ISO 26262中的失效率计算：IEC TR 62380-Section 8-Transistors

概要

IEC TR 62380《电子组件、PCBs和设备的可靠性预计通用模型》是涵盖电路、半导体分立器件、光电组件、电阻器、电容器、压电组件、显示器、开关等等电子元器件的可靠性预计模型，模型中包含了环境系数以及材料、工艺和结构等因素相关的系数。本文介绍IEC TR 62380第八章晶体管的失效率预测模型。

1 失效率预测模型

1.1 晶体管分类

在IEC TR 62380中将晶体管分为低功率晶体管和功率晶体管二大类，其中：

低功率晶体管包含以下：
a）硅晶体管：单结，FET，MOS；最高功率5W；
b）砷化镓晶体管：最高功率1W。

功率晶体管包含以下：
a）硅晶体管：功率5W以上
b）砷化镓晶体管：功率1W以上。

1.2 失效率预测模型

低功率晶体管和功率晶体管的失效率预测模型是一致的：

二极管失效率预测的数学模型由如下3部分组成：

      - λdie 组件失效率

      - λpackage 封装失效率

       - λoverstress 电过应力失效率

2 失效率的计算

2.1 结温的计算

晶体管结温的计算参考：ISO 26262中的失效率计算：IEC TR 62380-Section 8-Diodes

2.2 λdie的计算

Die的base失效率：根据所要计算的元器件类型，查找对应的λ0：

根据所要计算的元器件类型，查找对应的πS计算模型，带入不同模型所需的参数：

温度de-rateing系数的计算参考：ISO 26262中的失效率计算：Mission profile的使用

这里需要注意的需要根据元器件的类型，选择πt的计算模型：

2.3 λpackage的计算

封装的base失效率：根据封装类型选择λB取值：

温度循环De-rating系数的计算参考：ISO 26262中的失效率计算：Mission profile的使用

2.4 λoverstress的计算

电过应力失效率：根据元器件的使用用途选择λEOS和πI取值：

其中：

     πI：是否与外界环境直接接触的影响参数。

     λEOS：在考虑的应用中，与电子应力相关的故障率。

将计算得到的λdie 组件失效率、λpackage 封装失效率、λoverstress 电过应力失效率相加即可得出晶体管的失效率。