元件基础知识——电容

一、作用

1、高速电路电容作用

(1)电荷缓冲地

高速电路设计中,电源负载动态变化,高速运动器件的电流和功耗不断变化。为保证器件电压尽量稳定,需要电容作为缓冲器,保证器件工作电压相对稳定。当外部环境变化使驱动器工作电压增加或减小变化,电容通过积累和释放电荷得以吸收变化,从而保证工作电压稳定。

(2)高频噪音释放通道

当频率较高时,电容表现阻抗较低,可作为高频噪声释放通道。

(3)实现交流耦合

当两个器件通过高速信号互连时,信号两端的器件可能对直流分量有不同要求,需要将信号所携带发送端的直流分量在到达接收端前进行滤除。基于电容通交隔直的特性,可用于交流耦合。

(4)交流耦合电容容值选择

在交流耦合中,电容串联在线路中,阻抗为1/jwc,容值越小,对低频信号表现阻抗越大,使得低频信号损耗严重。交流耦合电容容值Cmin(单位uF)格式:C_{min}=7.8*NUM*T_{c}/R

NUM为最大容许比特位数目,Tc为每比特位数据周期,R为负载阻抗(一般去50Ω)。交流耦合电容容值一般选择0.1uF

二、种类

1.陶瓷电容:以高介电常数、低损耗的陶瓷材料为介质,体积小,字体电感小。

2.云母电容:以云母片作介质的电容器。性能优良,高稳定,高精密。

3.纸质电容:纸介电容的电极用铝箔或锡箔做成,绝缘介质是浸蜡的纸,相叠后卷成圆柱体,外包防潮物质,有时外壳采用密封的铁壳以提高防潮性。价格低,容量大。

4.薄膜电容:用聚苯乙烯、聚四氟乙烯或涤纶等有机膜代替纸介做成的各种电容器。体积小,但损耗大,不稳定。

5.电解电容:以铝、担、锯、钛等金属氧化膜作介质的电容器。容量大,稳定性差。(使用时应注意极性)

三、主要性能指标

1.标称容量

电容器产品标出的容量值,常用容量值:pF、nF、uF。

2.精度

电容常见精度有:J(±5%)、K(±10%)、M(±20%)、Z(-20%~+80%),对于小于1pF-10pF的电容,常用精度C(±0.25pF)、D(±0.5pF)。

3.工作温度范围

当加电时,各性能指标在技术限定范围内,使用电容器时,一定要考虑工作温度范围是否满足要求,还要考虑存储温度范围参数。陶瓷电容有X7R、X5R和Y5V三种类型,陶瓷电容选择还需考虑温度对电容有效值得影响来选择电容类型。

4.额定电压

在规定条件下,可以连续施加在电容器上最大直流电压,或最大交流有效值,或脉冲电压峰值。电容器额定电压主要区分是指直流还是交流,一般情况下是指直流,但是薄膜电容有时指交流。直流额定电压通常有一个数字和一个字母组成。数字表示10的几次幂,字母表示基数。常用字母表示基数:A:1、B:1.25、C:1.6、D:2、E:2.5、F:3.15、G:4、H:5、J:6.3、K:8

举例:

0J=10*0*6.3=6.3V;2A=10*2*1=100V

5.最大耐冲击电压、浪涌电压、介质耐电强度

电容器短时间内能够承受最大电压,超过这个数值电容器可能会失效。电解电容一般参考浪涌电压这个数值,无极性电容一般参考介质耐压强度。

6.纹波电流

纹波电流:流入电容器的交流电流。纹波电流使电容发热,过大的纹波电流会缩减电容负载寿命。

7.等效串联电阻、等效串联电感、自谐振频率、损耗因数

8、ESL分量

ESL值取决于电容类型和封装。高数电路中,选择ESL值小的贴片电容,随着封装增大,ESL值随之增大。

使用两个0612封装滤波电容,一个靠近CPU的VCC_PLL引脚位置,滤除外界多CPU引脚的干扰;一个放置在VCC_PLL信号线上(PCB上加粗)远离CPU引脚位置,消除CPU引脚对外界的影响。

四、电路应用

1.大电容并联小电容

大电容高频特性差。小电容低频特性差。为了使高、低频信号都能很好通过,采用大电容并联小电容的方式。电源滤波电路中,一般采用大容量电解电容与小容量瓷片电容并联,以实现对低频和高频都有较好的滤波效果。

2.旁路

旁路电容用来解决稳压器无法适应系统中高速器件引起的负载变化, 以确保电源输出的稳定性及良好的瞬态响应。旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件,它能使稳压器的输出均匀化, 降低负载需求。  为尽量减少阻抗,旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。 这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。
3.去耦
采用 电容 退耦是解决电源噪声问题的主要方法。这种方法对提高瞬态电流的响应速度,降
低电源分配系统的阻抗都非常有效。  而在数字电路中,一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地(这电容叫做去耦电容,当然也可以理解为电源滤波电容。它越靠近芯片的位置越好),因为在这些地方的信号主要是高频信号,使用较小的电容滤波就可以了。
旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。

4.串联等效电阻(ESR)

稳压器(特别是线性稳压器 LDO )的不稳定,所以必须合理选择小容量和大容 量电容的容值。稳压器就是一个放大器,放大器可能出现的各种情况 ,它都会出现由于 DC/DC 转换器的响应速度相对较慢,输出去耦电容在负载阶跃的初始 阶段起主导的作用,因此需要额外大容量的电容来减缓相对于 DC/DC 转换器的快速转换,同时用高频电容减缓相对于大电容的快速变换。
封装
0402
0603080512061210
ESL nH
0.40.50.610.9
ESR (欧姆)
0.06
0.098
0.0790.120.12
                                                              
在电路板上会放置一些大的电容,通常是坦电容或电解电容。这类电容有很低的 ESL ,但是 ESR 很高,因此 Q 值很低,具有很宽的有效频率范围,非常适合板级电源滤波。

5.电源输入端的 X,Y 安全电容

在交流电源输入端,一般需要增加三个电容来抑制 EMI 传导干扰,交流电源的输入一般可分为三根线:火线(L)/零线(N)/地线(G)。在火线和地线之间及在零线和地线之间并接的电容,一般称之为 Y 电容。Y 电容的总容量一般都不能超过 4700pF。Y 电容为安全电容,必须取得安全检测机构的认证。Y 电容的耐压一般都标有安全认证标志和 AC250V 或 AC275V 字样,但其真正的直流耐压高达 5000V 以上。

在火线和零线抑制之间并联的电容,一般称之为 X 电容。X 电容的容值允许比 Y 电容大,但必须在 X 电容的两端并联一个安全电阻,用于防止电源线拔插时,由于该电容的充放电过程而致电源线插头长时间带电。X 电容也是安全电容,必须取得安全检测机构的认证。X 电容的耐压一般都标有安全认证标志和 AC250V 或 AC275V 字样,但其真正的直流耐压高达 2000V 以上。

Y、X电容一般选择纹波电流较大的聚酯薄膜类电容,这类电容体积一般很大,但语序瞬间充放电的电流很大,其内阻较小。

6.滤波

接在直流电源的正、负极之间,以滤除直流电源中不需要的交流成分,使直流电变平滑。一般采用大容量的电解电容器或钽电容,也可以在电路中同时并接其他类型的小容量电容以滤除高频交流电。
 

五、滤波电容选择

随着频率升高,首先电容分量起主导作用,是阻抗逐渐减小,器件表现电容特性,滤波效果增强,在谐振点上,电容阻抗最小,等于ESR分量;随着频率增加,ESR起到主导作用,阻抗逐渐增加,电容表现电感特性,滤波效果减弱。当噪声频率落在谐振点附近时,滤波效果最好。电容容值C和ESL越小,谐振频率越高,越适用于高频滤波。

在实际电路中,噪声干扰占据一段频率,可以利用不同电容容值和不同封装构成一个较宽的低阻态频段。不同封装的电容并联可以增加频段宽度

当若干相同电容并联一起为电源滤波,一方面是为了去耦电容储能作用,另一方面为了降低谐振点上阻抗,次作法没有展宽低阻态频段

1、钽电容滤波选择(钽电容不适用于较大瞬变电流场景,如热插拔

场景:噪声频段100kHz-5MHz,电源1.8V,功耗0.9W,要求电源电压波动不超过5%。

方法:噪声频段100kHz-5MHz,初步选择钽电容和陶瓷电容配合滤波,钽电容滤除低频段噪声,陶瓷电容滤除高频频段。

(1)最大电流为0.9W/1.8V=0.5A,假设电流波动△I不超过最大电流的50%,取△I为0.25A

(2)电源的动态阻抗Z=△V/△I=(1.8V*/5%)/0.25A=0.36Ω

(3)低频段:选择钽电容ESL分量很小,可以忽略,因此阻抗主要有ESR和容值C构成,Z_{cap}=\left [ \left ( ESR \right )^{2}+\left ( \frac{1}{\omega*C } \right )^{2} \right ]^{0.5} = \left [ ESR +\frac{1}{j\omega C}\right ]

有某公司钽电容数据手册,22uF电容在100kHz时,其ESR最大值为0.6Ω,Z_{cap}=\left [ 0.36+1/\left ( 2*3.14*100*10^{3}*22*10*10^{-6} \right )^{2} \right ]^{0.5}=0.604\Omega

(4)要求滤波电容阻抗小于动态阻抗Z,因此采用两片22uF电容并联,并联后阻抗为0.302Ω,小于动态阻抗。

(5)综上,本场景使用两片22uF电容和1uF陶瓷电容并联,陶瓷电容选择0402封装,X5R类型,1uF。

2、陶瓷滤波电容选择

电容充电格式:C=\frac{I_{out}}{\Delta V\times F}

\Delta V为纹波/电压变化量(工程纹波一般为输入电压的3%-8%)

\Delta V=V_{in}*5%

F为周期

I_{out}为输出电流

电容耐压值为输入电压V_{in}的1.5倍

例子:假设纹波\Delta V0.9V,频率F为50KHz;输出电流I_{out}为100mA。

C=\frac{I_{out}}{\Delta V\times F}=\frac{0.1A}{0.9V\times 50\times 10^{3}}=2.1\times 10^{-6}F=2.1uF

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