电镀金凸块（点）的工艺流程

知识星球里的学员问：Au bump是怎样制作的？有哪些应用场景？需要检测的技术指标有哪些？

什么是Au bump工艺？

如上图，

在芯片的铝焊盘上电镀金（Au）形成微小的金属凸点，这些凸点用于导通芯片与封装基板之间的电路。与Solder Bump不同的是，Au bump具有更好的导电性，更小的尺寸更高的密度，抗氧化能力更强。

Au bump主要用于哪方面的？

一般用于倒装工序（flip chip），最常见的是COG（chip on Glass）封装中。

Au bump的电镀工艺流程？

如上图，

RF清洗（RF Clean）：在这一步，使用等离子体清洗晶圆表面，去除可能影响后续沉积的有机物和氧化物。这对于提高金属层与衬底的附着力至关重要。

钛钨/金溅射（TiW/Au Sputtering）：在清洗后的焊盘上沉积一层钛钨（TiW）作为粘附层，随后再沉积一层金作为种子层，用于晶圆表面电路的导通，使后续的电镀工序能够进行。

光刻胶涂布（Photo Resist Coating）：涂布一层光刻胶，通常厚度较厚，光刻胶的厚度是要高于金凸点的高度。

Photo Process：曝光，显影等，露出要电镀的部分，不需电镀的部分用光刻胶遮挡住。

金电镀（Au Plating）：在已暴露的金属区域进行金电镀，一般凸点的高度在15-18um，bump之间的空隙也在10um左右。

光刻胶剥离（PR Stripping）：在电镀完成后，去除光刻胶，暴露出底层的TiW/Au层。

Au/TiW刻蚀（Au/TiW Etching）：使用湿法刻蚀工艺去除未覆盖电镀层的多余TiW和Au层，保留已经形成的金凸点。

热退火（Thermal Anneal）：最后，通过退火使电镀的金凸点结构更加坚硬，便于后续的倒装工序。

Au bump的要求？

1，退火后硬度足够高

2，镀层表面粗糙度足够小