微纳加工技术_工艺模块_STI 浅槽隔离

最新推荐文章于 2025-03-17 17:34:23 发布
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分类专栏： 微纳加工
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本文主要介绍了集成电路设计中常用的两种隔离技术——LOCOS隔离和STI浅槽隔离，并详细阐述了STI制造流程及其特点。文章指出，由于第一层布线可能引起器件反型，因此需要采用隔离技术。此外，还特别提到了STI制造过程中padoxide的作用及STI槽的理想形态。

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工艺模块

文章目录

隔离

因为第一层布线有可能引起器件的反型，所以需要隔离；
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LOCOS 隔离

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氧化层一般500nm厚；22nm工艺的有源区一般也只有100nm的深度；
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STI 浅槽隔离

STI: Shallow Trench Insulation With CMP
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STI 制造流程

  1. pad oxide两个作用： 缓解应力，形成包角；
  2. STI槽并不希望是90°垂直的，因为我们也希望侧壁可以离子注入；
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完成图

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浅槽隔离
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### 浅槽隔离（STI）技术及其原理 #### 什么是浅槽隔离？ 浅槽隔离（Shallow Trench Isolation, STI）是一种现代半导体制造中的隔离技术，主要用于分离集成电路中的有源器件。其核心思想是在硅衬底上挖掘出一个浅槽，并填充绝缘材料来实现电气隔离[^2]。 #### STI 的工作原理 1. **槽的制作** 在硅衬底上使用高精度的光刻技术和反应离子刻蚀（RIE），切割出一个几乎垂直的凹槽。这一过程需要严格的工艺控制以确保槽的形状和尺寸一致[^3]。 2. **氧化处理** 凹槽的侧壁会被氧化，形成一层薄薄的二氧化硅保护膜。这一步骤有助于减少后续应力对器件性能的影响。 3. **填充绝缘材料** 使用化学气相沉积（CVD）或其他方法，在凹槽中填充一种高质量的绝缘材料（通常是二氧化硅）。随后通过平坦化工艺（如化学机械抛光CMP），去除多余的材料并使表面平整。 4. **边界优化** 较光滑和平整的STI边界能够有效降低电场集中现象以及漏电流的发生概率，从而提升芯片的整体可靠性与性能。 #### STI 压力效应对 MOS 管的影响 在实际应用过程中，当在硅基板上开挖浅槽时会不可避免地引入一定的残余应力。这种应力会对邻近的MOS晶体管产生影响，具体表现为： - 对于距离较近的扩散区，应力可能会改变载流子迁移率，进而影响器件阈值电压和其他特性参数； - 同样规格下的两个MOS管如果因为布局设计差异而导致各自关联的扩散区域长度不一，则最终呈现出的功能表现也会有所区别。 #### STI 技术的应用背景 随着微电子技术的发展，特征尺寸不断缩小，传统的局部氧化隔离（LOCOS）已无法满足先进制程的需求。相比之下，STI具有更小的寄生电容、更好的可扩展性等特点，因此成为当前主流CMOS工艺中不可或缺的一部分[^4]。 ```python # 示例代码展示如何模拟简单的STI结构（仅作示意） class ShallowTrenchIsolation: def __init__(self, trench_depth, oxide_thickness): self.trench_depth = trench_depth # 浅槽深度 (nm) self.oxide_thickness = oxide_thickness # 绝缘层厚度 (nm) def calculate_stress(self, stress_factor=0.8): """计算因STI引起的应力""" return self.trench_depth * stress_factor / self.oxide_thickness st_instance = ShallowTrenchIsolation(trench_depth=150, oxide_thickness=50) stress_value = st_instance.calculate_stress() print(f"Estimated Stress Value: {stress_value} MPa") ```
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