Buck电路振铃产生的原因以及解决的办法

1、产生的原因：
参考链接：Buck的振铃实验与分析
电路图：

其中：L1为上管MOS管以及走线的寄生电感总和，L1为上管MOS管以及走线的寄生电感总和，C2为底边测MOS管的DS之间的寄生电容。
**过程：**上管完全导通下管完全关闭之后，SW端的电压逐渐上升到输入电压（Vin）,此时由于L1两端的电压差为0，电流本应该为0，但电感的电流不能突变，因此电感产生反电动势，变成上负下正，此时SW端的电压超过输入电压（Vin）,此时的电压就是尖端电压，所以尖端电压的大小很大程度上是由上管的寄生电感决定的。
当L1上的电流逐渐等于功率电感上的电流，C2两端的压差一直在增加，所以C2处于充电过程，所以L1与C2形成了LC震荡，所以如果上管导通电阻太小，处于欠阻尼震荡，则SW端电压的震荡就比较明显。
产生的后果： 高的尖端电压可能会超出MOS管的耐压值，导致被击穿而损坏；由于振铃属于高频，伴随很高的dv/dt，会带来传导和辐射的EMI问题，导致无法通过EMI测试
解决思路：
在SW端添加一个subber电路：

其中Csunb以及R即为sunbber电路
具体C值与R值的计算参考下面链接：
Snubber电路如何解决Buck电路SW过冲问题