G2021/LM5109— SOP-8 250V 1.5A 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

01 产品特性

★ 最高工作电压为+250V

★ dVS/dt耐受能力可达±80V/ns

★ Vs负偏压能力达-10V

★ 栅极驱动电压从6V到20V

★ 防直通死区逻辑

–死区时间设定200ns

★ 芯片传输延时特性

–开通/关断传输延时Ton/Toff=150ns/140ns

–延迟匹配时间50ns

★ 宽温度范围-40°C~125°C

★ 输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A

★ 符合RoSH标准SOIC8(S)

G2021是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

G2021采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可

以单芯片集成，

逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

G2021其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。

G2021采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作

G2021可替代 LM5109

02 应用范围

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

微型逆变器驱动