EF类和E/F类功率放大器(能量转换器)的波形推导和理想仿真--基于Matlab和ADS

本文详细介绍了如何利用Matlab和ADS软件对EF类和E/F类功率放大器的波形进行推导,并通过理论分析和理想仿真探讨了这两种混合模式类型的特性,特别关注了ZVDS和ZVS条件以及电路参数的计算。
摘要由CSDN通过智能技术生成

EF类和E/F类功率放大器(能量转换器)的波形推导和理想仿真–基于Matlab和ADS

参考论文:Modeling and Analysis of Class EF and Class E/F Inverters With Series-Tuned Resonant Networks(2016)

这篇文章的思路和MTT的文章A Generalized High-Efficiency Broadband Class-E/F3 Power Amplifier Based on Design Space Expanding of Load Network还有CAS的文章Novel Design Space of Broadband High-Efficiency Parallel-Circuit Class-EF Power Amplifiers的底层理论是相似的。

全部工程下载(Matlab+ADS):EF类和E/F类的波形推导和理想电路仿真工程-基于Matlab和ADS

这个论文我当时手推非常慢,花了一周搞推导吧,搞了个基于Matlab的syms推出的解析表达式和分析流程

众所周期,EF类和E/F类都是混合的模式类型,EF是在E类的基础上控制了偶次谐波使其短路,E/F类是在E类的基础上控制奇次谐波短路。但是,EF类和E/F类都是有其对应的原始电路实现的,下面对Matlab推导和ADS验证过程进行介绍。

1 、EF类和E/F类的简单理论

尽管 E 类PA可以用相对简单的电路拓扑实现100%的理论效率,但它面临着高峰值开关电压的问题。将E类开关模式和谐波调谐技术相结合,可以得到 Class-EF 或 E/F 模式。经典的Class-EF与Class-E/F的电路图与其等效电路如下图所示:
在这里插入图片描述
其中 L 1 L1 L1为射频扼流圈, C 1 C1 C1为并联电容, C 3 {C_3} C3和部分 L 3 {L_3} L3谐振在基频(和L谐振在基频) C 2 L 2 {C_2}{L_2} C2L2起到谐波调谐的作用对于Class-EF类PA,其需要控制偶次谐波,因此n为偶数。类似的,对于Class-E/F类PA,其需要控制奇次谐波,因此n为奇数

但是,虽然EF类和E/F类控制的谐波次数不同,但都需要满足ZVDS和ZVS条件,这也是推导的关键步骤之一

但是,在开始推导之前,我们需要关注一些需要预先设置的变量。参考上面的论文,我们需要优先设置要控制的谐波次数q占空比D,和电容C1与C2的比值 k = C 1 C 2 k=\frac{C_{1}}{C_{2}} k=C2C1。当然,这些参数也会影响波形:

在这里插入图片描述

2 、使用MATLAB计算EF类和E/F类的波形与参数

main.m,运行前设置q,D,k参数!!!
这部分的推导参考 (4 、EF类和E/F类的推导过程),这边直接给出计算代码的效果。首先,我们需要确定的是设置要控制的谐波次数q占空比D,和电容C1与C2的比值 k = C 1 C 2 k=\frac{C_{1}}{C_{2}} k=C2C1。此处以q=2,D=0.375,k=0.869为例,得到的结果为:
在这里插入图片描述
同时,命令行也会给出对应的设计参数,这些参数对应的是归一化电压和电流,也就是理想的输出功率为1W:
在这里插入图片描述

3 、ADS的理想仿真

使用上面的计算参数,q=2,D=0.375,k=0.869:
在这里插入图片描述
运行仿真,得到的仿真波形如下所示:
在这里插入图片描述
对应的阻抗空间如下所示,其中二次谐波短路正是EF2类的典型特征
在这里插入图片描述

4 、EF类和E/F类的基于MATLAB推导过程

推导的过程主要是解方程,需要满足下面几个ZVDS和ZVS条件:
在这里插入图片描述
直接解也太麻烦了,所以我们可以使用Matlab的辅助推导来进行求解(classEF_solve.m文件),首先要解出文章中定义变量(A1,B1,A2,B2,p,phi)的表达式,结合上面的条件可以使用solve进行求解,我也是在注释给出了每个等式对应哪个方程

%% 基本变量计算
clc
clear all
% 已知变量q1 D k,未知变量A1 B1 A2 B2 p phi
syms q1 D k
syms A1 B1 A2 B2 p phi
% Eqn14
q2=(q1*sqrt((k+1)/k));

% Eqn5、Eqn12、Eqn16---连续性
eqn1=A1*cos(q1*2*pi*D)+B1*sin(q1*2*pi*D)==A2*cos(q2*2*pi*D)+B2*sin(q2*2*pi*D)-q2^2*p/(q2^2-1)*sin(2*pi*D+phi)+1/(k+1);
% Eqn5、Eqn12、Eqn17---连续性
eqn2=A1==A2*cos(q2*2*pi)+B2*sin(q2*2*pi)-q2^2*p/(q2^2-1)*sin(phi)+1/(k+1);
% Eqn5、Eqn12、Eqn18---导数连续性
eqn3=-A1*q1*sin(q1*2*pi*D)+B1*q1*cos(q1*2*pi*D)==-A2*q2*sin(q2*2*pi*D)+B2*q2*cos(q2*2*pi*D)-q2^2*p/(q2^2-1)*cos(2*pi*D+phi);
% Eqn5、Eqn12、Eqn19---导数连续性
eqn4=B1*q1==-A2*q2*sin(q2*2*pi)+B2*q2*cos(q2*2*pi)-q2^2*p/(q2^2-1)*cos(phi);
% Eqn23
eqn5=2*pi*k*(1-D)/(k+1)+p*(cos(2*pi*D+phi)-cos(phi))*(q2^2/(q2^2-1)-(k+1))+A2/q2*(sin(2*pi*D*q2)-sin(2*pi*q2))+B2/q2*(cos(2*pi*q2)-cos(2*pi*D*q2))==0;
% Eqn24
eqn6=k/(k+1)+p*sin(phi)*(q2^2/(q2^2-1)-(k+1))-(A2*cos(q2*2*pi)+B2*sin(q2*2*pi))==0;

[A1,B1,A2,B2,p,phi]=solve(eqn1,eqn2,eqn3,eqn4,eqn5,eqn6,A1,B1,A2,B2,p,phi);

simplify(A1)
simplify(B1)
simplify(A2)
simplify(B2)
simplify(p)
simplify(phi)

解出了这些变量就可以继续求目标的波形了,对应的公式也给出了:

%% 波形的计算
clear

syms q1 D k theta
syms A1 B1 A2 B2 p phi
syms tao
% Eqn14
q2=(q1*sqrt((k+1)/k));
assume((D>0)&(D<1))

% Eqn12
il2_norm=A2*cos(q2*tao)+B2*sin(q2*tao)-q2^2*p/(q2^2-1)*sin(tao+phi)+1/(k+1);
% Eqn21
ic1_norm=1-p*(k+1)*sin(tao+phi)-il2_norm;
% Eqn26
beta_temp=simplify(int(ic1_norm,tao,2*pi*D,theta));
% Eqn28
vds_norm=simplify(2*pi*beta_temp/(int(beta_temp,theta,2*pi*D,2*pi)));
% Eqn29
is_norm=1-p*(k+1)*sin(theta+phi)-(A1*cos(q1*theta)+B1*sin(q1*theta));

最后是需要计算电路的相关参数,对应的公式也给出在注释,值得注意的是,vx算出来是分段函数,所以最终实现需要用if else语句实现:

%% 电路参数计算
clear

syms q1 D k theta f
syms A1 B1 A2 B2 p phi
syms tao
% Eqn14
q2=(q1*sqrt((k+1)/k));
assume((D>0)&(D<1))
% Eqn12
il2_norm=A2*cos(q2*tao)+B2*sin(q2*tao)-q2^2*p/(q2^2-1)*sin(tao+phi)+1/(k+1);
% Eqn21
ic1_norm=1-p*(k+1)*sin(tao+phi)-il2_norm;
% Eqn26
beta_temp=simplify(int(ic1_norm,tao,2*pi*D,theta));
% Eqn51
beta_integral=int(beta_temp,theta,2*pi*D,2*pi);
% Eqn35
RDC_RL=0.5*((2*pi*(1-D)+A1/q1*sin(2*pi*D*q1)+2*B1/q1*sin(pi*D*q1)^2)/(cos(2*pi*D+phi)-cos(phi)))^2;
% Eqn52
reactance_C1=simplify(2*pi*RDC_RL/beta_integral);
% Eqn58
vx=simplify(2*(int(beta_temp*cos(theta+phi),theta,2*pi*D,2*pi))/(int(beta_temp,theta,2*pi*D,2*pi)));
% Eqn32
im=(2*pi*(1-D)+A1/q1*sin(2*pi*D*q1)+2*B1/q1*sin(pi*D*q1)^2)/(cos(2*pi*D+phi)-cos(phi));
% Eqn51-60
reactance_C2=reactance_C1*k;
reactance_L2=reactance_C2/q1^2;
reactance_Lx=vx/im*RDC_RL;

Q_RLC=100;
RL=1/RDC_RL;
C1=1/(2*pi*f*RL*reactance_C1);
C2=1/(2*pi*f*RL*reactance_C2);
L2=reactance_L2*RL/(2*pi*f);
Lx=reactance_Lx*RL/(2*pi*f);
C3=1/(2*pi*f*Q_RLC*RL);
L3=Q_RLC^2*RL^2*C3;
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Nowadays the main driving parameters for the radio transmitter research are: energy efficiency, frequency re-configurability and integration. Pulsed transmitter architectures have attracted large interest in the recent years due to their potential to meet these demands. In pulsed transmitters, a highly efficient switch mode power amplifier (SMPA) is used in conjunction with a pulse modulator to achieve high efficiency linear amplification. Digital implementation of the modulator enables wide bandwidth for the signal generation path and improves the level integration. The bandwidth in a pulsed transmitter is however typically limited by the load matching network of the SMPA. This thesis presents two main contributions in the field of pulsed transmitter architectures. In the first part focus is given to bandwidth improvement of class-E switch mode PAs. A continuum of novel closed-form class-E modes is derived extending the traditional class-E design space. The extended design space provides important possibilities for wide band design of the class-E load networks and for further efficiency optimization of class-E PAs. A wide band design methodology is thus developed based on the analytical design equations. In the second part, focus is given to efficiency improvement of RF pulse width modulation (RF-PWM) based transmitters. A new SMPA topology particularly suitable for energy efficient amplification of RF-PWM signals is derived. It is analytically shown that high efficiency can be maintained over a wide power dynamic range if the imaginary part of the class-E load impedance is varied along with the pulse width. Using in-house (Chalmers University) SiC varactor diodes to implement the tunable load impedance, a 2 GHz 10 W peak output power CMOS-GaN HEMT RF-PWM transmitter demonstrator is realized. The static measurements show that a drain efficiency > 70% can be obtained over a 6.5 dB dynamic range. A digital pre-distortion based linearization scheme is proposed to enhance the linearity of the transmitter. An adjacent power ratio of -45 dBc and average drain efficiency of 67% is achieved using a realistic W-CDMA communication signal. These results clearly demonstrate the feasibility of the proposed pulsed transmitter topology for high efficiency linear amplification.
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