏光片贴覆等过程，最后形成液晶显示器。
TFT薄膜晶体管是LCD屏上每个像素点点亮与关闭的开关。这些薄膜晶体管就是做在玻璃基底上镀的一层薄薄的a-Si或者是LTPS薄膜上的。再在两片这样的玻璃之间灌上液晶，当红绿蓝三种色彩所对应像素的晶体管按照显示图像的信息打开时，背光源的光就透过这些像素使图像显示出来，组成一幅彩色画面。不断变化这些晶体管导通与关断就能形成动态画面。

早期的TFT-LCD都是用a-Si作为基底材料，a-Si为非晶硅技术，是目前应用最广的一种，技术简单、成本低廉，但开关所占的像素本身的面积很大导致亮度无法做得很高（也就是开口率低），另外PPI(Pixels Per Inch)也只能做到较低的一个水平。当然消费者对显示产品的要求逐步提高，手机、平板等移动终端向着更高清、色彩度更饱和、更轻薄化发展。a-Si这种技术显然已经不能达到最新显示效果的要求，这时便孕育而生了IGZO与LTPS这两种技术。

IGZO (indium gallium zinc oxide)为铟镓锌氧化物的缩写，非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料,是金属氧化物(Oxide)面板技术的一种。它具有迁移率高、均一性好、透明、制作工艺简单等优点。相对于a-Si，IGZO在光照下的稳定性较好，并且IGZO具有很强的弯曲性能，可用于柔性显示。但是IGZO也有一些缺点例如使用寿命相对较短，对水、氧等相当敏感，当使用时间过长时操作的可靠度与稳定性都会有一定程度的下降。所以IGZO需要一层保护层，从而对量产产生一定的阻碍。

由于以上两种技术存在各自的问题，目前高端机型会更多的采用LTPS（Low Temperature Poly-silicon）低温多晶硅技术，它是非晶硅经过镭射光均匀照射后非晶硅吸收内部原子发生能级跃迁形变成为多晶结构而形成的。相较其他两种技术，LTPS拥有更高的电子迁移率，所以这个技术下的显示器件分辨率更高、反映速度更快、亮度更高。这个技术的最大的优势体现在与OLED的完美搭配。多晶硅的分子结构在一颗晶粒（Grain）中的排列状态是整齐而有方向性的，因此电子移动率比排列杂乱的非晶硅快了200-300倍，而OLED是电流驱动，对基板的导电性要求较高，只有LTPS才能完成匹配。