SRAM--ECC校验算法的实现

1.什么是汉明码?

是一种利用奇偶性检测和纠正错误的编码方法。在传输和储存数据时,可能会发生传输错误或数据损坏。海明码通过在数据中添加冗余位来检测错误并进行纠正,提高了传输和存储数据的可靠性,它具有一位纠错能力

2.汉明码中冗余位的计算方式?

设欲检测的二进制代码为n,k为检测位,总共n+k位代码当中检测位满足的关系:

2k-1>=n+k

3.汉明码的编码规则?

以上是7-4汉明码的简介,但是使用7-4汉明码只能实现SEC这个功能,没法实现SEC-DED这个功能。因此我们必须进一步了解8-4汉明码。

最后,使用verilog实现几种规格的SRAM的ECC解决方案,综合后可以使用,后附有参数。

8bit sec

4bit sec-ded

8bit sec-ded

16bit sec-ded

32bit sec-ded

64bit sec-ded

128bit sec-ded

再结合上SRAM的接口特性,给出arch图。

理想中的激励和响应的关系如图:

最终呈现出的效果:

最终DC的结果如下:

• 重点内容 – 64KB 专用 RAM – 275-MHz, 500-MHz, 600-MHz, or 720-MHz – 仿真/调试 ARM® Cortex™-A8 32-位RISC 微控制器• JTAG • NEON™ SIMD 协处理器• 嵌入式跟踪模块 • 具有单错检测(奇偶校验)的32KB/32KB • 嵌入式跟踪缓冲器 L1 指令/数据高速缓存– 中断控制器(高达128 个中断请求) • 具有错误纠正码(ECC) 的256KB L2 高速缓• 片载存储器(共享L3 RAM) 存– 64 KB 通用片载存储器控制器(OCMC) RAM – 支持移动双倍速率同步动态随机存储器– 所有主机均可访问 (mDDR)(低功耗DDR (LPDDR))/DDR2/DDR3 – 支持快速唤醒保持 – 支持通用存储器(NAND,NOR,SRAM,等)支• 外部存储器接口(EMIF) 持高达16 位ECC – mDDR/DDR2/DDR3 控制器: – SGX530 3D 图形引擎 • mDDR: 200-MHz 时钟频率(400-MHz 数据速– LCD 控制器 率) – 可编程实时单元和工业用通信子系统(PRU- • DDR2: 266-MHz 时钟(532-MHz 数据速ICSS) 率) – 实时时钟(RTC) • DDR3: 303-MHz 时钟(606-MHz 数据速 – 最多2 个具有集成物理层的USB 2.0 高速OTG 率) 端口• 16-位数据总线 – 支持最多2 个端口的10/100/1000 以太网交换机• 1GB 全部可寻址空间 – 串口包括: • 支持1 x 16 或者2 x 8 存储器器件配置 • 2 个控制器局域网端口(CAN) • 支持快速唤醒保持 • 6 个UART,2 个McASPI,2 个McSPI,和3 个 I2C 端口 – 通用存储器控制器 (GPMC) • 具有多达7 芯片(NAND,NOR,复– 12 位逐次逼近寄存器(SAR) ADC 用NOR,SRAM等) 选择的灵活8/16-位异步 – 3 个32 位增强型捕捉模块(eCAP) 存储器接口 – 3 个增强型高分辨率PWM模块(eHRPWM) • 使用BCH 编码以支持4-位,8-位,或者16- – 加密硬件加速器(AES,SHA,PKA,RNG) 位ECC • 使用海明码(Hamming)以支持1-ECC • MPU 子系统– 错位定位器模块(ELM) – 275-MHz,500-MHz,600-MHz,或者720-MHz • 与GPMC 联合使用,使用BCH 算法以定位 ARM® Cortex™-A8 32-位RISC 微处理器由校验多项式生成的数据错误的地址 – NEON™ SIMD 协处理器• 基于BCH 算法,每512 字节块错误定位支持 – 具有单错检测(奇偶校验)的32KB L1 指令高4-位,8-位,和16-位 速缓存• 可编程实时单元和工业用通信子系统(PRU-ICSS) – 具有单错检测(奇偶校验)的32KB 数据高速缓– 支持的协议包括 存EtherCAT®,PROFIBUS,PROFINET,Ether – 含纠错码(ECC)的256KB L2 高速缓存Net/IP™,和其它更多协议 – 176KB 片载启动ROM – PRU-ICSS 内的外设 1 Please be aware that an important notice concerning availabi
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