等效电路法详解

晶体管电路分析的复杂性在于其特性的非线性，如果能在一定条件下将特性线性化，即用线性电路来描述其非线性特性，建立线性模型，就可应用线性电路的分析方法来分析晶体管电路。

针对应用场合的不同和所分析问题的不同，同一只晶体管有不同的等效模型。

一.晶体管的直流模型及静态工作点的估算法

在对三种放大电路进行静态分析时，分别得出静态工作点的表达式。

当将b-e间电压UBEQ取一个固定数值时，也就是认为b-e间等效为直流恒压源，说明已将晶体管输入特性折线化，如图a所示。式中集电极电流ICQ=βIBQ，说明ICQ仅决定于IBQ而与静态管压降UCEQ无关，即输出特性曲线是横轴的平行线，如图b所示，所以晶体管的直流模型如图c所示。(图c中的理想二极管限定了电流方向)

注意：

晶体管的直流模型是晶体管在静态时工作在放大状态的模型，它的使用条件是：UBE>Uon且UCE>UBE，并认为直流β等于交流β

二.晶体管共射h参数等效模型

1.h参数等效模型的由来

若将晶体管看成一个双口网络，并以b-e作为输入端口，以c-e作为输出端口，如图a所示，则网络外部的端电压和电流关系就是晶体管的输入特性和输出特性，如图b和图c所示，可以写出下列关系式：
uBE=f(iB，uCE)

iC=f(iB，uCE)

式中uBE，iB，uCE，iC均为各电量的瞬时总量，可以对式子两边求全微分

由于duBE代表uBE的变化部分，可以用Ube的向量形式取代；同理diB可以用Ib的向量形式取代，diC可以用Ic的向量形式取代，duCE可以用Ice的向量形式取代，根据电路原理网络分析知识，可以从上述全微分中得到h参数方程

式子解析：

电压Ube由两部分组成，第一项表示由Ib产生一个电压，因而h11e为一电阻；第二项表示Uce产生一个电压，因而h12e量纲为一(无量纲)，所以b-e间等效成一个电阻与一个电压控制的电压源串联

电流Ic也由两部分组成，第一项表示由Ib控制产生一个电流，因而h21e量纲为一(无量纲)；第二项表示由Uce产生一个电流，因而h22e为一电导，所以c-e间等效成一个电流控制的电流源与一个电阻并联

2.h参数的物理意义

研究h参数与晶体管特性曲线的关系，可以进一步理解它们的物理意义和求解方法

(1)h11e是当uCE=UCEQ时uBE对iB的偏导数。从输入特性上看，就是在uCE=UCEQ那条输入特性曲线在Q点处切线斜率的倒数。小信号作用时，h11e=αuBE/αiB≈△uBE/△iB，如图a所示。

因此h11e表示小信号作用下b-e间的动态电阻，常记作rbe。Q点愈高，输入特性曲线愈陡，h11e的值也就愈小。

(2)h12e是当iB=IBQ时uBE对uCE的偏导数 。从输入特性上看，就是在iB=iBQ的情况下uCE对uBE的影响，可以用△uBE/△iB求出h12e的近似值，如图b所示。

因此h12e表示晶体管输出回路电压uCE对输入回路电压uBE的影响，故称之为内反馈系数。当c-e间电压足够大时，如UCE>=1V，△uBE/△uCE的值很小，多小于10-2。

(3)h21e是当uCE=UCEQ时iC对iB的偏导数 。从输出特性上看，当小信号作用时，h21e=αiC/αiB≈△iC/△iB，如图c所示。

因此h21e表示晶体管在Q点附近的电流方法系数β。

(4)h22e是当iB=IBQ时iC对uCE的偏导数 。从输出特性上看，h22e是在iB=IBQ的那条输出特性曲线上Q点处导数，如图d所示。

因此h22e表示输出特性曲线上翘的程度，可以利用△iC/△uCE得到其近似值。由于大多数管子工作在放大区时曲线均几乎平行于横轴，所以其值常小于10-5S。常称1/h22e为c-e间动态电阻rce，其值在几百千欧以上。

3.简化的h参数等效模型

由以上分析可知，在输入回路，内反馈系数h12e很小，即内反馈很弱，近似分析中可以忽略不计，故晶体管的输入回路可近似等效为只有一个动态电阻rbe(h11e)，在输出回路，h22e很小，即rce很大，说明在近似分析中该支路的电流可以忽略不计，故晶体管的输出回路可以近似等效为只有一个受控电流源IC的向量形式，IC=βIB，因此，简化的h参数等效模型如图所示

注意，如果晶体管输出回路所接负载电阻RL与rce可比，如rce<10RL，则在电路分析中应当考虑r的影响

4.r的近似表达式

在简化的h参数等效模型中，可以通过实测得到工作在Q点下的β，并可以通过以下分析所得的近似表达式来计算r的数值

从图a所示的晶体管的结构示意图中可以看出，b-e间电阻由基区体电阻rbb'，发射结电阻rb'e'和发射区体电阻re三部分组成。rbb'和re仅与杂质浓度及制造工艺有关，由于基区很薄且多子浓度很低，rbb'数值较大，对于小功率管，多在几十欧到几百欧。

由于发射区多数载流子浓度很高，re数值很小，只有几欧，与rbb'和rb'e相比可以忽略不计。因此，晶体管输入回路的等效电路如图b所示。流过rbb'的电流为Ib的向量形式，而流过rb'e的电流为Ie的向量形式，所以有上图所列式子

根据PN结电流方程的分析可知，发射结的总电流iE=IS(eu/UT-1)(u为发射结所加总电压)

因而

由于发射结处于正向偏置，u大于开启电压，而常温下UT≈26mV，因此可以认为iE=ISeu/UT，代入上式可得1/rb'e≈(1/UT)*iE

当用以Q点为切点的切线取代Q点附近的曲线时1/rb'e≈(1/UT)*IEQ

根据rbe的定义rbe=Ube/Ib≈Ubb'+Ub'e/Ib=Ubb'/Ib+Ub'e/Ib=rbb'+Ierb'e/Ib

代入上式，该式可化为rbe=rbb'+(1+β)UT/IEQ，该式进一步表明，Q点愈高，IEQ愈大，rbe愈小

h参数等效模型用于研究动态参数，它的四个参数都是在Q点处求偏导数得到的。因此，只有在信号比较小，且工作在线性度比较好的区域内，分析计算的结果误差才最小。而且，由于h参数等效模型没有考虑结电容的作用，只适用低频信号的情况，故也称为晶体管的低频小信号模型。

三.共射放大电路动态参数的分析

利用h参数等效模型可以求解放大电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。在放大电路的交流通路中，用h参数等效模型取代晶体管便可以得到放大电路的交流等效电路。基本共射放大电路的交流等效电路如图a所示

1.电压放大倍数Au

根据电压放大倍数的定义，利用晶体管Ib对Ic的控制关系，可得Ui=Ib(Rb+rbe)，Uo=-IcRb=-βIbRc

因此电压放大倍数的表达式为Au=Uo/Ui=-βRc/Rb+rbe

2.输入电阻Ri

Ri是从放大电路输入端看进去的等效电阻。因为输入电流有效值Ii=Ib，输入电压有效值Ui=Ib(Rb+rbe)

因此输入电阻的表达式为Ri=Ui/Ii=Rb+rbe

3.输出电阻Ro

根据诺顿定理将放大电路输出回路进行等效变换，使之称为一个有内阻的电压源，如图b所示，可得Ri=Rb

对电子电路输出电阻进行分析时，还可令信号源电压Us=0，但保留其内阻Rs，之后在输出端加一正弦波测试信号，必然会产生动态电流Io，则Ro=Uo/Io

如图a所示，所加信号Ui为恒压源，内阻为0.当Ui=0时，Ib=0，当然Ic=0

因此输出电阻的表达式为Ro=Uo/Io=Uo/(Uo/Rc)

注意，虽然利用h参数等效模型分析的是动态参数，但是由于rbe与Q点紧密相关，因而使动态参数与Q点紧密相关，对放大电路的分析应遵循先静态后动态的原则，只有Q点合适，动态分析才有意义。

以上方法称为等效电路法，也称为微变等效电路法。