25v低压直流电磁炉原理图设计_sy8401应用电路-CSDN博客

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原理简介

电磁炉是利用涡流进行加热的，只需要给感应线圈通入高频交流电，产生交变磁场，就能在金属锅具上产生感应电流，利用感应电流的电流热效应，就可以加热锅内的食物。

所以制作电磁炉的本质，就是制作一个高频逆变器。

方案选择

ZVS电路分为无抽头ZVS和有抽头ZVS两种，它们有简单的电路结构和较高的效率，很多感应加热装置是由这个方案改造的，但是这个电路还有许多不足，比如有时会起振失败，输出功率不能自由调节，开关管损耗较大，电压应力较高等缺点。

另外一种方案是单管并联谐振，是目前市面上绝大多数电磁炉所采用的方案，需要使用比较器和微控制器，在开关管电压刚好下降到零时使其导通，这种方案开关管需要承受更高的电压应力，而且在低功率加热时，只能采用间歇加热的方式，这显然还不够好，

其他更优方案——全桥逆变电路，我们可以通过控制两个半桥臂的占空比，在零到最大功率的范围内，自由的调节它的加热功率，虽然它需要采用更多的开关管，但更加好。

问：

产生的VHEAT是直流电

改进：

DIO和CLK要加上拉和下拉电阻，否则容易下载失败

ESP串口输入输出部分有问题

电容换成额定电压为50v，C42和C43

电源输入端口改成圆口的

原理图设计
H-bridge（H桥）

用于控制加热线圈的电流方向，从而控制产生磁场的方向。H桥可以通过改变电流流向，使线圈的磁场快速翻转，为电磁加热提供动力。

这部分是感应加热的核心部分，全桥逆变电路，由单片机产生两个互补的PWM信号，通过EG2104驱动两个场效应管半桥。

Q1到Q4晶体管用于控制加热线圈的电流方向，从而控制产生的磁场和加热效果。当Q1和Q4导通时，电流从Q1流向加热线圈，然后通过Q4流回。当Q2和Q3导通时，电流方向相反，从Q2流向加热线圈，然后通过Q3流回。通过快速交替切换这两对晶体管的导通状态，可以控制加热线圈中电流的方向，产生交变磁场，以加热炊具。这种切换通常由PWM（脉冲宽度调制）信号控制，以调节加热功率。

C1-C3谐振电容与加热线圈一起构成LC串联谐振电路。它们的作用是在感应线圈中产生高频的交变电流，这是电磁炉加热原理的核心。在谐振条件下，电容器放电时会向电感器传递能量，使电感器中的电流增加，而当电感器放电时则会向电容器传递能量，充电电容器。如果电路的阻抗很低，这种能量交换可以非常高效，使得电路中的电流和电压达到极大值，尽管外部供电的电源电压相对较小。

C4的作用是作为旁路或去耦电容，它被连接在电源线上。其主要功能是过滤掉电源线上的高频噪声，防止这些噪声影响电路的其他部分。

P1和P2就是加热线圈的两个接线端子

谐振电容采用电磁炉的1200v的MKPH电容，和加热线圈构成了LC串联谐振电路

Heat boost

用于提供加热过程中的功率增强功能，以快速达到所需温度。

这部分是同步整流BOOST电路，可以把输入的电压升高，为全桥逆变电路供电，以获得更高的加热频率。

滤波电容C39（10uf）用于滤除高频噪声，有效去除由IC开关或其他快速变化的电流引起的高频噪声。滤波电解电容C44（1000uf）用于滤除低频噪声，能够有效地平滑低频的电压波动。当大容值和小容值电容并联时，它们可以共同工作，提供更宽的滤波频带。大容量电容提供良好的低频响应，而小容量电容提供良好的高频响应。

电感L1和电容C39,C44一起形成了LC滤波器。由于输入的是直流电，所以它允许低频信号通过同时阻止或衰减高频信号。此外，提供储能，当功率开关（如Q7, Q8）关闭时，电感L1会储存能量。这是因为开关关闭时，电流会流经电感，产生能量存储在磁场中。当开关打开时，电感L1会将储存的能量释放出来。这时，电感和滤波电容一起作用，平滑了电压和电流的波动，减少了输出电压的纹波。

R10和R12用于限流。

- EG2104是专门用于驱动MOS管的栅极的IC
  - IN为0时，对应LO高电平，此时推动Q8的驱动，当IN为1时，对应HO高电平，此时推动Q7的驱动。
  - SD为使能端，当为1时才能让IN端口控制输出，
  - VB用来为IC内部的高侧驱动电路提供电源，VS为低侧驱动电路提供电源。

可以从下图2发现，VB和VS用于驱动HO输出的场效应管，VCC和GND用于驱动LO输出的场效应管。

- - 如下图，VB直接接电源高电平，然后通过电容与VS相连

CPU通过输出控制信号PWM和EN控制驱动芯片EG2104，来控制场效应管Q7和Q8，输出直流电信号VHEAT。VHEAT为H bridge部分的晶体管提供电压输入，通过加热线圈产生变化磁场来加热电磁炉上的锅具（在H bridge电路中）。

半桥电路

VBAT用于给副电源电路供电，来产生+9v的直流电信号。

R23是康铜丝电阻，只有5m欧的电阻值，用于电流检测，电流流经R23将产生一个很小的压降。这个压降可以用于示波器检测来读取，也可以送往CPU的电流检测引脚。配合电压取样电路及时调控PWM的脉宽，使输出功率保持稳定。判断锅具是否合适：若电流过小，再判断PWM是否最大，两者都满足则为无锅。

C40是高频滤波电容，即在高频率下吸收可能干扰电流检测的噪声。C42用于稳定R23两端电压，特别是在大电流脉冲时。

- PGND 和GND的作用：

1. 控制电流回路:

PGND专用于承载大电流，如驱动电机的电流或其他大功率组件的电流。GND则用于承载控制电路中的电流，如微处理器、传感器和其他低功率电子设备的电流。这样做可以避免大电流造成的电压降影响到信号电路的性能。

1. 减少噪声耦合

在高频或高电流电路中，电流通过导线和PCB走线会产生电压降和电磁干扰。通过分开信号地（GND）和功率地（PGND），可以减少功率开关产生的噪声对信号电路的影响。

1. 改善电磁兼容性（EMC）:
2. 热管理:

在功率电路中，PGND可能连接到散热器或其他热管理解决方案，以帮助分散因大电流而产生的热量。（在PCB中，我们确实通过大面积铺铜，加上散热片）

Key, buzzer, fan, led

这些是按键、指示灯、蜂鸣器和散热风扇的电路，

MCU LMPS（微控制单元低功耗模式）

微控制单元（MCU）的局部模块电源供应，为MCU提供稳定的电压。

线性稳压器AMS1117，为单片机和外围电路提供3.3v电源。

C19和C23：输入和输出旁路电容，用于滤波。

C23-29：这些都是去耦电容，用于进一步滤除高频噪声。

D8 (二极管)：保护稳压器免受反向电压损害。

Auxiliary SMPS（辅助开关电源）

开关模式电源（SMPS）是一种高效的电源，通常用于将主电源（如家用交流电）转换为电磁炉电路所需的直流电压。

这里采用SY8401开关稳压器，将输入的电压降低到9v，为场效应管驱动电路和AMS1117供电。

U8 (SY8401ABC)：这是一个开关稳压器IC，负责将输入电压转换成稳定的输出电压。

当EN引脚被置高时，芯片启动，输入电压通过内MOSFET交替接通和断开，通过LX引脚传递到电感器。电感器和输出电容一起工作，提供稳定的降压输出。FB引脚监控输出，保证输出电压稳定。BST引脚用于辅助开关节点的驱动。所以，SY8401ABC确实是一个降压转换芯片。

Current Amplifier（电流放大器）

电流放大器用于增强通过检测线圈的电流。这在控制加热过程中至关重要，确保电流保持在安全和预期的水平。

这部分是电流检测放大器，它可以将电流采用电阻两端的电压放大五十倍，通过单片机的ADC功能，就可以测量计算出BOOST电路的输出电流。

U5 (INA180A2)：这是一款电流检测放大器，用于放大电路中流过R5的电流产生的电压降。

R5和R6是采样电阻，用于检测流过它们的电流。R5 是测量电阻，电流通过它时产生的电压降被U5放大；R6 用于设置放大器的增益。

C7 和 C11 (1μF 电容)：这些电容用于滤波，去除信号的高频噪声，稳定放大器的输入。C11的作用是作为去耦电容，用于稳定INA180A2电流检测放大器的输入。

GD32F103 MCU

单片机采用的是国产GD32单片机，它可以完全兼容STM32。

PB0和PB1将ADC引脚连接至电容并接地通常是为了对模拟信号进行去耦和滤波。电容能够过滤掉信号中的高频噪声，保证ADC读取到的是稳定和干净的模拟信号。

Peak voltage sampling（峰值电压采样）

峰值电压采样电路用于监测电磁炉中电压的最高点，这对于保护电路和确保安全操作非常重要,这对于防止电路过载非常重要。。

这是峰值电压采用电路，可以测量加热线圈的峰值电压。

D7 (FR107)：二极管，用于确保只有正向的峰值电压可以到达采样点。

C30, C31 (10nF电容)：与R28一起形成RC网络，用于存储峰值电压，并且滤除噪音。

R19 (1MΩ电阻)：限制到采样点的电流，防止影响电路其他部分。

Temperature sensor（温度传感器）

用于监测电磁炉或锅具的温度，确保烹饪过程中的温度控制。

因为要做恒温控制，因此温度测量是必不可少的，温度测量我采用的是K型热电偶，这个电路的功能就是把热电偶非常微弱的热电动势放大500倍，方便单片机测量。

U_TEMP检测温度变化并转换成电阻变化，这个电阻变化转换成电压变化，然后由AD8605放大并输出到微控制器进行读取。

U11 (AD8605)：这是一个精密运算放大器，用于放大传感器信号。

C46 (1μF), C45 (22uF), C47 (10nF), C48 (10nF)：这些电容用于去耦和滤波，稳定运算放大器的供电并去除噪声。

R24 (20Ω), R25 (100Ω), R15 (4.7kΩ), R26 (10kΩ)：这些电阻用于设置运算放大器的增益和为传感器提供适当的偏置。

ESP-01S

WiFi模块，用于将电磁炉连接到网络，实现智能控制或远程监控。

这是ESP的插座，方便后续接入智能家居

Voltage sensor

监测电磁炉的工作电压，保证电磁炉在正确的电压下工作。

电压采样电路用于测量输入电压和全桥逆变器的电源电压。

R20和R30形成电压分压，降低和测量VHEAT和VBAT电压。

C49, C50 (10nF电容)：去耦电容，用于滤除电压信号中的高频噪声，稳定分压器的输出。

OLED

最后是一块0.96寸的OLED显示屏，

STM32和GD32：

STM32F103xxxx的主频是72MHZ，而GD32F103xxxx的主频达到了108MHZ，这就意味着执行单周期指令时，GD32F103xxxx比STM32F103xxxx执行速度更快。

GD32F103xxxx的最大Flash容量为3Mbyte，最大SRAM容量是96Kb，而STM32F103xxxx的最大Flash为512Kbyte，最大SRAM容量为64Kbye，大的不只一点点呐！属实上小母牛坐火箭------牛批上天了

成本

这部分同样很重要，笔者从事的是仪器仪表行业，排在第一的产品速度和精度，产品成本排在第二位，但是如果IC的价格和性能一样高的话，还是会做出其他选择的，所以这里进行对比：

可以看到，立创商城里，STM32F103ZET6单片的价格达到了221元/片，而GD32F103ZET6的单片价格只有区区的36元/片，这对比也太明显了吧！而对于我这种对性价比要求高（穷）的人来说，我便是

GD32虽然和STM32很类似，在价格上也是对STM32建立起了巨大的优势，但是在产品生态，以及市场占有率方面，依然有明显的劣势，确实GD32等一系列国产MCU在性能以及稳定性上，相对于ST，TI,NXP这些老牌半导体，有着不少缺陷，并且在开发方式和软硬件内部结构上，有着一定的差异，但依然希望大家可以多给国产MCU一些机会，产品性能的提升也是建立在大量用户反馈的前提下的，华为事件犹在眼前，后续我会持续更新这个系列，向大家介绍GD32系列的各个内部功能和外设的用法，注意事项和技巧，替大家踩坑，同时也要注意到，在当前的国际环境下，国产MCU的大规模应用，已经是一个趋势，所以希望能够和大家一起学习和讨论！

方案比较

您提供了两张电磁炉加热电路的电路图，一张是市面上常用的加热电路（单管并联谐振），另一张是您个人设计的基于全桥逆变电路的加热电路。下面是对这两种电路的分析：

### 常用加热电路（单管并联谐振）

**优点**:

1. 结构简单：由于使用了单管并联，所以电路较为简单，便于维护和理解。

2. 成本较低：元件数量较少，减少了成本。

3. 可靠性较高：简单的电路通常意味着更少的故障点。

**缺点**:

1. 效率较低：单管并联谐振电路的效率通常不如全桥逆变电路。

2. 功率调控范围有限：对于输出功率的调节可能不如全桥逆变电路灵活。

### 基于全桥逆变电路的加热电路

**优点**:

1. 高效率：全桥逆变电路可以实现更高的工作效率，因为它能够更好地匹配负载和电源。

2. 功率调控灵活：全桥电路可以提供更宽广的功率调控范围，适应不同的加热需求。

3. 波形控制：全桥逆变器可以通过调整PWM信号来改变输出波形，从而优化加热过程。

**缺点**:

1. 结构复杂：全桥逆变电路比单管并联谐振电路复杂，可能需要更多的维护。

2. 成本较高：需要更多的功率元件，如MOSFET或IGBT，以及更复杂的驱动和控制电路，成本相对较高。

3. 设计要求高：为了确保电路稳定运行，全桥逆变电路的设计和布局要求更高，对设计师的要求也更高。

### 总结

市面上常用的加热电路因其简单和成本效益而广泛使用，适合标准的应用和大规模生产。而全桥逆变电路则提供了更优的性能，尤其在效率和功率调控方面，但代价是更高的成本和复杂性。如果您的设计要求高效率和灵活的功率调控，那么全桥逆变电路是一个更好的选择。然而，如果成本是一个主要考虑因素，且对效率的要求不是非常高，那么单管并联谐振电路可能更适合。