微纳加工技术_薄膜制备_CVD(化学气相沉积)

最新推荐文章于 2023-02-23 12:01:41 发布
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CVD(化学气相沉积)

文章目录

CVD的一般反应过程

以下过程是串联进行的，反应速率取决于反应最慢的环节。
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CVD反应速率与温度的关系

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低温区温度敏感，高温区流量敏感；
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反应速率对包角特性有影响
conformal :包角特性
包角特性是CVD的重要指标，一般的生产过程结果，是两种（包角 & 非包角）结合的产物，最后生成的形貌为：表面与底面沉积，拐角处堆积，侧壁较薄；
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描述CVD的参数：

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常见的CVD技术

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几种CVD的比较

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LPCVD & PECVD 对比
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实例：多晶硅的制备

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实例：二氧化硅的制备

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实例：Si3N4的制备

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实例：各种层的CVD制备方法

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常见的CVD反应方程式

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填充特性

填充不好的介质层；
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填充不好的钨塞
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填充好的钨塞；
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小结

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