IGBT工作原理：【图文讲解】

大家都知道三极管，MOS管、、IGBT的标准定义，但是很少有人详细地、系统地从这句话抽丝剥茧，一层一层地分析为什么定义里说IGBT是由BJT和MOS组成的，它们之间有什么区别和联系，在应用的时候，什么时候能选择IGBT、什么时候选择BJT、什么时候又选择MOSFET管。这些问题其实并非很难，你跟着我看下去，就能窥见其区别及联系。

1：三极管工作原理

三极管的结构是给一块纯硅进行三层掺杂，其中较窄区域高浓度N型掺杂，含有大量自由电子，中间极窄区域普通浓度P型掺杂，含有少数空穴，右边较宽区域普通浓度N型掺杂，含有正常数量的电子，中间会形成两道耗尽层给CE通电。右边的正极会吸引电子离开，中间的耗尽层会增宽，由于P区非常薄，再加上上边是普通浓度掺杂，所以宽度增加有限，但是现在新的电子还无法通过，再给BE通电，新的电子同性相斥，会突破第一层耗尽层实现导通，其中导通过程是每离开一个电子形成空穴，就会扩散涌入大量电子抢占空穴，其中一颗进入空穴，由于第二层耗尽层宽度有限，剩以β倍的电子向右的力会大于第二层耗尽层的电场力，那么就会漂移扩散进入集电极，再被正极吸引。

电流的方向和电子相反，也就是流入基极的电流。集电极等于基极电流的β倍，最终汇总发射极等于基极+集电极。其中集电极到发射机之间的导通电阻很小，假设通过一个非常大的电流100A，那么CE之间的功耗会比较小，但是设定β是100，也就是需要1A的电流通过BE，BE之间有0.4～0.7V左右的压降，在实际应用中一直保持1A的电流输出，发热功耗会非常严重，所以三极管总功耗反而会很大。

由上我们可以看出三极管的优缺点：

缺点：控制功耗大

优点：导通功耗低

2：Mos管工作原理

以NPN型为例，两边是高浓度N型掺杂，底部P型掺杂除了正电空穴，还会带有少数负电的自由电子，中间会有耗尽层上面黄色是绝缘层，蓝色是金属基板，底部蓝色区域也有一块金属衬底和P区贴在一起。

当给栅极G施加电压，两块基板之间形成电场，会吸引自由电子向上。当电压达到一定值时，中间形成的自由电子铺满形成沟道，此时沟道与N区相连。当给S和D通电，电子就能通过实现导通。

 正极吸引电子离开，负极填充空穴，会使右边耗尽层增大，随着电流越大耗尽层会影响导通，所以导通的电阻值较大。假设还是用100A的电流，DS之间导通功耗也不小，所以MOS管的优点是栅极控制功耗很低。

 由上我们可以看出MOS的优缺点：

缺点：导通功耗大

优点：控制功耗低

3：IGBT工作原理

上面我们聊到了，三极管和MOS管的工作原理，也清楚了它们的优缺点，那么能否中和它们的优缺点点？把两者的优势结合到一起呢，这就是IGBT啦。

IGBT是将高浓度N型掺杂放在中间，再包围P型掺杂（其中含有少数自由电子），底部是多层掺杂，顶部基板是源极S，底部基板是漏极D，加上电源，现在PN结增大无法直接导通，下一步在两侧P区和N区的交汇处，加上绝缘层和金属基板，这就是栅极。

 当施加电压形成电场会吸引电子移动形成沟道，此时中心N区和外部N区相连，那么源极电子可以进入，沟道最终导通通过。其中控制功耗很低，同时导通大电流时功耗也很低。

4：IGBT电路符号

5：总结

三极管：优点是导通电阻小功耗低，缺点是电流控制功耗大

MOS管：导通电阻比较高功耗大，但优点是电压控制功耗低

IGBT：则是两者优点的结合：导通电阻小，电压控制功耗低。