电力电子技术笔记（5）——其它新型电力电子器件、功率集成电路

目录

2.5 其它新型电力电子器件

2.5.1 MOS控制晶闸管MCT

2.5.2 静电感应晶体管SIT

2.5.3 静电感应晶闸管SITH

2.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT

2.5.5 基于宽禁带半导体材料的电力电子器件

2.5.6 电子注入增强栅晶体管IEGT

2.6 功率集成电路与集成电力电子模块

基本概念

实际应用电路

发展现状

小结

器件

电力电子器件的现状和发展趋势

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2.5 其它新型电力电子器件

2.5.1 MOS控制晶闸管MCT

MCT（MOS Controlled Thyristor）是将MOSFET与晶闸管组合而成的复合型器件。

MCT结合了二者的优点：

承受极高di/dt和du/dt，快速的开关过程，开关损耗小，高输入阻抗、低驱动功率（MOSFET）。高电压，大电流，高载流密度，低导通压降（晶闸管）。

由数以万计的MCT元组成，每个元的组成为：一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。

其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量都远未达到预期的数值，未能投入实际应用。

2.5.2 静电感应晶体管SIT

SIT（Static Induction Transistor）是一种结型场效应晶体管。

是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力MOSFET大，因而适用于高频大功率场合。

在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用。

缺点：栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，这被称为正常导通型器件，使用不太方便，此外SIT通态电阻较大，使得通态损耗也大，因而SIT还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。

2.5.3 静电感应晶闸管SITH

SITH（Static Induction Thyristor）可以看作是SIT与GTO复合而成。

又被称为场控晶闸管（Field Controlled Thyristor——FCT），本质上是两种载流子导电的双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、通流能力强。

其很多特性与GTO类似，但开关速度比GTO 高得多，是大容量的快速器件。

一般也是正常导通型，但也有正常关断型，电流关断增益较小，因而其应用范围还有待拓展。

2.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT

IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor）是将一个平板型的GTO与由很多个并联的电力MOSFET器件和其它辅助元件组成的GTO门极驱动电路采用精心设计的互联结构和封装工艺集成在一起。

IGCT由主开关器件GCT和门极驱动电路集成而成。GCT是IGCT的核心器件。

导通——GCT具有PNPN结构，与GTO相同。

关断——门极和阴极反偏，关断，增益1。

关断增益等于1，比GTO还小。但是，驱动电流并不很大。

20世纪90年代后期出现，结合了IGBT与GTO优点，容量与普通GTO相当，但开关速度比普通的GTO快10倍，而且可以简化（省去&#