LPDDR4学习笔记（四）

刷新：

命令如下：

同预充电类似，刷新也支持all bank和per bank，通过AB field来指示。

per bank的刷新可以是任何顺序来刷新八个bank，per bank refresh完成对八个bank的刷新之后，controller可以发送另一组刷新命令去刷新bank，可以是和上一次相同的顺序，也可以是和上一次不同的顺序，但是不能对相同的bank发起per bank refresh除非八个bank全部被刷新完成。

ddr刷新是按照行来进行的，ddr内部有一个refresh counter来记录当前刷新行号，同时还有一个bank counter用来记录bank的刷新情况，当所有的bank刷新一次之后，bank counter会清0。

对bank进行刷新之前，bank必须处于idle状态。同预充电tRPab和tRPpb，对于刷新命令也有tRFCab和tRFCpb，表示刷新命令发出至下一个命令需要等待的时间，还有一个额外的时间参数是tpbR2pbR，表示在发送两个REFpb命令（这里当然是指一组REFpb命令内任意两个REFpb命令）之间的时间间隔。下面两个时序图给出了这两个参数：

除此之外，关于刷新最重要的一个时间参数是tREFI，它表示刷新命令的间隔，也就是说同一个bank平均等待tREFI需要进行一次刷新。但是刷新命令是可以提前或者延后的，如果当前bank空闲，可以在一个tREFI中插入八个刷新命令，这个八个刷新命令间隔需要满足tRFC，那么在后续“忙”的时候，就可以延后刷新命令，以支持推迟8个刷新命令为例，那么即最大9×tREFI窗口内可以不进行刷新操作，也就是如下图所示的。因此这里只需要满足9×tREFI滑动窗内至少有两次刷新操作即可。当然，也有一个限制是，在2×tREFI内，最多只能发送16次刷新命令。

这里需要再提一下tRRD，这个参数不仅仅用于激活不同bank的等待间隔，同时也适用于REFpb命令发送后，去激活别的bank，也需要满足tRRD的要求。如下图：

bank刷新率可通过模式寄存器配置，如下图所示：

根据模式寄存器配置option，lpddr4在刷新率为1倍及其以下tREFI时，支持最大8个刷新命令的延迟，并且在2×tREFImax之内最多发送16个刷新命令。同时也支持最大2个和4个刷新命令的延迟，分别对应不同的刷新率。

下图展示了突发读传输之后，需要完成预充电操作，即进入idle状态，才可以发送RFC命令。

对于同一个bank，支持带自动预充电的读命令之后等待tRC发送该bank的刷新命令。（tRC表示同一个bank的激活命令间隔）

自刷新

自刷新不需要外部刷新命令，lpddr4有一个内置timer去容纳自刷新操作，自刷新命令只允许在突发读传输完成和SDRAM在idle状态时。

spec上这个图个人理解是不是画错了，应该是CAS-2命令的第二个上升沿哇~

在self refresh期间，SDRAM可以接受MRR-1, CAS-2, DES, SRX, MPC, MRW-1, MRW-2，但是不可以进行bank masking、segment masking和self refresh中止的设定。同样在SRX（self refresh exit）之后，SDRAM接受的命令规则同上，直至满足tXSR之后，才可以向SDRAM发送其他有效命令。

SDRAM能够在标准温度范围和超过标准温度范围内进行self refresh，并且能够管理功耗，在低温下功耗更低，在高温下功耗更高。

为了self refresh，电源pin脚（VDD1、VDD2、VDDQ）必须要在有效的level，注意在self refresh过程中SDRAM进入power down，VDDQ可能会被关掉，前提是满足tCKELCK。

self refresh mode的使用会带来一个问题，可能会导致sdram内部一个timed的刷新时间被missed，所以在退出self refresh之后，至重新进入下一个self refresh之前，sdram至少需要一次REFab或者八个bank的REFpb命令。注意这个刷新命令不包括在tREFI间隔所需的常规刷新命令的计数中，也不会修改提前或者延迟的刷新命令计数，也不计入2倍tREFI内允许的最大刷新次数。

下图展示了一个self refresh mode从进入到离开的时序图：

在self refresh期间允许SDRAM进入power down。

上图红色框CKE信号的拉低意味着SDRAM此时进入了power down，在满足tCKELCK之后，clk可以停止，VDDQ可以关闭，CS在满足tCKELCS后可以无效。

部分阵列self refresh（PASR）

PASR Bank masking

self refresh操作可以以bank进行mask，当某个bank被mask，那么当进行self refresh时，该bank不会进行刷新操作，那么这样数据的维持将不能保证；

PASR Segment masking

部分mask机制，以×16mode，共8192行，模式寄存器17共8个bit，最低bit为1表示第一个1024行块的范围被mask，次低位为1表示第二个1024行块的范围被mask，依次类推，注意每个bit对应一个1024行的范围，相互之间互不影响。此外还需要注意3Gb、6Gb、12Gb，模式寄存器[7:6]必须为0。

下图是模式寄存器16、17的信息：

下图给出了bank masking和segment masking联合使用：

SR Abort

暂时还不理解这个操作。

下图是一些刷新期间的命令时序：

tMRD是两个MRS命令之间的最小延迟，实际上MRS和non-MRS命令之间的最小间隔是tMOD。