隔离驱动芯片SI8233做MOS管驱动时的注意事项

目前Silicon Labs的隔离驱动芯片SI8233大量的用来做MOS管驱动，由于具有两路独立的驱动，并且支持原副边5V的隔离电压，每路的峰值驱动电流达4A，所以在电源类产品的拓扑半桥或者全桥电路，PFC都会考虑用SI8233做驱动设计，如下为SI8233运用框图。

图1 SI8233驱动运用框图

针对隔离驱动芯片SI8233的驱动设计，需要注意事项如下：

1. 对于SI8233的DT脚使用，如果需要外置死区时间，可以直接串电阻接到Gnd,另外在电阻端并联一个nF级的小电容，这样可以起到抗干扰能力；

2. 在驱动侧设计如果驱动MOS管的门极电压怕超过SIC需求时，可以用TVS管进行门极电压钳位；

3. 如果SI8233的驱动MOS管，上升沿会太快，怕造成门极抬升，可以适当将外接的门极电阻调大；

4. 在副边供电电源的选择，高压侧供电可采用自举或单独的电源供电，电压不建议超过24V;

5. 另外芯片的原边侧供电，靠近VDD与GND侧需要加电容，防止供电电压波动造成芯片损坏；

设计时尽量考虑可能的芯片失效风险，这样就可以提高产品的可靠性；
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