TVS(Transient Voltage Suppressor)二极管,又称为瞬态抑制二极管,是普遍使用的一种新型高效电路保护器件,它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时,TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗,以吸收一个瞬间大电流,把它的两端电压箝制在一个预定的数值上,从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。
TVS是用来端口防护的,防止端口瞬间的电压冲击造成后级电路的损坏。有单向与双向之分,单向TVS一般应用于直流供电电路,双向TVS应用于交流供电电路。
1:工作原理
直流电路中单向TVS反向并联于电路中,当电路正常工作时,TVS 处于截止状态(高阻态),不影响电路正常工作。当电路出现异常过电压并达到TVS(雪崩)击穿电压时,TVS迅速由高电阻状态突变为低电阻状态,泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地,同时把异常过电压钳制在较低的水平,从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。当异常过电压消失后,TVS 阻值又恢复为高阻态。
2:主要参数
a: Vrwm截止电压:(TVS管不导通的最高电压)
在Vrwm下,认为TVS是不工作的,即是不导通的。要求Vrwm要大于工作电压,否则工作电压大于Vrwm会导致TVS反向漏电流增大,接近导通,或者雪崩击穿,影响正常电路工作。通常选取截止电压为工作电压的1.1~1.2倍。
b: IR漏电流
漏电流,也称待机电流。对于同功率和同电压的 TVS,在 VRWM ≤10V时,双向 TVS 漏电流是单向TVS 漏电流的2倍。漏电流主要带来了功率的损耗,或者是在模拟信号中,会影响AD信号的采样值,所以TVS的漏电流越小越好。
c: VBR击穿电压: (TVS管开始发生雪崩击穿的临界电压)
击穿电压,指在 V-I 特性曲线上,在规定的脉冲直流电流IT或接近发生雪崩的电流条件下测得 TVS 两端的电压。
通常情况下,Vrwm的数值小于Vbr
d: IPP峰值脉冲电流,VC钳位电压
IPP及VC是衡量TVS在电路保护中抵抗浪涌脉冲电流及限制电压能力的参数。对于同型号TVS,在相同IPP下的VC越小,说明 TVS 的钳位特性越好。
TVS 钳位电压应小于后级被保护电路最大可承受的瞬态安全电压,VC与TVS的雪崩击穿电压及IPP都成正比。TVS的最大箝位电压Vc不能大于被防护电路可以承受的最大电压Vmax,否则会对电路造成损坏。
e: 结电容CI
结电容是TVS中的寄生电容,在高速IO端口保护需要重点关注,过大的结电容可能会影响信号的质量。所以漏电流越小越好。
(上图为双向TVS管的参数)
(作用后,波形如上图)
3:TVS和ESD区别
TVS管
1:TVS管保护是靠击穿,击穿后相当于短路,一般承受电流能力大。
2:TVS管主要是防雷击浪涌,特点是吸收能量大,反应速度较慢。3:结电容大:几十pF
ESD管
1:ESD是电容放电加嵌位,过流能力不强。
2:ESD主要是防静电,特点是吸收能量小,但反应速度快。3: 结电容小:不到1pF
且ESD电容比较小,一般1--3.5PF,而TVS基本会到几十pF,所以ESD器件可以用在高速信号处防静电。
TVS主要用在电源处,防浪涌
相同点:
两者都是齐纳二极管,通过雪崩效应来发挥作用
(ESD和TVS的应用区别,完全可以根据上面的功能区别来区分)
由下图ESD的参数表可以看到,ESD的结电容非常小。只有不到1pF.
4:应用总结
TVS:适合防浪涌场景(比如:电源连接器端)
ESD:适合防静电场景(比如:信号连接器端)