模拟cmos集成电路设计之共源共栅电流镜

** 沟道长度调制效应存在无法精准复制，引入共源共栅结构。**沟长调制系数减小，但Vx不等于Vy，仍不精准。

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目的：Vx=Vy，
有Vgs0=Vgs3；
*如忽略短沟道效应，选择四个Mos的尺寸比有Vgs0=Vgs3；
即（w/l)3:(w/l)0=(w/l)2:(w/l)1；
缺陷：消耗大电压余度；
Vp,min=Vgst2+Vgst3+Vth。

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*引入低压共源共栅结构，Vp,min=Vgst2+Vgst1；
相比节省一个Vth；
当Vb=Vgst1+Vgs2=Vgst3+Vgst4成立；
*选择尺寸使Vgs4=Vgs2，则Vds1=Vds3，
在消耗小电压余度的同时实现精准复制；
还需一个Vb产生电路。

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目的：Vb=Vgst1+Vgs2；（M1在线性区边缘）
如图Vb=Vds1+Vgs2=Vds6+Vgs5，
令Vgs2=Vgs5，则Vds1=Vds6=Vgs6-I*Rb；
*调M6、Rb，使Vds1=Vgst1。
缺陷：M5无体效应，M2有，仍有误差