模电(十一)绝缘栅型场效应管MOS管

最新推荐文章于 2024-04-24 12:48:58 发布
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分类专栏： 模电
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绝缘栅型场效应管MOS管

以N沟道为例

增强型MOS管

符号
在这里插入图片描述
结构示意图在这里插入图片描述

增强型MOS管u’DS对i’D的影响

漏源电压为零且栅源电压大于零

  • 栅型金属层排斥P型衬底靠近二氧化硅一层的空穴，使余下的负离子形成耗尽层。 图（a）
  • 随着栅源电压增大，耗尽层加宽，反型层出现。(反型层构成栅源间导电沟道)。 图（b）
  • 使导电沟道刚刚形成时的栅源电压称为开启电压U’GS(th)
  • 栅源电压继续增大，反型层变厚，导电沟道电阻变小

在这里插入图片描述
栅源电压大于开启电压且为一确定值

  • 在D-S之间加正向电压，产生漏极电流，与结型场效应管相似。【分析栅漏电压与开启电压的关系，栅漏电压等于栅源电压减漏源电压】
  • 漏源电压较小时，漏极电流随漏源电压的增大而增大，沟道由源漏方向逐渐变窄。 图（a）

在这里插入图片描述

  • 漏源电压持续增大，使g-d电压等于开启电压时 ，漏极一侧出现夹断点，称预夹断。 图（b）

在这里插入图片描述

  • 漏源电压继续增大，夹断区延长，漏源电压的增量用来克服夹断区对漏极电流的阻力，管子进入恒流区，漏极电流几乎取决于栅源电压。 图（c）

在这里插入图片描述

耗尽型MOS管

符号
在这里插入图片描述
结构示意图
在这里插入图片描述

  • 栅源电压为正，反型层变宽，沟道电阻变小，漏极电流增大
  • 栅源电压为负，反型层变窄，沟道电阻变大，漏极电流减小
  • 栅源电压从零减小到一定数值后，反型层消失，导电沟道消失，漏极电流为零，此时栅源电压等于夹断电压

MOS管特性

增强型MOS管

转移特性
在这里插入图片描述
输出特性
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

耗尽型MOS管

转移特性
在这里插入图片描述
输出特性
在这里插入图片描述

jl12800
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STM32工作笔记0043---什么是漏源电压,栅源电压
添柴程序猿的专栏
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技术交流QQ群【JAVA,C++,Python,.NET,BigData,AI】：170933152 漏源电压：漏极和源极两端的电压。 　　栅源电压：栅极和源极两端的电压。 　　栅极（daoGate——G，也叫做门极），源极(Source——S)， 漏极（Drain——D） 　　将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。共漏极放大电路——源极输出器 　　栅极简称为G ,源极简称为S,漏极简称为D。 这里指的是三极管的,集电
绝缘栅型场效应管之图解1
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【模电】0004 MOS管应用分析
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MOS管其实有很多种，通常的模电教材里都会至少分为PMOS/NMOS，增强型/耗尽型，因为一般情况下工程中能见到的基本上只有增强型。所以下文中就不特殊说明了，都是增强型。 1）MOS管的识别 首先，MOS管的电路符号如图： MOS管的符号三个极中，中间的是栅极G，箭头指向栅极的是NMOS，箭头背向栅极的是PMOS；与箭头相连的是源极S，不相连的是漏极D。 工程中实际的MOS管内部一般都有一个二极管，称为寄生二极管，实际的原理图如下图： NMOS内部的二极管正极在S端；而PMOS的二极管正.
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模电—初探MOSFET
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