silvaco例子库学习—mos1ex02

mos1ex02相比于第一个例子，主要进行了mos的输出特性仿真，工艺结构是一样的，所以就只简单讨论一下atlas特性仿真的部分。

go atlas
#进入特性仿真
# define the Gate workfunction 定义栅极接触类型,mos栅接触——欧姆接触
contact name=gate n.poly

# Define the Gate Qss
interface qf=3e10

# Use the cvt mobility model for MOS 选择要使用的模型
models cvt srh print numcarr=2 
#numcarr=2 加入空穴和电子两种载流子
method climit=1e-4 maxtrap=10
#method，仿真时数值计算的方法，主要的方法有：newton、gummel、block。
#maxtrap=10，maxtrap-在出现发散时重复陷阱过程的次数，设置范围1-10，默认值4，步长折回的次数。
#climit-浓度归一化因子，表示数值分析中的误差测量，默认值1e4；

# set gate biases with Vds=0.0
#在Vds=0，改变栅压的大小，转移特性曲线 
solve init
solve vgate=1.1 outf=solve_tmp1 
solve vgate=2.2 outf=solve_tmp2 
solve vgate=3.3 outf=solve_tmp3 

#load in temporary files and ramp Vds
load infile=solve_tmp1
log outf=mos1ex02_1.log
solve name=drain vdrain=0 vfinal=3.3 vstep=0.3 
#漏极电压扫描；Vgs不变时，改变Vds，输出特性曲线
load infile=solve_tmp2
log outf=mos1ex02_2.log
solve name=drain vdrain=0 vfinal=3.3 vstep=0.3
  
load infile=solve_tmp3
log outf=mos1ex02_3.log
solve name=drain vdrain=0 vfinal=3.3 vstep=0.3

# extract max current and saturation slope  
#提取最大的电流和饱和斜率
extract name="nidsmax" max(i."drain")
extract name="sat_slope" slope(minslope(curve(v."drain",i."drain")))

tonyplot -overlay mos1ex02_1.log  mos1ex02_2.log mos1ex02_3.log -set mos1ex02_1.set

quit