电磁兼容EMC——ESD基础

一、ESD基本概念

1.1 ESD的定义及来源

1.1.1 ESD的定义

        ESD（Electro-Static Discharge）即静电放电，是指当两个具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触时引起的电荷转移现象。

1.1.2 ESD的产生机理

        当两个具有不同静电序列位置的物体接触并分离时，它们之间的电荷交换可能导致正负电荷不平衡，从而产生静电。

        ESD的发生可以分为以下几个步骤：

        ① 静电积累：物体通过摩擦、接触或感应等方式积累静电荷。

        ② 静电诱导：带电体接近或者接触到另一个导体时，会在该导体上诱导出相反极性的电荷。

        ③ 电荷迁移：由于电位差的存在，电荷通过一个导电通路从一个物体迁移到另一个物体，以达到电位平衡。

        ④ 放电现象：在电荷迁移的过程中，可能会发生电流流过、产生热能、发出光和声等现象。

1.1.3 常见的静电产生方式

1.1.3.1 接触分离

        当两个物体接触时，它们的电子分布可能会发生变化，导致电荷在物体之间的转移。接触分离后，这两个物体就会带有相反的电荷。这个过程包括以下几个关键点：

        ① 接触电位差：两种材料表面相互接触时存在电位差。

        ② 电荷转移：在接触面之间会发生电荷的转移，以抵消接触电位差，直至达到动态平衡。

        ③ 分离后的电荷状态：当两个物体重新分开后，每一个物体都会保留一部分电荷，导致每一个物体都带有净电荷。

1.1.3.2 摩擦起电

        摩擦起电效应（也称为摩擦带电）是一种接触带电，某些材料在与与其接触的不同材料分离后会带电。 将两种材料相互摩擦会增加它们表面之间的接触，使得电子从亲电性较弱的物体转移到亲电性较强的物体上。 例如，用毛皮摩擦玻璃，或用塑料梳子梳理头发，都会产生摩擦电。这个过程可以归纳为以下几个关键点：

        ① 电子转移：在摩擦起电的过程中，一个物体获得额外的电子而带负电，而另一个物体因为失去电子而带正电。

        ② 电量等量性：两个摩擦起电的物体所带的电量在数值上是相等且相反的，这意味着总电荷守恒。

        ③ 物理现象：摩擦起电不仅使物体能够吸引轻小物体，如纸屑或头发，还可能引起静电放电现象，如火花或电流感应。

        

1.1.3.3 感应起电

        当一个带电物体靠近一个导体时，导体内部的自由电荷会在电场力的作用下重新分布，导致导体两端出现等量的正负感应电荷。这个过程可以归纳为以下几个关键点：

        ① 静电场作用：当一个带电体（如带正电的物体）靠近一个中性导体时，它会在导体周围产生一个静电场。这个电场会影响导体内部的电子分布。

        ② 电荷重新分布：在静电场的影响下，导体内部的自由电子会被吸引到带电体的一侧，而相对侧则会留下等量的正电荷，形成感应电荷。

        ③ 感应电荷的产生：由于自由电子向一侧移动，导体的另一侧因此积累了相对的正电荷，这样就在导体的两侧形成了等量但相反性质的电荷。

        在实际应用中，为了消除静电积累，通常会将导体接地。接地可以使得多余的电荷流向大地，从而避免静电放电事件的发生。

1.1.4 影响静电产生的主要因素

        空气相对湿度

        环境中的相对湿度越低，越容易产生静电。下图列举了一些不同行为产生的静电电压大小：

        从上表中可以看出，在湿度相对较高的环境中，静电电压相对较低。原因是当空气湿度增加时，空气中的水分子会吸收和携带电荷。这些水分子可以与物体表面的电荷发生作用，使得正负电荷得以中和，从而减少了物体表面的净电荷量。其次，在湿度较高的环境中，水分子能够吸附在物体表面，形成一个薄薄的水膜。这个水膜可以提供一种导电路径，使得物体表面的电荷更容易通过水分子移动，从而减少了静电的积聚。

        摩擦条件

        物体表面的粗糙程度和摩擦系数的大小会影响静电的产生。表面越粗糙，摩擦系数越大，接触点越多，静电产生的可能性就越大。

        此外，摩擦速度的快慢也会影响带电量的大小。

        接触面积

        接触面积越大，产生的静电量通常也越大。

        压力

        施加在物体上的压力越高，产生的静电量也会随之增加。

        温度

        温度的变化对电阻值有影响，温度越高，电阻值越小，从而影响静电的产生。

1.1.5 静电电击程度

        人体带电电位与静电电击程度之间存在一定的关系，当人体带电电位达到一定水平时，就会产生静电电击感觉，如下表所示：

1.2 ESD的特点及危害

1.2.1 ESD的特点

        高电位

        ESD的电压之所以通常比较大，达到数万甚至数十万伏。当带电体（如人体）与其他物体接触时，静电源上的电荷会通过接触点迅速中和，这个过程中产生的电流可以非常大，导致产生高电压。

        作用时间短

        ESD通常作用时间短，是因为在静电放电过程中，电荷通过一个传导路径迅速中和，这个过程发生得非常快。虽然ESD可能会产生高电压，但由于静电本身的电量有限，因此在整个放电过程中携带的总能量并不大。这导致放电事件虽然电压高，但是持续的时间很短。

        强电场与瞬时大电流

        静电放电时能产生脉冲宽度极短、电流强度极大的瞬时大电流。这种电流的上升时间极快，通常在15ns左右，而衰减时间大约为150ns。这样的快速变化产生了强烈的电磁场，其电场可以达到数千伏每米，磁场则可以达到几十安每米。

        电磁脉冲辐射

        ESD过程会产生强烈的电磁场，这种电磁场的形成是由于初始的大电流脉冲产生的，并且会形成静电放电电磁脉冲，它的电磁能量可能会引起电子系统中敏感部件的损坏、翻转，使某些装置中的易爆品误爆，造成事故。

1.2.2 ESD对产品的危害

        ESD对产品的危害形式主要有两种：接触式静电损害和感应式静电损害。

        接触式静电损害

        当带电的物体与导体接触时，电荷会通过这个导体找到一条路径突然释放掉，这通常发生在高压情况下。这种瞬间的静电释放途径通常是指向接地，在这个过程中，如果导体是敏感的电子设备或微电子器件，那么高压的静电放电可能会对它们造成损害。

        感应式静电损害

        ESD电流产生的场可以直接穿透设备，或通过孔洞。缝隙。通风孔。输入输出电缆等耦合到敏感电路。ESD脉冲所导致的辐射波长从几厘米到数百米，这些辐射能量产生的电磁噪声将损坏电子设备或者骚扰它们的运行。

        高阻抗电路通常意味着电路中的电阻较大，对电流的阻碍作用强，因此在这类电路中，电流信号较小。由于信号以电压电平来表示，电容耦合效应会变得显著。电容耦合是指通过电容传递信号的过程，这在高阻抗电路中尤为突出，因为电容对交流电的阻抗较低。

        低阻抗电路则是指电路中的电阻较小，对电流的阻碍作用弱，因此能够承载较大的电流信号。在这类电路中，信号主要以电流形式存在，电感耦合将成为主要考虑的问题。电感耦合是指通过电感传递信号的过程，这在低阻抗电路中尤为重要，因为电感对交流电的阻抗较高。

1.3 ESD的防护

        在电子产品的设计阶段，考虑ESD防护是非常重要的，主要思路是减少静电的产生和积累，以及有效地引导或耗散已经产生的静电。

1.3.1 使用防静电材料

        使用防静电材料可以显著减少静电的产生，防静电材料设计用于在相互摩擦或分离时产生最少量的电荷。它们通过各种机制实现这一点，例如降低摩擦系数、提高电荷泄漏速度或使用导电成分分散静电。

        防静电材料的种类繁多，包括防静电有机玻璃板、防静电PVC板、防静电PC板和防静电PET板等。这些材料在精密仪器、生物技术等领域有广泛应用。此外，还有抗静电剂和抗静电无机材料，如碳黑、短切导电纤维、导电云母粉等，它们通常被添加到塑料或其他聚合物中以提供防静电特性。

        使用这些材料可以有效减少静电的产生，从而降低了电子设备受到静电放电（ESD）损害的风险。在电子工业、半导体制造、石油工业等领域，防静电材料的应用是至关重要的，因为它们有助于保护敏感元件不受静电影响。

        为了确保防静电材料的有效性，存在一系列的标准和规范，如GB/T 39587-2020《静电防护管理通用要求》，这些标准规定了防静电材料的性能要求和测试方法。

1.3.2 静电接地

        静电接地是为了防止静电积累到危险水平而采取的措施。它通过将静电引导到地面，从而避免静电放电事件的发生。

        为了确保静电有效泄放，建议采用联合接地系统。联合接地系统是一种将建筑物内的各种接地需求整合到一个共用的接地系统中的接地方式。这种系统包括工作接地、保护接地、逻辑接地、屏蔽体接地、防静电接地以及防雷接地等，它们共用一组接地系统。

        这样的设计有以下优点：

        结构优势：联合接地系统的连接体应为网络状分布，最好构成立体网状，这样可以有效地均压和等位，从而减少不同接地点之间的电位差，提高系统的安全性。

        安全性提升：当强大的雷电电流流入大地时，由于所有地线都连接在一起，设备的地电位跟随大地一起升高，这样地与地之间不存在电位差，不会因雷击反击而损坏设备。

        电气保护：联合接地能够降低电气设备绝缘损坏的风险，减少漏电事故的发生，保护人身安全。

1.3.3 温度控制

        温度对ESD防护器件的影响主要体现在其维持电压上。研究表明，随着温度的升高，ESD防护结构的维持电压会降低，这可能会导致在高温环境下器件的闩锁风险增加。因此，在设计ESD防护结构时，需要考虑工作温度范围，并确保在该范围内的维持电压满足抗闩锁性能的要求。

        在实际应用中，如LED照明系统，不仅需要提供有效的ESD保护，还需要考虑过温保护。这是因为LED灯具在长时间运行过程中可能会产生高温，而高温又可能影响ESD保护元件的性能，从而影响整个系统的可靠性。

1.3.4 湿度控制

        湿度控制是ESD（静电放电）防护中的一个重要环节，在低湿度条件下，会增加ESD事件的概率。控制湿度有助于减少静电的积累和放电，从而保护电子器件和半导体设备免受损害。

        在低湿度环境中，空气的导电性降低，导致静电荷难以通过空气中的水分子释放，从而增加了静电积累的可能性。当静电荷积累到一定程度时，一旦发生放电，可能会对电子元件造成严重损害，一般保持至少30%的湿度水平。

1.3.5 ESD防护的设计考虑

        PCB设计优化

        合理布局是提高PCB抗ESD能力的关键，在产品设计时应该充分考虑：

        ① 敏感元件应尽量远离可能产生ESD的区域，如USB接口、按键等。同时，电源和地线应尽量短且宽，以减少电阻和电感，提供稳定的电源供应。

        ② 采用多层板设计，可以提供专门的电源层和地层，这有助于稳定电源供应和降低地电位差。此外，信号层应尽量靠近地层，以减少信号回路面积，降低电磁干扰。

        ③ 对未使用的PCB区域进行铺铜处理，即将这些区域铺满铜并连接到地线上。这不仅可以减小信号回路面积，还可以降低电磁干扰。

        ④ 信号线应尽量短且直，避免长距离走线和急转弯，以减少信号反射和损耗。同时，信号线应避免与其他可能带有高电压的线路并排走线，以减少耦合的可能性。

        ⑥ 对于外接的信号线或电源线，应使用滤波器或隔离器件进行处理，以防止外部噪声进入PCB内部。

        使用保护器件

        在电路设计中使用专门的静电放电保护器件，如TVS二极管（瞬态电压抑制器）、齐纳二极管、压敏电阻和气体放电管等，可以在静电放电发生时提供保护。

        保护器件应该尽可能靠近ESD源头摆放，并且接地脚与主地线之间的连接应尽可能短，以保证低阻抗路径。

二、ESD的三种模型

2.1 人体模型

2.1.1 什么是人体模型

        人体模型（Human Body Model，简称HBM）是用于模拟人体带电状态接触器件时放电的情况。这个模型的设计是基于人体在地上行走、摩擦或其他因素影响下积累了静电的情况。当人体碰触到IC时，静电便会经由IC的脚位而进入IC内，再经由IC放电到接地端。

2.1.2 ESD人体模型等效电路

        依据JESD22-A114，HBM模型的测试等效电路如下图：

        R1 为等效人体电阻，C1 为等效人体电容。DUT(Device Under Test)为被测器件，放置在插座（socket）中。图中S1为充电和放电切换开关，S2用于释放DUT残留电荷，R2（500Ω负载）仅用于初始检测确认此模拟装置是否符合标准要求以及后续进行周期性的系统校调。

        该等效模拟装置的测试电路要求在短路（short）条件下应符合以下脉冲波形指标要求：

        Ip—峰值电流。电流波形中的最大值。

        Ir—振荡电流。电流脉冲波形中第一个波峰与第一个波谷之间的差值IR为最大的振荡电流，应小于短路放电峰值电流Ips的15%

        tr—脉冲上升时间。在短路条件下，脉冲从峰值的10%上升到峰值的90%所需要的时间。

        tf—脉冲衰减时间。脉冲从峰值下降到峰值的36.8%所需要的时间。

        该等效模拟装置的测试电路要求在500Ω负载条件下应符合以下脉冲波形指标要求：

        JESD22-114标准中对不同电压等级的ESD的波形要求如下：

2.1.3 元器件HBM等级测试

        器件的HBM等级测试是一种评估半导体器件在静电放电（ESD）情况下的敏感度和鲁棒性的标准化测试方法。

        测试时会按照特定的电压步长对器件进行分级测试，以确定器件的ESD失效阈值。可以选择更精细的电压步长来获得更准确的测量结果。在每个电压等级上，对每个引脚施加一次正向和一次负向的ESD脉冲。脉冲之间的间隔时间不应小于100ms，以确保器件在连续脉冲之间有足够的恢复时间。如果考虑到器件可能积累损伤，这个间隔时间可以适当加长。通常在每个电压等级上使用3个器件样本进行测试，以增加测试结果的可靠性。ESD测试应在室温条件下进行，以确保环境因素不会影响测试结果。

        芯片ESD测试的引脚组合：

        ① Pin对VDD/VSS测试

        ② Pin对Pin测试

        ③ VDD对VSS测试

        ④ 多VDD对多VSS测试

        ⑤ 运放差分输入引脚间测试

2.1.4 元器件HBM级别

        为了给芯片进行静电敏感度分级（sensitivity classification），所有被测样品必须按照上述模型及测试方法进行测试标定。JESD22-A114将芯片的HBM等级划分如下：

HBM等级	测试说明
CLASS 0	施加250V或以下ESD脉冲，器件发生失效
CLASS 1A	施加250V ESD脉冲时通过，但是施加500V ESD脉冲时器件发生失效
CLASS 1B	施加500V ESD脉冲时通过，但是施加1000V ESD脉冲时器件发生失效
CLASS 1C	施加1000V ESD脉冲时通过，但是施加2000V ESD脉冲时器件发生失效
CLASS 2	施加2000V ESD脉冲时通过，但是施加4000V ESD脉冲时器件发生失效
CLASS 3A	施加4000V ESD脉冲时通过，但是施加8000V ESD脉冲时器件发生失效
CLASS 3B	施加8000V ESD脉冲时通过

2.2 机器模型

2.2.1 什么是机器模型

        机械模型（Machine Model，简称MM）是用于评估集成电路（IC）在受到来自机械设备静电放电时的耐受能力的一种测试模型。这个模型主要模拟的是IC在生产或装配过程中，由于机械设备操作导致的静电放电事件。

2.2.2 机器模型等效电路

        依据JESD22-A115，MM模型的测试等效电路如下图：

        为了模拟这种放电事件，机器模型的等效电路设定了一个特定的电容值，通常为200pF，而等效电阻设为零，因为大多数机器都是由金属制造的，其电阻非常小。

        由于等效电阻很小，机器模型的放电过程非常迅速，通常在几毫微秒到几十毫微秒内发生，并会产生数安培的瞬间放电电流。

         该等效模拟装置的测试电路要求在短路（short）条件下应符合以下脉冲波形指标要求：

        该等效模拟装置的测试电路要求在500Ω负载条件下应符合以下脉冲波形指标要求：

        JESD22-115标准中对不同电压等级的ESD的波形要求如下：

2.2.3 元器件MM等级测试

        元器件的MM等级测试，即机器模型（Machine Model）静电放电测试，是用于评估半导体器件在特定条件下对由机器接触引起的静电放电的耐受性。

        芯片ESD测试的引脚组合：

2.2.4 元器件MM级别

        JESD22-A115将芯片的MM等级划分如下：

MM等级	测试说明
CLASS A	施加200V或以下ESD脉冲，器件发生失效
CLASS B	施加200V ESD脉冲时测试通过，但是施加400V ESD脉冲时器件发生失效
CLASS C	施加400V ESD脉冲时测试通过

2.3 充电器件模型

2.3.1 什么是充电器件模型

        充电器件模型（CDM）是电子行业中用于评估和测试集成电路在特定条件下的静电放电耐受性的一种模型。不同于人体放电模型和机器放电模型，CDM关注的是由IC本身在制造、装配、运输过程中积累的静电荷，当IC的引脚或端子与低电位物体（如地面）接触时，这些静电荷会快速放电，可能导致IC损坏。

2.3.2 充电器件模型等效电路

        CDM模型的测试等效电路如下图：

        CDM等效电路的核心在于模拟IC在制造、组装或运输过程中积累的静电荷，并在接触到地或其他电位较低的物体时发生的快速电荷转移。这种模型特别关注由IC本身引起的静电放电现象，这与人体放电模型（HBM）和机器放电模型（MM）不同，后者分别关注人体和机械手臂对IC的静电影响。

        在CDM模型中，放电电流的上升时间非常短，大约在0.1到0.5纳秒之间，而持续时间约为6到8纳秒。这种快速的放电过程产生的电流峰值可能是HBM下相同ESD应力的十几倍。

        CDM电流波形：

        JESD22-C101标准中对不同电压等级的ESD的波形要求如下：

2.3.3 元器件CDM级别

        JESD22-C101将芯片的CDM等级划分如下：

CDM等级	测试电压
CLASS Ⅰ	＜200V
CLASS Ⅱ	≥200V ~ ＜500V
CLASS Ⅲ	≥500V ~ ＜1000V
CLASS Ⅳ	≥ 1000V