用Cadence Virtuoso IC617设计带隙基准源

最新推荐文章于 2025-03-10 21:28:50 发布

菜鸡渣渣一个

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分类专栏： Cadence Virtuoso IC有关文章标签：模拟芯片硬件

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前言

本文为我自己的学习笔记，属于Cadence Virtuoso系列的进阶部分，采用的软件版本是Cadence Virtuoso IC617。其他文章请点击上方，看我制作的Cadence Virtuoso专栏内容。

本文研究的是使用带隙基准产生一个与温度无关的电压基准，用于后面研究的电路。

带隙基准

在实际电路的应用中，一个与温度无关的基准是必不可少的，怎样产生一个与温度无关的量？

理论原理

在常见的电子元件中，单一的元件要么是正温度系数，要么是负温度系数，所以，单独使用一种电子元件是无法产生恒定输出的，我们需要做一些改变。

如果一个正温度系数的值与一个负温度系数的值相加，同时给它们一个特定的权重，那么我们就得到了一个零温度系数的值。
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电路原理

早在上个世纪60年代，有研究者就发现，双极型晶体管的温度系数较好，呈现负温度系数。同时，若给两个双极性晶体管施加不同的电流，它们的电压差值就与绝对温度成正比，呈现正温度系数。利用这两者，就可以产生零温度系数的输出。
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两者之间的运算，可以由一个运算放大器实现，这样性能较好，同时，用电流镜来实现电流的复制。
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衡量电路的温度性能的参数为温漂，单位为ppm/℃，数量级为10e-6，由以下公式获得。其中，ppm小于20代表电路可用，ppm小于10代表电路性能较好。
${V_{max}-V_{min} \over V_{avg}(T_{max}-T_{min})}×10^6 \enspace ppm/℃$

设计过程

选用SMIC 0.18um工艺。一开始，先要选定PNP三极管的数量。为了版图设计方便，我们一般设计Q1：Q2：Q3的数值为1：7：1，也就是调整晶体管对应的Multiplier数值。这样我们就可以得到一个3*3的PNP三极管阵列版图，其中，Q1将被放置于最中间。

其次，结合功耗需求，确定每条支路的电流。这里我选择每条支路的电流都是10uA。

运放设计

同时，对于运放的选择也有讲究。高增益能提高基准源的精度和电源电压抑制性能，高带宽能提高基准源工作频率的范围，高速的运放可以快速处理串扰使得输出稳定。

但是我们知道，运放的设计其实是一个折中的过程，提高性能所付出的代价就是芯片面积的增加和功耗的增加，我们不希望出现，设计出一个性能较好的基准源但是功耗高达几毫瓦。

在上面提到的几项运放指标中，对于带隙基准源来说，最重要的是运放的增益，我们只需要增加一些输入晶体管的面积（主要是增加栅长L），而不需要增加太多功耗，就能得到一个高增益的运放，这样还是比较划算的。

使用了一个折叠共源共栅运放，其中输入管的gm/id=18，其它晶体管的gm/id=6。电流镜的栅长L=4um。设计的Av约为58dB，在4.8pF的负载下，GBW=3MHz。其他的就不再赘述设计过程了。
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确定P-MOS尺寸

原理图中有三个P-MOS，它们所在支路的电流被设计成一样的10uA，所以它们的尺寸可以设计成相等的。通过gm/id设计方法，同时减小噪声干扰，取gm/id=6，抑制沟道长度调制效应，取L=2um，由对应的id/W数值直接得出W。取值结果如下。

	P-MOS
W	5.57u
L	2u
Multiplier	1

确定R1

R1主要决定支路的电流，我们的目标是设计支路电流为10uA。选择参数扫描，扫描R1的范围为1K到100K，取10个点。
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得到输出电流和R1电阻的关系，这里我们确定R1的范围在4.6K附近。
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修改扫描范围为3K到6K，逐次逼近。
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范围大概是5K附近。不停重复以上步骤，最终得到，当支路电流为10uA时，R1=5.056K。
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确定R2

电阻R2主要确定电路的温度系数，因为这个时候输出电压是肯定不随电源电压变化了的，就不再扫描了，感兴趣的可以自己验证一下。

将扫描设置成DC扫描，扫描值为温度。
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和上面一样，扫描参数为R2。
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得到R2的大概范围。
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缩小扫描范围，逐次逼近。
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得到R2大约为38.5K。最终得到R1=38.7K。
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仿真结果

将前面得到的数值写入电路参数里，仿真电路。仿真电源特性，在2V到4.5V范围内，可以看出最大值和最小值偏差率约0.67%。这个电路有一个缺点，就是在曲线后半段，VDD较大时，输出曲线反而有下降的趋势。
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仿真温度特性。其中平均电压Vavg约是1.1595V，得到温漂为2.6ppm，性能较好。注意，画版图的后仿真后，此值会变差，所以版图的匹配也很重要。
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下面说说怎样查看电源抑制比。首先，在控制VDD的直流电压源处，添加一个1V的AC信号。
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添加AC扫描后，点击仿真，在结果出来后，选择结果输出。
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按照如下选择。之后用鼠标点击基准电压输出的连接线。
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得到电源抑制比接近60dB，其性能大致为所设计的运放的增益。当然，这个指标并不够好，一般在100dB及以上才算优秀。
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启动电路

和上一篇文章中提到的电流基准源一样，在VDD上电时会存在一个简并点。所以需要引入一个启动电路。
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这部分后面再补充吧，如果是用于仿真验证书中的原理，就不太需要这部分，如果是要流片，就得加入这部分。