二极管工作原理：【图文讲解】

目录

1：PN结

2：二极管正偏

3：二极管反偏

---

二极管：十分常见的一个电子元器件，大家也都知道二极管的工作特性：正偏导通，反偏截至，极端情况就是存在反向击穿。

那为什么，二极管存在这样的特性呢，今天我们来好好聊一聊。

1：PN结

二极管本质上就是一个PN结。

本征半导体：

是指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体， 典型的本征半导体有硅 (Si)、锗 (Ge)及砷化镓 (GaAs)等

硅（Si）原子的原子核周围带有14个电子，最外层轨道带有4个电子，连接方式是原子核相互共用电子对，原子核周围排列8个电子。一般来说，本征半导体相邻原子间存在稳固的共价键，导电能力并不强。但是共价键中的电子并不像绝缘体中的电子结合的那样紧，由于能量激发（如光照、温度变化），一些电子就能挣脱原有的束缚而成为自由电子（导电能力会大大增强，利用这种特性可制造热敏电阻、光敏电阻等器件）。在单晶硅中，我们发现每个自由电子的出现都会伴随出现一个空穴，也就是说自由电子数量和空穴数量是一样的，这样的半导体我们称为本征半导体。

本征半导体的导电机理：

价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，Si成为自由电子（带负电）,同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。这一现象称为本征激发。温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）

P型半导体：

在本征半导体中加入少量三价元素（硼元素），使得该半导体形成大量空穴，即空穴型半导体。所以P型半导体中空穴为多子，电子为少子。（多子即多数载流子）

N型半导体：

在本征半导体中加入少量五价元素（磷元素），使得半导体形成大量电子，即电子型半导体。 N型半导体的多子为电子，少子为空穴

 PN结就是由以上所说的两类半导体组成，如下图所示：

分子会由浓度高的地方向浓度低的地方扩散。
P区半导体内部的空穴在浓度差的作用下往N区扩散；N区半导体内部的电子往P区扩散。在PN结中间会形成内建电场与浓度差打成平手。

半导体中的载流子的有两种运动：

扩散运动和漂移运动

扩散运动是指在电中性的半导体中，载流子从浓度高的区域向浓度低区域的运动；

漂移运动是指在电场作用下，载流子有规则的定向运动。

扩散的结果是空间电荷变宽，内电场越强，漂移越强，而漂移是空间电荷区变薄。扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间的电荷区厚度固定不变，空间电荷区称为PN结。此时，它是不导电的，当我们加上电压之后....请看下方的解说

PN结中内电场方向是从N指向P。
电子的受力方向是和电场的方向相反的。电场方向是从N指向P区的，所以电子的受力方向是从P区指向N区的，N区的自由电子即使进入电场，也会被弹回来到N区。

2：二极管正偏

（“+”和“-”就分别代表正负离子了）

原理：在外电场的推动下，P区的多子“空穴”开始向N区移动，与“负离子”中和；N区的多子“自由电子”向P区移动，与“正离子”中和，导致这内电场里的电荷都被中和掉了，那自然内电场电势下降。

外加电场增大时，内电场减弱，正向电流也增大，正常导通时，从P端向N端看去，是有压降的，就是没加电场时的内电场电压。而且外电场电压稍微变化一点，正向电流都会有显著的变化，可见正偏时，PN结的可以看做是一个很小的电阻，再加上已知的恒定电压压降。

3：二极管反偏

外加反偏电场，不同的在于，P、N区的多子都远离内电场的电荷区，导致，负离子、正离子都变多了，宽度也变大了。

少子漂移比多子扩散强，此时PN结内电流变成了漂移电流为主导，我们称“反向电流”。因为少子是“本征激发”，电子很少，因而电流很弱，更何况，少子浓度是受温度影响的，温度不变，电压再怎么增大，反向电流有也几乎不变。

可见，反向时，PN结就是一个很大的电阻，基本上就是截止的。