一文读懂气相化学沉积（CVD）

化学气相沉积（CVD）被定义为由于气相化学反应而在基体表面上沉积固体薄膜，是一种薄膜工艺，其中沉积物质通常是原子、分子或两者的组合。一般来说，通过吸附气相前驱体的表面介导反应在基板上形成固体薄膜的任何工艺都叫做CVD.

CVD机台

CVD的反应机理是一个复杂的过程，通常取决于反应物和反应条件。一般而言，CVD反应的过程可以分为以下几个步骤：

1. 反应物进入反应室并被激活：反应物以气态形式进入反应室，并在反应室内被激活。激活方式通常包括加热，等离子体，或者两者的结合。

2. 反应物在基片表面发生反应：激活的反应物在基片表面发生反应，形成薄膜。反应可以是氧化、还原、沉积等化学反应。

3. 薄膜生长：反应物不断进入反应室，与基片表面反应，从而形成薄膜。薄膜的生长速率受到反应条件和反应物浓度的影响。

   
   

   

4. 附着与结晶：形成的薄膜会在基片表面附着并结晶，形成具有特定形态和结构的材料。

   
   

   一般来说，CVD反应需要高温、高压的环境条件。在高温的条件下，反应物的化学活性增加，更容易发生反应。高压的条件下，反应物的浓度会增加，增加反应速率。同时，高压条件下还能够压缩反应物分子之间的距离，从而增加反应的可能性。当然，不同的反应物需要的反应条件也是不一样的，需要具体情况具体分析。

   
   

   反应物质是CVD反应机理的重要组成部分。CVD反应的反应物质通常包括气体、液体、固体等形态，常用的反应物质包括氧气、氯化物、氢化物、有机金属、金属氧化物等。不同的反应物质有着不同的化学性质，所以在反应机理中起着不同的作用。例如，氧气在反应中可以提供氧原子，起到氧化反应的作用；而有机金属则可以提供金属原子，起到还原反应的作用。用于 CVD 反应的反应物必须具有极高的纯度，因为任何杂质最终都会掺入沉积膜中。这些杂质会导致薄膜材料特性发生不受控制的变化，这对器件性能有害。作为纯度声明的必然结果，CVD 前体在储存条件下也必须稳定，因为任何分解都会产生杂质，这些杂质将被输送到工艺中。理想情况下，CVD 前体仅在 CVD 工艺中存在的温度和压力条件下发生反应。
   

1. 

CVD 工艺的典型前体包括：

• 氧

• 卤化物：H 2 SiCl 2、HSiCl 3、TiCl 4、WF 6等。

• 氢化物：SiH 4、GeH 4、AlH 3 (NMe 3 ) 2、NH 3等。

• 有机金属：AlMe 3、Ti(CH 2 tBu) 4等。

• 金属醇盐：TEOS、4-二甲氨基钛(TDMAT)、Ti(OiPr) 4等。

• 金属二烷基酰胺：Ti(NMe 2 ) 4等。

• 金属二酮酸盐：Cu(acac) 2

• 羰基金属：Ni(CO) 4

优势：

作为一种薄膜工艺，CVD 具有多种优势，最终导致它有时比 PVD 工艺更受青睐。首先，与包括溅射和蒸发在内的其他 PVD 工艺不同，CVD 具有高均镀性，可以相对容易地涂覆孔洞、深凹陷。其次，与现在的 PVD 工艺相比，该方法更经济，具有高沉积速率和获得厚涂层的能力。第三，CVD 通常不需要超高真空。

尽管如此，CVD 还是有一些明显的缺点。首先，它通常在高温下运行，其中许多基板都不是热稳定的。其次，它需要具有高蒸气压的剧毒和危险的化学前体。第三，CVD 的有毒和腐蚀性副产物的处理价格较昂贵，在处理时也可能会出现安全问题 

PVD 涂层和 CVD 涂层有何区别？

PVD 涂层和 CVD 涂层是将涂层应用于材料表面的两种不同方法。这两种方法在它们可以沉积的材料、它们的应用条件以及它们产生的涂层的特性方面存在几个关键差异。

• 材料：PVD 涂层可以沉积更广泛的材料，包括金属、合金和陶瓷，而 CVD 涂层通常仅限于沉积陶瓷和聚合物。

• 工艺条件：PVD 涂层通常发生在高温真空室中，并使用溅射或蒸发等物理工艺来沉积涂层。另一方面，CVD 涂层通常在较低温度下进行，并使用化学反应来沉积涂层。

• 涂层特性：PVD 涂层通常不如 CVD 涂层致密和均匀，但可以快速应用于更广泛的材料。CVD 涂层通常更致密和更均匀，但仅限于某些类型的材料。

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