「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系

 

PN结：从PN结说起

 

PN结是半导体的基础，掺杂是半导体的灵魂，先明确几点：

 

1、P型和N型半导体：本征半导体掺杂三价元素，根据高中学的化学键稳定性原理，会有“空穴”容易导电，因此，这里空穴是“多子”即多数载流子，掺杂类型为P(positive)型;同理，掺杂五价元素，电子为“多子”，掺杂类型为N(negative)型。

 

2、载流子：导电介质，分为多子和少子，概念很重要，后边会引用

 

3、空穴”带正电，电子带负电，但掺杂后的半导体本身为电中性

 

4、P+和N+表示重度掺杂;P-和N-表示轻度掺杂

 

PN结原理如下图，空穴和电子的扩散形成耗尽层，耗尽层的电场方向如图所示：

 

(一)二极管

 

PN结正偏：PN结加正向电压，如下图：

 

此时P区多子“空穴”在电场的作用下向N区运动，N区多子电子相反，使耗尽层变窄至消失，正向导电OK，也可以理解成外加电场克服耗尽层内电场，实现导电，该电压一般为0.7V或0.3V。二极管正向导通的原理即是如此。

 

PN结反偏：PN结加反向电压，如下图：

 

反偏时，多子在电场作用下运动使PN结加宽，电流不能通过，反向截止;二极管反向截止的原理就是这样。但是，此时少子在内外电场的作用下移动，并且耗尽层电场方向使少子更容易通过PN结，形成漏电流。

 

得出重要结论，划重点：反偏时，多数载流子截止，少数载流子很容易通过，并且比正偏时多数载流子通过PN结还要轻松。

 

(二)三极管

 

上边说PN结反偏的时候，少数载流子可以轻易通过，形成电流，正常情况小少子的数量极少，反向电流可忽略不计。

 

现在我们就控制这个反向电流，通过往N区注入少子的方式，怎么注入，在N区下再加一个P区，并且使新加的PN结正偏，如下