显示模组Power IC EOS发热损坏

这个案例的特殊之处是Power IC EOS过压发热损坏导致LCM背光不亮黑屏，Power IC采用的是天钰FP7721,当Power IC输出电压超出7V（Power IC规格书VCI=3V最大输出电压为6V）时就会有概率烧毁Power IC（过压的时间长短烧毁的概率不同）。

导致Power IC的VSP/VSN输出电压超出6V的原因：LCM的驱动IC 9365DA-H3的POR上电复位电路在检测到VCI低电压时会进入Sleep IN状态，在Sleep IN状态下驱动IC内部会导致VSP与VGH短接，使VSP的电压抬高至VGH的电压超出了Power IC的输出电压从而使Power IC FP7721过载发热毁坏。

经过尖峰电压抑制对比验证：

①调整LCM驱动IC JD9365DA-H3的Page 4 R09H寄存器的值为0x60时可以加速放电降低尖峰电压。②加大VSP/VSN(AVDD/AVEE)对GND电容至4.7uf/10V

③降低VCI对GND电容，加快放电时间至1uf/6V

④PIN对PIN替换Power IC FP7721为维安WD9006B（一般驱动IC厂家配备的Power IC性价比都极低且术业有专攻都不承认自己的Power IC性能差），Way-on这颗Power IC的外围电容大小配置更合理过载能力也更强。
⑤接收到客户量产流程单后要求客户提供工程版整机确认上下电时序、进退睡眠时序、帧率以及上下电时Power IC输出电压波形峰值有无超出Power IC规格书输出范围

这种Power IC烧毁的现象除了Power IC自身过载能力差之外，发生EOS损坏的概率与VCI频繁上下电有关，上下电VCI次数越多且显示模组尺寸越大Power IC烧毁的概率越大，其他项目的VSP/VSN和VCI的对GND电容建议都需调整规避这种隐患并修订各项目的原理图。