模拟CMOS集成电路设计入门学习（13）

最新推荐文章于 2024-09-26 19:59:07 发布

❀爱理的哲也❀

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文章标签：学习硬件工程

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基本电流镜

电流镜，既可以作为偏置单元，也可以作为信号处理元件。

下图中，M1和M2组成的结构就叫做一个“电流镜”。

忽略沟道长度调制，有：

$I_{REF}=\frac{1}{2}u_{n}C_{ox}(\frac{W}{L})_{1}(V_{GS}-V_{TH})^{2}$

$I_{out}=\frac{1}{2}u_{n}C_{ox}(\frac{W}{L})_{2}(V_{GS}-V_{TH})^{2}$

可以得出： $I_{out}=\frac{(W/L)_{2}}{(W/L)_{1}}I_{REF}$

该电路的关键特性是：它可以精准地复制电流而不受工艺和温度的影响。

$I_{out}$ 与 $I_{REF}$ 的比值由器件尺寸的比率决定，该值可以控制在合理的精度范围内。

同样，电流镜可以处理信号。如果 $I_{REF}$ 增加 $\Delta I$ ，那么 $I_{out}$ 增加 $\frac{(W/L)_{2}}{(W/L)_{1}}\Delta I$ ，如果 $\frac{(W/L)_{2}}{(W/L)_{1}}> 1$ ，电路会放大小信号电流。{代价是成比例增加偏置电流}。

电流镜中所有晶体管通常都采用相同的栅长，以减小由于源漏区边缘扩散（ $L_{D}$ ）所产生的误差。

共源共栅电流镜

沟道长度调制效应使得镜像的电流产生了极大的误差，尤其是当使用最小长度晶体管以便通过减小宽度来减小电流源输出电容时。

对于该电路：

$I_{D1}=\frac{1}{2}u_{n}C_{ox}(\frac{W}{L})_{1}(V_{GS}-V_{TH})^{2}(1+\lambda V_{DS1})$

$I_{D2}=\frac{1}{2}u_{n}C_{ox}(\frac{W}{L})_{2}(V_{GS}-V_{TH})^{2}(1+\lambda V_{DS2})$

因此： $\frac{I_{D1}}{I_{D2}}=\frac{(W/L)_{2}}{(W/L)_{1}}\frac{1+\lambda V_{DS2}}{1+\lambda V_{DS1}}$

虽然 $V_{DS1}=V_{GS1}=V_{GS2}$ ,但由于M2输出端负载的影响， $V_{DS2}$ 却不可能等于 $V_{GS2}$ 。

为了抑制沟道长度调制的影响，可以使用共源共栅电流源：

共源共栅器件可以使底部晶体管免受 $V_{P}$ 变化的影响。

借助上图所示，我们可以证明： $\Delta V_{Y}\approx \Delta V_{P}/[(g_{m3}+g_{mb3})r_{O3}]$

因此，我们可以认为 $V_{Y}\approx V_{X}$ ，从而有 $I_{D2}\approx I_{D1}$ ,这是一个很精确的结果。这样一个精度的获得是以M3消耗的电压余度为代价的。

将令一个二极管连接的器件M0与M1串联，从而产生一个电压 $V_{N}=V_{GS0}+V_{X}$ 。再根据M3的尺寸选择适当的M0的尺寸使 $V_{GS0}+V_{X}=V_{GS3}+V_{Y}$ 。

因此，如果 $\frac{(W/L)_{3}}{(W/L)_{0}}=\frac{(W/L)_{2}}{(W/L)_{1}}$ ，那么 $V_{GS0}=V_{GS3}$ ， $V_{X}=V_{Y}$ 。

即使M0和M3存在衬偏效应，该结果也仍然成立。

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