微纳加工技术_工艺模块_STI 浅槽隔离

最新推荐文章于 2024-05-11 20:16:44 发布
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分类专栏： 微纳加工
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本文主要介绍了集成电路设计中常用的两种隔离技术——LOCOS隔离和STI浅槽隔离，并详细阐述了STI制造流程及其特点。文章指出，由于第一层布线可能引起器件反型，因此需要采用隔离技术。此外，还特别提到了STI制造过程中padoxide的作用及STI槽的理想形态。
摘要由CSDN通过智能技术生成

工艺模块

文章目录

隔离

因为第一层布线有可能引起器件的反型，所以需要隔离；
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LOCOS 隔离

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氧化层一般500nm厚；22nm工艺的有源区一般也只有100nm的深度；
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STI 浅槽隔离

STI: Shallow Trench Insulation With CMP
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STI 制造流程

  1. pad oxide两个作用： 缓解应力，形成包角；
  2. STI槽并不希望是90°垂直的，因为我们也希望侧壁可以离子注入；
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完成图

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