MCU学习笔记_哈佛结构和冯. 诺伊曼结构

本文介绍了微控制器的两种主要存储器结构——哈佛结构和冯·诺伊曼结构。哈佛结构将程序指令和数据存储分开,允许不同宽度的数据;而冯·诺伊曼结构则将程序和数据存储在同一个空间,可能导致传输瓶颈。常见的CPU如8086和一些ARM、MIPS处理器都采用了冯·诺伊曼结构。

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MCU学习笔记

哈佛结构和冯. 诺伊曼结构

1.	哈佛结构
2.	冯. 诺伊曼结构

微控制器(Microcontroller)根据存储器结构可分为哈佛结构(Harvard) 和冯. 诺伊曼(Von Neumann) 结构;

1. 哈佛结构

  • 将程序指令存储和数据存储分开的存储器结构
  • 中央处理器首先到程序指令存储器中读取程序指令内容,解码后得到数据地址,再到相应的数据存储器中读取数据,并进行下一 步的操作( 通常是执行)。
  • 可以使指令和数据有不同的数据宽度

2. 冯. 诺伊曼结构

  • 也称普林斯顿结构,是一种将程序指令存储器和数据存储器并在一起的存储器结构。冯·诺依曼结构的计算机其程序和数据公用一个存储空间
  • 程序指令存储地址和数据存储地址指向同一个存储器的不同物理位置;采用单一的地址及数据总线,
  • 处理器执行指令时,先从储存器中取出指令解码,再取操作数执行运算,即使单条指令也要耗费几个甚至几十个周期,在高速运算时,在传输通道上会出现瓶颈效应。
  • 程序指令和数据的宽度相同。

目前使用冯·诺依曼结构的 CPU 和微控制器有很多。其中包括英特尔公司的8086 及其
他CPU ,ARM 公司的ARM7、MIPS 公司的MIPS 处理器也采用了冯·诺依曼结构。


【注】:个人学习笔记,如有错误,望不吝赐教,这厢有礼了~~~


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