模电(一)半导体基础

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以下内容来自本人学习《模拟电子电路基础》第五版中总结，受多种因素影响，难免有所疏漏，如有发现纰漏或更好的建议烦请在评论或私信告知，谢谢！
文中的Question 欢迎大家在评论中留言分享。共同学习，共同进步！

基础概念

1. 半导体(semiconductor)：导电性介于导体与半导体之间。(Si,Ge…)
2. 本征半导体(Intrinsic semiconductor)：纯净的(无杂质)晶体结构(稳定的结构)的半导体。(单晶硅…)
3. 导体(conductor)：(Fe,Al,Cu…）
4. 绝缘体(insulator)：惰性气体，高分子物质等…
5. 载流子(carrier)：运载电荷的粒子。(空穴(hole),自由电子(free electron))

本征半导体

1.本征半导体中有两种载流子(空穴与自由电子[成对出现])均导电，而导体导电只有一种载流子(自由电子)导电。
2.由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚形成自由电子，自由电子的产生使共价键中留一个位置，称为空穴。
3.复合运动：自由电子与空穴相碰同时消失。
4.一定温度下，自由电子与空穴的浓度相等，随温度升高，浓度上升。
5.外加电场，自由电子与空穴均参与导电(运动方向相反)，数量少，导电性差。
6.热力学温度0K时不导电。

Question 1:为什么将半导体变成导电性很差的本征半导体？

杂质半导体

Def：扩散工艺，本征半导体掺杂

N(negative)型半导体

1.纯净Si中掺五价元素(P…)使其取代晶格中Si的位置
2.多子为自由电子，少子为空穴
3.杂质原子(P.)提供电子，称为施主原子

P(postive)型半导体

1.纯净Si中掺三价元素(B)使其取代晶格中Si的位置
2.多子为空穴，少子为自由电子
3.杂质原子(B)吸收电子，称为受主原子

杂质半导体主要靠多数载流子导电，掺杂多，导电强【导电可控】
多子浓度约等于所掺杂原子浓度，受温度影响小，少子本征激发，浓度低，受温度影响大，影响半导体性能

Question 2:杂质半导体，温度变化，载流子数目改变吗？多子少子有何变化？

PN结

【形成】

1.浓度差引起的扩散运动与电位差引起的漂移运动达到动态平衡
2.对称结:P区N区杂质浓度相等正负离子区宽度相等
3.不对称结:P区N区杂质浓度不等正负离子区宽度不等【浓度高的窄】

【单向导电性】

PN结加正向电压导通，外电场消弱内电场，致使空间电荷区(耗尽层)变窄，扩散运动加强，漂移运动减弱，外电场作用形成扩散电流，PN结导通

PN结加反向电压截止，内电场消弱外电场，致使空间电荷区(耗尽层)变宽，漂移运动加强，扩散运动减弱，但少子数量很少，即使所有少子都参与，电流也使很小，可认为截止状态

Question 3:观察发现，PN结外加电压时电源串联一电阻，有必要？

【电流方程】

常温300K，UT=26mV

【VA特性】

正向特性u>0，反向特性u<0，反向电流可忽略不计，注意二极管！
反向电压超过U(BR)，反向电流增大，反向击穿【不控制，造成PN结永久性损坏】
齐纳击穿:高掺杂，耗尽层窄，击穿电压低
雪崩击穿:低掺杂，耗尽层宽，击穿电压高

【电容效应】

势垒电容B

外加反向电压下，耗尽层宽度变化，有电荷的积累和释放过程，其等效电容为势垒电容。

扩散电容D
外加正向电压下，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放过程，其等效电容为扩散电容。【留意非平衡少子】

结电容=势垒电容+扩散电容（Cj=Cb+Cd）

Question 4: PN结是否一直具有单向导电性？为什么？