关于IGBT、MOSFET、BJT的开关工作特性

关于IGBT、MOSFET、BJT的开关工作特性的基本思想

最近一直在弄实验室一个金属离子源的控制板，其中有一个模块需要完成一个恒流源的可控输出，其负载是金属离子源的远控电流输入口，考虑到金属离子源的输入负载很大，因此输出需要的功率会比较大，考虑了BOOST输出电路来实现一个电压源的输出，通过一个小采样电阻来采集负载端的电流形成反馈，通过反馈来实现恒流的功能。
MOSFET的驱动基本电路如下:

由于我图腾柱输出电路的电压一直不对，因此学习了一下关于IGBT、MOSFET、BJT（也就是三级管）实现饱和与截止（即器件需要工作在开关状态）。

1.关于BJT工作在饱和状态

BJT（晶体三级管）是一种电流控制的全控性器件，也就是是说（本人的理解），它工作在什么状态应该是由其电流决定的。但是在童诗白教授的《模拟电子技术基础》这本书当中BJT（npn）工作在饱和的条件是ube>Uon(导通电压，一般为0.7V)、uce<ube，一般以e级作公共接地端，那么就是说基级的电压要比集电极的电压要高。截止情况就很好描述，只要ube<=Uon且uce>ube。乍一看，这各b级电位很好给，无非就是高低的区别，但是C级电位和B级电位的比较情况怎么办？，这就要体现BJT作为电流控制型器件的优势了。以一个典型图腾柱输出电路为例子。

以上管为例，当1处电压为低电平时，截止的条件很容易满足，当其为高电平时，怎么满足其电压条件呢，这就需要考虑这个电阻Rc的作用，当b级电位升高使三级管导通时，Ic的大小也会随着变化，在放大区的话集电极一般不会随着uce变化，但在截止区ic和uce基本线性。因此会在Rc上产生压降，从而使电压条件得到满足。

因此虽然BJT是一个电流控制型器件，但是书本上是以电压关系来对其是否进入饱和状态来进行判断。

2.关于MOSFET工作在饱和（可变电阻区）状态

关于MOSFET的工作原理简单表述为：当栅极源极之间形成正电压后会形成对应的反型层，这就是构建好的电流通路，当漏源之间加电压后才会形成漏极电流，但与此同时导电沟道会沿着源-漏方向逐渐变窄，慢慢夹断，夹断后就进入到了恒流区（一方面电压增大电流增加、另一方面夹断区增长）。

判断进入饱和的条件：Uds<Ugs-Ugs(th)。在Ud不变的情况下通过提高Ugs来使其进入相应的可变电阻区状态。

3.关于IGBT工作在饱和状态

igbt有一个很大的好处就是它具有MOSFET和BJT的共同有点，同时它没有所谓的放大状态，因此在开关特性方面有很大的便利。