半导体学习汇总一

漏极和源极的沟道是有源区，其他地方为非有源区（绝缘）

p型衬底—硅上做p掺杂

p、n外延层—起保护作用

为什么做n阱—要在同一p型衬底上做nmos管（用p衬底来做）和pmos管（在p衬底上构造n阱）

差分放大器—将两个相同的单级放大器通过源耦合到一起

MOSFET管：金属氧化物—半导体场效应晶体管英文缩写，有四端：S  G  D  SUB

天线效应：芯片产生过程中，暴露的金属线或多晶硅等导体，就像是一根根天线，若这片导体碰巧只接了mos的栅，那么高电压就很可能把薄栅氧化层击穿，使电路失效。

DRC:design rule check

LVS:layout versus schematic 版图和电路图一致性比较

版图layout：是集成电路设计者将设计并模拟优化后的电路转化为一系列的几何图形，包括集成电路尺寸大小，各层拓扑定义等有关器件的所有物理信息（高性能，低功耗、低成本）

集成电路设计规则：
最小宽度、最小间距、最小包围、最小延伸

LDO:low_drpoout regulator低压差线性稳压器

virtuoso背景为p_sub，无需画衬底，n管做在p_sub上，p管做在nwell中，nwell的作用是让pn结反偏。