CP和FT测试区别

CP测试在芯片wafer阶段进行,主要测试基本连接和低速数字电路,而FT测试在封装后进行,进行全面的功能验证。CP测试受限于信号完整性和电气性能,常采用悬臂针,仅测试部分项目;FT测试则可覆盖高速信号和高精度测试。两者在测试内容、精度和必要性上有所区别,具体应用取决于芯片类型、良率和成本考虑。

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CP是Chip Probe的缩写,指的是芯片在wafer的阶段,就通过探针卡扎到芯片管脚上对芯片进行性能及功能测试,有时候这道工序也被称作WS(Wafer Sort)。

FT是Final Test的缩写,指的是芯片在封装完成以后进行的最终测试,只有通过测试的芯片才会被出货。

从工序角度上看,似乎非常容易区分cp测试和ft测试,没有必要再做区分,而且有人会问,封装前已经做过测试把坏的芯片筛选出来了,封装后为什么还要进行一次测试呢?难道是封装完成度不高影响了芯片的动能吗?不是的,因为从测试内容上看,cp测试和ft测试有着非常明显的不同。

首先受测试治具的限制,在绝大多数情况下,特别是国内,在CP测试上选用的探针基本属于悬臂针(也有叫环氧针的,因为针是用环氧树脂固定的缘故)。这种类型的针比较长,而且是悬空的,因此信号完整性控制非常困难,数据的最高传输率只有100~400Mbps,高速信号的测试几乎不可能完成。

而且,探针和pad的直接接触在电气性能上也有局限,容易产生漏电和接触电阻,这对于高精度的信号测量也会带来巨大的影响。所以,通常CP测试仅仅用于基本的连接测试和低速的数字电路测试。

虽然理论上在CP阶段也可以进行高速信号和高精度信号的测试࿰

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