无源晶振匹配电容计算方法

皮尔斯晶振电路，就长下面这个样子：

                             

 而晶体Q的等效电路如下：

                         

[Q1:有些晶体两端必须要并联一个1M的电阻，为什么？

个人理解：其实这个1M就是图中的RF,有些mcu已经将其做到了封装内部，而有些则没有做，所以外部要求我们单独加。所以，设计时候一定要预留这个工位，以便不时之需。] 

     来看一下匹配电容的计算，帮助我们更好地设计MCU的晶振电路：

RF ：MCU内部反馈电阻。

：内部的反相器，作为放大器来用。

Q: 晶振/晶体。

CS: 杂散电容。

CL1,CL2：匹配电容，我们需要计算的，目的是为了使晶体两端的等效电容等于或接近负载电容。公式如下：

                                                     

 CL:晶体的负载电容，芯片的数据手册一般会给出。负载电容是指晶体的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联谐振，也就是晶振的低负载电容晶振；另一个为并联谐振，也就是晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一致，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。

 

上面公式中的一些参数都可以在晶体的规格书中找到，如下是三款晶体的部分参数截图：

其中，我们看到如下三个晶体的参数中都有个C0,这是并联电容，也就是我文章开头给出的晶体等效电路中的C0。在计算的时候，把C0当做杂散电容CS即可，这是十分重要的参数，否则匹配电容是计算不准的。

 

 

      而下面的参数就是要求的匹配电容取值范围，只要在这个区间，基本都会起振。具体取值，则需要根据公式计算。