模电筱筱学

一、第一章-常用半导体器件

1.1基础知识

半导体的概念：导电能力介于导体和绝缘体之间。

本征半导体：纯净的，具有晶体结构的半导体

由于四价原子周围本身只有四个电子，可以和四个原子形成这种结构状态， 

三.载流子

半导体，终归是有一点导电能力的，但是上图中的价电子是不导电的，自由电子才是导电的。

那么，在上图的结构下，怎么导电呢？本征半导体中的载流子是什么，即承载电流的东西是什么？

1.本征激发

由于热运动的存在，上图结构中的价电子有可能会逃离共价键的束缚，逃离出来变为了自由电子，而该电子原来的地方就会形成一个空穴。

2.自由电子
自由电子是带负电的，它是可以导电了。留下的空穴相当于带正电。但想导电的话，自由电子还是太少了

3.空穴

空穴能不能导电呢？我们施加一个电场作用在上图中，那么，空学附近的电子就会在电场力作用下，跳到空穴中，填补了空穴，但又形成了新的空穴；如此反复，你跳到我这，他跳到你这，共价键的价电子依次填补空穴，形成了空穴的相对移动， 所以空穴也是载流子，也能导电。

4.复合运动

就是指那些脱离共价键的束缚的价电子的自由电子，在热运动下，乱撞，不小心刚好撞到空穴里面去，又被共价键束缚了。

四、载流子的浓度

能不能导电肯定不在于它载流子的数目的多少，关键是浓度。温度越高，浓度越高。

1.1.2杂质半导体

一、概念：在本征半导体中掺入  少量   的杂质元素

二、N型半导体：掺入磷( P )元素。     磷原子最外层有5个电子，在大量在硅原子环境中，磷原子的4个电子分别与1个硅原子的电子形成共价键，而剩余一个自由电子！

 多子：在N型半导体中，自由电子数目可以是本征半导体的上百万倍，这里的自由电子也称多子。

少子：在N型半导体中，少子就是空穴。

在N型半导体中，温度对多子的数目影响不大，因为多子的来源主要是由于元素掺入而导致的，温度升高而加剧本征激发所产生的电子数目对其来说，微乎其微。

但少子受温度影响较大，对温度敏感。

而由于多子（自由电子）带负电，负：negative，故叫N型半导体

综上，当一种半导体的性能主要是由于少子影响时，那么它对温度敏感。而性能主要是由于多子影响时，那么它对温度不敏感。

三、P型半导体（Positive正）

掺入硼元素（B）

多子：空穴

少子：自由电子

1.1.3   PN结

一、PN结的形成

 补充说明：N区是N型半导体，掺入P（磷元素），它的多子是自由电子，少子是空穴（图中未画出少量空穴）；
P区是P型半导体，掺入硼，它的多子是空穴，少子是自由电子（图中未画出少量自由电子）

扩散运动：浓度高的沿着浓度梯度方向往浓度低的地方扩散。N区中的多数自由电子往P区赶过去；P区中的多数空穴往N区赶过去。

空间 电荷区：随着扩散运动的进行，PN之间形成了一个电场，形成了一个耗尽层，（阻挡层）。这个空间电荷区也叫做PN结

漂移运动：

对称结：左右的电荷区宽度一样，因为掺杂浓度一样。

不对称结：掺杂浓度不一样时，使得左右宽度不一样。

二、PN结的单向导电性

外加正向电压：处于导通

外加反向电压：处于截止（耗尽层变宽，加强了内电场，阻止扩散运动的进行，而加剧漂移运动的进行，形成反向电流，也称漂移电流。因为少子的数目极少，即使所有的少子都参与漂移运动，反向电流也非常小，分析时近似认为它截止）

三、PN结的电流方程

PN结所加端电压u与流过它的电流i的关系为：

四、PN结的伏安特性

.1.正向特性：一个死区加上一个指数的曲线

.2.反向特性：一条平行x轴的直线----饱和电流

雪崩击穿：掺杂浓度低，耗尽层宽度宽，反向电压足够大时，相当于变成一个粒子加速器，电场使得少子的漂移速度加快，当少子加速后，与共价键的价电子碰撞后，把价电子撞出共价键，产生电子-空穴对。新产生的电子与空穴被电场又加速，加速后又撞出其他价电子，载流子雪崩式地倍增，致使电流急剧增加。

齐纳击穿：掺杂浓度很高，所以耗尽层宽度很短，即非常狭窄。当你给它加一点电压时，里面的场强可能变得非常大，耗尽层的价电子可能都不用你动它，它直接啪的一声就出来了。

当发生反向击穿时，绝大多数PN结都损坏了，但不是以为击穿才损坏。
是因为反向击穿引起了PN结的温度升高，（电流*PN结的电压就是电功率，电功率发热去了，功率过大时，发热，消耗不了，就烧坏了）

1.2半导体二极管

1.2.1常见结构

1.2.2伏安特性

一、伏安特性

        。1.由于体电阻的存在，在相同电压下，二级管的电流比PN结的小。
        。2.由于二极管表面漏电流的存在，使得外加反向电压的反向电流大一些。

二、温度的影响

        。1.温度升高，正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。
理解：温度升高，本征激发更剧烈，粒子热运动更剧烈，在相同电压下，会有更多的载流子移动。

        。2.在室温附近，若正向电流不变，温度每升高1度，正向压降 减小2-2.5mv；温度每升高10°C，反向电流Is约增大1倍。

1.2.3二极管的主要参数

一、最大整流电流IF（平均值）
        二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。

二、最高反向工作电压UR（瞬时值）
        二极管工作时允许外加的最大反向电压，超过此值时，可能会反向击穿导致损坏，通常为击穿电压的一半。

三、反向电流IR
        是二极管未击穿时的反向电流。其值越小，二极管的单向导电性越好。其对温度很敏感。

四、最高工作频率fM
       是二极管工作的上限截止频率。超过此值时，由于结电容的作用，二极管将不能很好地体现单向导电性。

1.2.4二极管的等效电路

引出：二极管的伏安特性具有非线性，即不像我们平常说的那种电阻，U-i图是一条过原点的直线那种。 而非线性不便于分析，为了快速近似分析，常在一定条件下， 用线性元件所构成的电路来模拟二极管的特性，并用之取代电路中的二极管。

一般有两种办法来等效。
a：根据器件的物理原理来建立等效电路。是把二极管的每一部分的原理一步一步用线性元件等效出来。适用范围广，但模型较复杂，适于计算机辅助分析。

b：根据器件的外特性来构造等效电路，因而模型较简单，适于近似分析。

二、伏安特性折线化得到的等效电路

1.2.5稳压二极管

一、特点

二、伏安特性曲线
        它仍是个二极管。

三、主要参数
        看课本。

 稳定二极管的稳压区是其工作在 反向击穿区，图中UZ部位，电流在IZ---IZM之间，，
电流小于IZ的话，它电流变化，电压也跟着变化，不是我门想要的稳压状态。

1.3晶体三极管（双极型晶体管BJT）

1.3.1结构及类型

一、构成方式

NPN或者PNP的三明治结构，相邻的两个区形成PN结。

发射区是发射载流子的区域。
集电区是收集载流子的区域。

发射区要发射载流子，因此发射区的掺杂浓度是最高的。
集电区的面积要很大。
基区很薄且掺杂浓度很低。

二、结构：三个区域、三个电极、两个PN结

图c中，箭头都在发射结，且由P指向N（发射结导通的方向：PN结内电场不是N指向P麻，正向导通是外电场与内电场方向相反，则是由P指向N）

1.3.2晶体管的电流放大作用

一、放大

晶体管控制能量的转换，将输入的任何微笑变化不失真地放大输出。具有电流放大作用，电流控制电流。

二、基本共射放大电路

发射结正向偏置（正向导通）

三、内部载流子的运动

1.发射结正偏（发射结的PN结外接正向电压）

{ PN结正向导通时，外电场与内电场方向相反 。外电场会将多子推向空间电荷区，使其变窄，削弱内电场，其实就是使得P区的多子往浓度低的方向赶，N区的多子也往浓度低的方向赶===加剧扩散运动，减弱漂移运动}

发射区（N区：负，多子为自由电子）的自由电子  往 基区（P区）扩散。
同时，基区的空穴 往 发射区 扩散。
但是，由于发射区掺杂浓度很高（多子：自由电子 数目很大），基区的掺杂浓度很低（多子：空穴 数目较少），发射区的自由电子扩散到基区后，与基区的少数多子发生复合运动后，便继续向集电区扩散了，因为扩散过来的自由电子太多了，基区没有足够的空穴来复合，。
基区： 空穴扩散到发射区， 与发射区扩散来的电子复合，同时产生新的空穴（就是把自由电子流到IB那）

2.基区：扩散，复合，产生

3.集电结反偏（集电区收集自由电子）

发射区的大量自由电子扩散到基区后，由于集电结反偏，这些电子会被迅速拉到集电区，保证浓度梯度的正常，让自由电子从发射区到基区再到集电区的扩散速度能维持下去。

四、放大系数

1.3.3BJT的共射特性曲线（共射：两个回路共用发射极）

输入回路：从基极到发射极
输出回路：从集电极到发射极

为什么叫它们是输入，输出呢，为什么不是倒过来呢？===理解究竟把什么输入进去，什么输出 了

iC是对iB的放大，对于放大电路来说，是用小信号去控制大能量。作为控制的那个小信号就是输入信号。
而用三极管做放大电路，我们就是用小信号去控制iB，再用iB控制iC。小信号的变化控制iB的变化，iB的变化去控制IC的变化。最后把iC作为能量（功率）的输出。
所以对于共射放大电路，iB这块是输入回路，iC那块是输出

一、输入特性曲线

跟二极管的伏安特性曲线没差太多，当C、E两端的电压为定值时，iB就只跟B、E两端的电压有关，

U CE=0时，相当于两端短路。此时的输入特性曲线跟二极管的没差。

在相同的U BE下，当U CE增加时，iB的电子来源就会被电场抢走很多到iC那里去，从而iB会减小，但是，当U CE增大到一定程度，已经把绝大部分都抢走了，就不会由太大变化了。

 二、输出特性曲线

在iB为常数的条件下，研究iC与U CE的关系。

有三个区，截止区，放大区，饱和区

截止区：发射结和集电结都反偏。c、e断路。  由于发射结反偏，iB都没有，即为0，而iC是用iB控制的，此时iC只剩下那个穿透电流I CEO。

放大区：发射结正偏，集电结反偏。iB与IC成比例。

饱和区：发射结和集电结都正偏。 相当于上图大矩形那块是导通的麻，正向导通。一开始，iB在增加时，iC也跟着增加。假设，假设哈，假设发射结受得了，iB能无限增加，但是iC能跟着无限增加吗？不行@ 看上面电路图就知道，在导通时，且忽略导通压降，iC最大最大也就是

（VCC-UCE）/RC。

1.3.4晶体管的主要参数

一、交流参数

二、直流参数

*三、极限参数

1.3.5温度对晶体管特性及参数的影响

一、输入特性

跟之前的温度对二极管的伏安特性曲线的影响是一样的。

二、输出特性

1.3.6光电三极管

1.4场效应管

1.4.1结型场效应管

1.4.2绝缘栅型场效应管（MOSFET)

一、N沟道增强型MOS管

 P区低浓度，N区高浓度。（N区多自由电子，P区多子虽为空穴，但量肯定不如N区自由电子）

 1.结构： g栅极、s源极、d漏极(载流子的漏出处)

之所以叫绝缘栅，是因为上图中可看到，栅极g跟谁都绝缘，下面一层绝缘的二氧化硅，左右不相连。

2.工作原理

第二章 基本放大电路

2-1放大电路的构成

2.1.1放大的概念

一、特征：功率的放大

二、本质：能量的控制和转换

三、必要条件：有源元件（能够控制能量的元件）

四、前提：不失真

五、测试信号：正弦波（因为任何稳态信号都可分解为若干频率正弦信号（谐波）的叠加

2.1.2怎样构建基本放大电路

一、目标：小功率信号——》大功率

二、条件：1.有源元件    2.电源

三、技术路线
        1.三极管———》放大状态
        2.小信号———》iB(uBE)
        3.合理的输出

四、直接耦合

阻容耦合：

两个电容的作用：通过交流，阻断直流

三、工作原理 

静态工作点：

直流+小交流：

 2-2性能指标

一、示意图

Ri是放大电路的等效电阻，对于一个电压信号源Us，要尽可能索取到原电压信号源的话，Ri是越大越好，另外，Us这画得是理想电压源，但是实际不是，它是会有功率输出的，而要它输出功率小，那就要电流小，要电流小，依然是Ri越大越好。

二、放大倍数

三、输入电阻Ri（从放大电路的输入端看进去的等效电阻）

四、输出电阻（从放大电路输出端看进去的等效内阻）

五、通频带

六、非线性失真系数

七、最大不失真输出电压

八、最大输出功率与效率

2-3放大电路的分析方法

2.3.1直流通路与交流通路

在之前的学习中知道，在多数情况下，直接接上交流信号源是没办法使三极管工作在放大状态。需要加上一个直流电源。 
而动态变化，是在静态工作点Q上变化的。
从微变等效电路图也知道

 对于不同点的Q，其切线不一样，致使相同电压变化量下，电流的变化量不同。

故放大电路的分析要分 直流通路和交流通路

2.3.2图解法

看书，画图，理解含义

2.3.3等效电路法

为什么不能用线性方法来分析这个放大电路呢，因为有个非线性元件--三极管。
关键：怎么才能把三极管线性化

iB和iC之间是线性的，iC=β*iB，，，但是，iB和uBE之间不是线性的。

但是，从图像上看，只看变化量的话，▲iB和▲uBE可以看作是线性的！ 
（只考虑交流作用下，不考虑直流）

如果能算出这么个东西，就能把三极管线性化了。这个电阻的电阻值就是上面图中的切线的斜率的倒数。

用r be来取代输入端口：b-e     （输入端口就是描述uBE和iB之间的关系）

一旦静态点确定下来，在这个静态点附近的▲iB和▲uBE，发射结就等效：

对于输出端来说，输出电流：β*▲iB=▲iC，可以用受控的电流源来替代输出端口

低频交流小信号就可用这种等效模型

这种用r be的方法，相当于把原点上移了，不考虑直流电源了，只关心交流。（但并不是说交流单独作用，它是交流信号骑在直流信号上，再近似地把原点移过去来看）、

它分析思路：首先通过直流找到静态的Q点，Q点位置不同那是截然不同的（斜率不同）；找到Q点后，求出该点切线的斜率，从而得到 r be， 

一、直流通路

1.通过直流，找到Q点

2.由Q点，推 r be（Q点切线斜率的倒数）

静态工作点决定了 r be的大小。 r bb是基区的体电阻。

二、交流通路

1.画出交流通路

2.把交流通路中的三极管等效成线性电路

等效模型的思路分析（不是严谨的数学推理）

得时刻明白上面这些符号得物理意义。

 
上图中，虚线所在的位置的电流大小就是IB(纯直流),曲线所在点的电流是iB，曲线各点与虚线的差值（距离）就是ib（纯交流）

 研究的时候，先静态，再动态。 静态就是虚线所在的IB，确定交流的ib在哪里上下动，再把交流的ib放上去。最后分析交流的响应。

 在三极管上，虽然uBE和iB没有线性关系，但是，在它确定的静态Q点上，▲iB和▲uBE有线性关系，而▲iC=β*▲iB，根据这个特点，我们就有了一个线性元件等效模型

rbe是Q点所在切线的斜率的倒数，这么说的话，就是静态点会影响动态的等效电路的电阻，所以Q点会影响动态的电阻，故必须先分析出静态点Q在哪。{Q点不同，切线斜率不同，rbe就不同，那么相同的▲uBE，就会有不同▲iB；有不同的▲iB，就会有不用的▲iC；有不同的▲iC，就有不同的Uo}==={所以，给你相同的管子，相同的正弦信号源，只要你静态工作点Q不同，就有不同的放大倍数，输出就不同}

 在图上反映就是，我们关注的是交流的uBE和交流的ib之间的关系

严谨的数学模型（h参数等效模型）

这是个双口网络，就可做混合参数模型。

分析各物理量的关系

为什么与那些量有函数关系自己想清楚，前面章节都有的。

而我想研究的是，它们各个变化量{▲iB，▲iC，▲uBE，▲uCE}之间的关系。

要研究▲uBE和▲iB的关系 ，可以通过对上面方程求全微分！

 

 ▲uBE等于两项，用串联方式相加两个电压

▲iC也是两项，但它是电流，用并联

一个受控电压源，一个受控电流源。

当低频小信号作用在三极管上时，三极管就可等效成上图的电路。（h参数等效模型）

 

 在uCE > 1v时，h12非常小，量级是0.01，所以可忽略。
 h22是晶体管的共射h参数等效模型中右边的图，曲线的上翘程度，也非常小，可忽略。

于是，能简化成下图：

由模型知道， 在分析完静态点Q后，就应该计算出rbe电阻大小。

rbb‘可由手册查获，它是基极的体电阻，re’是发射极的体电阻，但由于发射极掺杂浓度高，re‘很小，rb’e‘是PN结的电阻，二极管那章有讲。 

输入电阻的求解：输入电压/输入电流

注意上面的Ie = Ib + β*Ib =（1+β）* Ib

IEQ =  （1+β）* IBQ，，，所以上面公式可化简成：

但是用IEQ更贴近模型，更 容易理解物理意义 

2-4放大电路Q点的稳定

2.4.1必要性

一、对Q点的影响

1.温度（主要）

2.电源的波动（可以采用好的电源，波动小）

3.元器件的老化（让元器件出厂前就老化一些）

二、温度Q点的思路

我们知道，温度上升，IC上升，有没有什么办法，在温度上升时，出现另一股力量，拉回IC。

什么使IC变化？===IB，什么使IB变化====uBE。

温度上升时，IC在增大， 如果IC在增大的同时，我能让uBE下降，使得IB下降，从而使IC下降。

2.4.2 Q 点稳定的电路

一、构成

二、分析

2.6基本放大电路的派生电路

2.6.1复合管放大电路

一、复合管的组成

电流一定要有合理的通路，所等效的管子与前面的主管是相同类型。

h参数等效模型要会运用，（注意：不是用在等效后的单管子上，而是等效前的复合管上，bce端口均两个，有的重合在相同位置）

2.6.2共射-共基放大电路

它集成了两种电路的优点。共射把电流电压放大（共基没放大电流） ，利用共基的通频带宽，把通频带进一步拓宽。

射极输出的好处是其前端的输入电阻大，可以跟电压型的信号源获得更大的Ui，同时，也让Us尽可能减小它的输出功率，