MOS管用作开关时的特点（NMOS传递低压，PMOS传递高压）

在之前的文章中我们提到了，一般情况下NMOS适合用来传递低压，而PMOS适合用来传递高压，那这到底是为什么呢，我们这篇文章详细说明一下：

NMOS管

NMOS导通条件：Vgs>Vgs(th)；

1.如果NMOS传递低电压：待传递的低电平放置在源极-S极，将高电平（开关信号）输入到栅极-G极，Vgs>Vgs(th)，NMOS管导通，NMOS管漏极-D极电压被拉低；即相当于将NMOS管源极-S极的低电压传递到了漏极-D极；

2.如果NMOS传递高电压：高电压不能放置在源极-S极（因为这样放置无法使Vgs足够大从而导通NMOS）；只能将高电压放置在漏极-D极，Vgs>Vgs(th)，漏极-D极的高电压被传递到S极，但此时Vgs>Vgs(th)不一定能继续成立，NMOS可能不能持续导通；

所以，NMOS更适合用来传递低压，与NPN类似；

PMOS管

PMOS导通条件：Vgs<Vgs(th) （Vgs(th)为负电压）；

1.如果PMOS传递高电压：待传递的高电平放置在源极-S极，将低电平（开关信号）输入到栅极-G极，Vgs<Vgs(th)，PMOS管导通，PMOS管漏极-D极电压被拉高；即相当于将PMOS管源极-S极的高电压传递到了漏极-D极；

2.如果PMOS传递低电压：低电压不能放置在源极-S极（因为这样放置无法使|Vgs|足够大从而导通PMOS）；只能将低电压放置在漏极-D极，Vgs<Vgs(th)，漏极-D极的低电压被传递到S极，但此时Vgs<Vgs(th)不一定能继续成立，PMOS可能不能继续导通；

所以，PMOS更适合用来传递高压；与PNP类似；

实际应用

在实际使用时，我们经常也会使用NMOS来传递高电压，这主要有两个原因：一是由于工艺等原因，NMOS内部的Rds(on)通常比PMOS内部的更小一些，损耗更小；二是由于NMOS普遍比PMOS更加便宜；