电力电子技术——MOSFET和IGBT详解

电力电子技术——MOSFET和IGBT详解

前言

详细解释一下MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的工作原理。

详解一

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）

1. 结构：

• MOSFET由沟道、栅极和漏极组成。沟道中的电荷载流子（电子或空穴）的运动受栅极电场的控制。
• 栅极与沟道之间通过绝缘层（通常是氧化物）隔开，因此称为绝缘栅。

2. 工作原理：

• 当栅极施加一个电压时，形成栅源电场，改变了沟道中的电荷密度。
• 当栅源电压足够大，使得沟道中出现了足够的载流子，MOSFET进入导通状态。
• 当栅源电压低于某一阈值时，MOSFET处于截止状态，电流无法通过沟道。
• MOSFET的导通特性由栅极和源极之间的电压决定，因此具有很高的输入阻抗。

3. 应用：

• MOSFET广泛应用于各种电路中，如功率放大器、开关电路、模拟电路等。
• 由于其高输入阻抗、低开关损耗和高频特性，常被用于高性能和高频率的应用。

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）

1. 结构：

• IGBT结合了MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管࿰