硬件基础-三极管

目录

1.原理

2.输入特性曲线

3.输出特性

4.温度特性

5.分类

6.应用

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1.原理

具有电流放大作用(受温度影响大)

NPN  基极b 杂质浓度低     E发射 自由电子多       C发射 面积大浓度低

发射结加正向电压，形成Ie;自由电子扩散到基极形成Ib;集电结方向电压，漂移形成Ic。

1.发射区向基区注入电子；

2.电子在基区的扩散与复合；

3.集电区收集由基区扩散过来的电子。

放大倍数：

Ie=Ib+Ic   则 Ie=β*Ib.   得  β=Ic/Ib.

2.输入特性曲线

Uce一定，Ube与Ib关系。

3.输出特性

iB不变时，IC与VCE之间的关系  发射结为0.6一0.7V

截止区  

发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置

即Ube<Uon且Uce>ube。此时Ib=0，Ic=0

放大区

发射结电压大于开启电压且集电结反向偏置

即Ube>Uon且Uce>Ube，此时c仅仅取决于lb,Ic=B*Ib

饱和区

发射结电压大于开启电压且集电结正向偏置，

即Ube>Uon且Uce<Ube。此时lc不仅仅与lb有关，

而且随Uce的增大而增大lc<B*lb。

4.温度特性

放大倍数跟温度也是有较大的关系的，温度越高，放大倍数越大

5.分类

按半导体材料分：硅三极管、锗三极管

按工作频率分：高频管、低频管

按功率分 ：功率管、开关管

6.应用

开关（截止区和饱和区）

【截止区，Ic=0，此时，功率P=lc*Uce很小

饱和区，Uce深度饱和电压很小，功率P=lc*Uce相对也很小  即BE关闭，CE导通】

控制继电器输出

电平转换，反相