元件基础知识——电容_电容额定电压-CSDN博客

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文章详细介绍了高速电路中电容的作用，包括电荷缓冲、高频噪音释放、交流耦合等，并列举了不同类型的电容，如陶瓷、云母、电解等的特性和应用场景。此外，还讨论了电容的主要性能指标，如标称容量、精度、工作温度范围等，并提供了滤波电容的选择方法和实例。

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一、作用

1、高速电路电容作用

（1）电荷缓冲地/储能

高速电路设计中，电源负载动态变化，高速运动器件的电流和功耗不断变化。为保证器件电压尽量稳定，需要电容作为缓冲器，保证器件工作电压相对稳定。当外部环境变化使驱动器工作电压增加或减小变化，电容通过积累和释放电荷得以吸收变化，从而保证工作电压稳定。

（2）高频噪音释放通道

当频率较高时，电容表现阻抗较低，可作为高频噪声释放通道。

（3）实现交流耦合

当两个器件通过高速信号互连时，信号两端的器件可能对直流分量有不同要求，需要将信号所携带发送端的直流分量在到达接收端前进行滤除。基于电容通交隔直的特性，可用于交流耦合。

（4）交流耦合电容容值选择

在交流耦合中，电容串联在线路中，阻抗为1/jwc，容值越小，对低频信号表现阻抗越大，使得低频信号损耗严重。交流耦合电容容值Cmin（单位uF）格式： $C_{min}=7.8*NUM*T_{c}/R$

NUM为最大容许比特位数目，Tc为每比特位数据周期，R为负载阻抗(一般去50Ω)。交流耦合电容容值一般选择0.1uF

（5）旁路

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。

（6）去耦

去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。

（7）耦合

晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生了耦合的元件。

二、种类

1、陶瓷电容
陶瓷电容(ceramic capacitor) 是以陶瓷为介质的电容器的统称，又称为陶瓷介质电容和瓷介电容。

这种电容结构简单、电容量较宽;
陶瓷电容的种类繁多，外形尺寸相差很大:
按材料介质主要分为一类陶瓷电容和二类陶瓷电容:
不同材料的陶瓷介质，其温度特性有极大的差异;
优点:耐高压、绝缘性好、性能稳定:
缺点:容量小;

陶瓷电容分类

（1）一类温度补偿型NPO介质

NPO又名COG，电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
（2）二类介电常数型X7R介质
X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直流、耦合、旁路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。

（3）二类半导体型X5R介质

X5R具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。

2、坦电容
钽电容用金属钜经过阳极氧化的氧化物作为介质的一种电解电容，钽电容分类液钜电容和固钜电容:直插式钜电容和贴片钜电容。坦电容应用包括智能手机、平板电脑和超薄笔记本电脑以及无线卡、网络设备、音频放大器和前置放大器的去翘、平波、滤波和能量存储应用，(热插拔应用场合不适合使用钜电容)。

温度性能好;
ESL小，几乎为零;
体积小;
ESR比同额定电压的铝电解电容小;
价格高;
耐电压能力差，高温降额使用;
耐电流能力差；
应用于电源滤波、低频旁路和信号耦合。

聚合物坦电容，高分子电容，它是将坦电容或铝电解电容的负极材料换成高导电性的高分子聚合物。大部分聚合物电容的阳极是烧结钮，仅少部分的阳极为铝箔，所以常用的是POSCAP钜电容器。

容值大；
RES极小；
更耐压，不需要降额使用。

坦电解电容属于电解电容的一种，使用金属银做介质，不像普通电解电容那样使用电解液因此适合在高温下工作，是电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品，在电源滤波交流旁路等用途上少有竞争对手。

ESR比钜聚合物电容大;
耐电压能力差，高温降额使用;耐电流能力差；

3、铝电解电容
电解电容是一种金属通过阳极氧化形成良好绝缘的致密氧化膜作为介质的电容。金属有铝、钜、锯。因此，电解电容分为铝电解电容、钜电解电容等。

容量大、体积大;
频率特性差，在高频率下等效容量很小;
漏电流比较大;
ESL大、ESR大;
在极高温和极低温下，性能极不稳定；
应用于电源滤波、低频旁路和信号耦合；

三、主要性能指标

(1) 容量和误差

实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。在选型上注意精度等级，用字母表示: D--±0.5%，F--±1%，G--±2%，J--±5%，K-±10%，M--±20%。

(2)额定工作电压

在规定条件下，可以连续施加在电容器上最大直流电压，或最大交流有效值，或脉冲电压峰值。电容器额定电压主要区分是指直流还是交流，一般情况下是指直流，但是薄膜电容有时指交流。直流额定电压通常有一个数字和一个字母组成。数字表示10的几次幂，字母表示基数。常用字母表示基数：A：1、B：1.25、C：1.6、D：2、E：2.5、F：3.15、G：4、H：5、J：6.3、K：8

举例：

0J=10*0*6.3=6.3V；2A=10*2*1=100V

(3)绝缘电阻

表示漏电大小，一般绝缘电阻越大越好，漏电也小电解电容的绝缘电阻一般较小。

电容漏电流：对电容施加额定直流工作电压会观察到充电电流的变化开始变大，随着时间而下降，到某终值时达到稳定状态这一终值称之为电容漏电流。

（4）损耗角正切值 Tan δ

在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。在电容器的等效电路中，串联等效电阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比称之为 Tan δ，这里的 ESR 是在 120Hz 下计算获得的值。Tan δ 随着测量频率的增加而变大，随测量温度的下降而增大。

(5)频率特性

电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。

（6）工作温度范围

当加电时，各性能指标在技术限定范围内，使用电容器时，一定要考虑工作温度范围是否满足要求，还要考虑存储温度范围参数。陶瓷电容有X7R、X5R和Y5V三种类型，陶瓷电容选择还需考虑温度对电容有效值得影响来选择电容类型。

(7)等效串联电阻(ESR)

损耗较大产品的ESR较大;随着容量的增大，产品的ESR将变小;钜电容的ESR特别小。

（8）等效串联电感（ESL）

ESL值取决于电容类型和封装。高数电路中，选择ESL值小的贴片电容，随着封装增大，ESL值随之增大。

使用两个0612封装滤波电容，一个靠近CPU的VCC_PLL引脚位置，滤除外界多CPU引脚的干扰；一个放置在VCC_PLL信号线上（PCB上加粗）远离CPU引脚位置，消除CPU引脚对外界的影响。

（9）纹波电流

纹波电流：流入电容器的交流电流。纹波电流使电容发热，过大的纹波电流会缩减电容负载寿命。当纹波电流增大的时候，即使在 ESR 保持不变的情况下，涟波电压也会成倍提高。换言之，当纹波电压增大时，纹波电流也随之增大，加入纹波电流后，由于电容内部的等效串连电阻（ESR）引起发热，从而影响到电容器的使用寿命。一般的，纹波电流与频率成正比，因此低频时纹波电流也比较低。

四、电路应用

1.大电容并联小电容

大电容高频特性差。小电容低频特性差。为了使高、低频信号都能很好通过，采用大电容并联小电容的方式。在电源滤波电路中，一般采用大容量电解电容与小容量瓷片电容并联，以实现对低频和高频都有较好的滤波效果。

2.旁路

旁路电容用来解决稳压器无法适应系统中高速器件引起的负载变化，以确保电源输出的稳定性及良好的瞬态响应。旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。

3.去耦

采用电容退耦是解决电源噪声问题的主要方法。这种方法对提高瞬态电流的响应速度，降

低电源分配系统的阻抗都非常有效。而在数字电路中，一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地（这电容叫做去耦电容，当然也可以理解为电源滤波电容。它越靠近芯片的位置越好），因为在这些地方的信号主要是高频信号，使用较小的电容滤波就可以了。

旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。

4.串联等效电阻（ESR）

稳压器（特别是线性稳压器 LDO ）的不稳定，所以必须合理选择小容量和大容量电容的容值。稳压器就是一个放大器，放大器可能出现的各种情况，它都会出现由于 DC/DC 转换器的响应速度相对较慢，输出去耦电容在负载阶跃的初始阶段起主导的作用，因此需要额外大容量的电容来减缓相对于 DC/DC 转换器的快速转换，同时用高频电容减缓相对于大电容的快速变换。

封装	0402	0603	0805	1206	1210
ESL （ nH ）	0.4	0.5	0.6	1	0.9
ESR （欧姆）	0.06	0.098	0.079	0.12	0.12

在电路板上会放置一些大的电容，通常是坦电容或电解电容。这类电容有很低的 ESL ，但是 ESR 很高，因此 Q 值很低，具有很宽的有效频率范围，非常适合板级电源滤波。

5.电源输入端的 X,Y 安全电容

在交流电源输入端，一般需要增加三个电容来抑制 EMI 传导干扰，交流电源的输入一般可分为三根线：火线（L）/零线（N）/地线（G）。在火线和地线之间及在零线和地线之间并接的电容，一般称之为 Y 电容。Y 电容的总容量一般都不能超过 4700pF。Y 电容为安全电容，必须取得安全检测机构的认证。Y 电容的耐压一般都标有安全认证标志和 AC250V 或 AC275V 字样，但其真正的直流耐压高达 5000V 以上。

在火线和零线抑制之间并联的电容，一般称之为 X 电容。X 电容的容值允许比 Y 电容大，但必须在 X 电容的两端并联一个安全电阻，用于防止电源线拔插时，由于该电容的充放电过程而致电源线插头长时间带电。X 电容也是安全电容，必须取得安全检测机构的认证。X 电容的耐压一般都标有安全认证标志和 AC250V 或 AC275V 字样，但其真正的直流耐压高达 2000V 以上。

Y、X电容一般选择纹波电流较大的聚酯薄膜类电容，这类电容体积一般很大，但语序瞬间充放电的电流很大，其内阻较小。

6.滤波

接在直流电源的正、负极之间，以滤除直流电源中不需要的交流成分，使直流电变平滑。一般采用大容量的电解电容器或钽电容，也可以在电路中同时并接其他类型的小容量电容以滤除高频交流电。

7、开机防浪涌电路

上电瞬间对地短接，当充满电后，电压维持正常，上电瞬间后防止浪涌作用，尖峰电源充电，使得电源平缓。开机瞬间，电容电压Vc为0V，起充浪涌电流等于（Vcc-Vc）/R==12V/120R=100mA；当电容电压Vc充电为5V时，浪涌电流等于（Vcc-Vc）/R==（12V-5V）/120R=59mA；当电容充满电时Vc等于12V，浪涌电流等于0mA。

8、RC电路中电容充满电所需时间

时间常数 $\tau =R\times C$

例如下图仿真，R=1KΩ，C=1uF，那么τ=R*C=1ms。

1个时间常数1ms的时间，电容电压充到63%，前半段电容的充电电流还是很大的，此时反推回去。1τ下的充电电流为0.37*V1/R1。绿色的为电容的充电电流曲线，红色的为电容的充电电压曲线。

2个时间常数2ms的时间，电容电压充到86%

3个时间常数3ms的时间，电容电压充到95%

4个时间常数4ms的时间，电容电压充到98%

所以可以认为3个时间常数电容就基本充满了（95%），而且在上电瞬间，电容等效为短路，此时电流最大，等效为V1/R1。随着时间的增加，电容上的电压越来越高，充电电流越来越小，t趋向于无穷的时候，电流趋向于0。

五、滤波电容选择

随着频率升高，首先电容分量起主导作用，是阻抗逐渐减小，器件表现电容特性，滤波效果增强，在谐振点上，电容阻抗最小，等于ESR分量；随着频率增加，ESR起到主导作用，阻抗逐渐增加，电容表现电感特性，滤波效果减弱。当噪声频率落在谐振点附近时，滤波效果最好。电容容值C和ESL越小，谐振频率越高，越适用于高频滤波。