工艺模块 文章目录 工艺模块隔离LOCOS 隔离STI 浅槽隔离STI 制造流程完成图 隔离 因为第一层布线有可能引起器件的反型,所以需要隔离; LOCOS 隔离 氧化层一般500nm厚;22nm工艺的有源区一般也只有100nm的深度; STI 浅槽隔离 STI: Shallow Trench Insulation With CMP STI 制造流程 pad oxide两个作用: 缓解应力,形成包角;STI槽并不希望是90°垂直的,因为我们也希望侧壁可以离子注入; 完成图