PCIe5.0的Add-in-Card(AIC)金手指layout建议（二）

PCIe5.0的Add-in-Card(AIC)金手指layout建议（一）

金手指南侧（靠近倒角）的GND孔

AIC应该在靠近倒角位置布置间隔1mm的GND孔，这些地孔通过和内层的GND平面相连，进一步抑制金手指边缘区域的串扰。这些地孔仅应该分布在高速pin的区域，即A12/B12到A82/B82。

注意，这些南侧的地孔严禁用在电源和低速pin上，即从A1/B1-A11/B11，以便最小化GND和PWR短路的风险。

和北侧的GND孔要求一样，并不指定南侧GND孔的钻孔尺寸，因为并不影响性能。但是推荐较小的钻孔尺寸和pad尺寸，可以减小PCB制造和可靠性的复杂程度。

 

南侧的GND孔必须使用和pad直径宽度一样的走线连接，如0.5mm或20mil。

pad的上边缘应该和3.2mm的pin下边缘对齐。

在次外层，需要设计一个长条形的GND bar，将南侧的GND孔连在一起。

 在金手指的最中间层，向外延伸3.91mm的GND平面可以经过南侧的GND孔覆盖到金手指的边缘，这样可以提供表层Tx和底层Rx之间的串扰屏蔽。

 Plating Tie Bar Removal & metal exclusion region

在金手指加工流程中，需要Plating Tie Bar实现镀金和硬金镀镍，但是在加工流程完成后需要把这些Tie Bar移除，在倒角区域和金手指边缘留下1.3mm的表面非金属区域。这可能在电镀流程之后需要额外的PCB加工流程：回蚀。由于回蚀工艺会在金手指的底部留下一个小的残余凸块，因此很难在金指上获得方形边缘。允许Plating Tie Bar中的一些残余金属超出金手指pin底部0.13 mm，进入金属排除区域，如下所示。理想情况下，Plating Tie Bar应较窄，因此突出部分应较小。

移除 Plating Tie Bar可以避免分层造成的连接器短路，保证连接位置的可靠性。另外，也可以通过减小较长的谐振stub以及寄生电容来提升信号完整性。

禁止在金手指区域布局丝印和油墨。