【基本MOS逻辑单元学习（MOS传输门一）】

学习目标：

在学习过MOS基本逻辑单元反相器后，进一步对单沟道MOS传输门进行学习，其中，包含增强型NMOS管构成的单沟道传输门，以及增强型PMOS管构成的单沟道传输门。

学习内容：

1.单沟道MOS传输门

• 1.NMOS管单沟道传输门
  

  传输高电平情况：当控制信号为“1”时，NMOS管导通，设此时传输高电平，假设左边为高电平，右边为低电平，那么此时高电平位为漏极，低电平位为源极，NMOS管可以工作，源极电位开始上升，当上升到VDD-Vth时，到达临界点，再上升，NMOS管将截止，由是，NMOS管单沟道传输门存在阈值损失，NMOS传输门对高电平的传输特性较差。

  NMOS传输门的高电平传输可等效于E/E饱和负载反相器的上升过程。

  

  传输低电平情况：当栅极电位为“1”，左边为“0”，右边为“1”，按照极性，左边为源极，右边为漏极1，MOS管处于漏负载状态，导通时，电容通过N管向地放电，栅源电压恒为VDD，所以NMOS管始终导通，不存在提前截止现象，无阈值损失。

  在放电过程中，NMOS管将经历饱和区与非饱和区，且因为电容电压的减小，放电速度越来越慢。
  根据电容公式C=dVc/dt=ic，t=∫（C/ic）dVc。
  将整个时间分为饱和阶段与非饱和阶段，所以有，从t1=（C/饱和电流）从VCC到VCC-Vt阶段的积分（饱和阶段），t2=（C/非饱和电流）从VCC-Vt到0阶段的积分（非饱和阶段），t=t1+t2。

  
  

  2.PMOS单沟道传输门
  与NMOS单沟道传输门类似，不过当栅极为低电位时有效，设此时传输的是高电平，左边为高，右边为低（可以理解为左边接VDD，右边接地），根据PMOS管的性质，此时左边为源极，右边为漏极，源极电容经过PMOS管对漏极电容进行充电，过程中，栅源电压始终为-VDD，最终漏极电位将与源极电位一致，达到VDD。
  传输低电平时，设左边为低，右边为高，此时源极在右边，漏极在左边，源极通过负载电容进行放电，当源极电位达到Vth时，达到PMOS管导通临界点，由是，传输低电平时，PMOS管存在阈值损失，PMOS传输门对低的电平的传输特性较差。

  单沟道传输门存在以下特点：共用负载；输入管并联为“与”，串联为“或”；可利用单管传输门。

2.CMOS传输门
得益于PMOS、NMOS分别的特性，将两者进行并联，构成CMOS传输门。

这是一对互补MOS管，源和漏相互连接，构成输入端和输出端；PMOS管的衬底接电源VDD，NMOS管的衬底接地电位；两只管子的栅极分别接互补控制两端电压，一个处于高电平时，另一个处于低电平。
当VC=1时，两管都导通，传输门处于导通状态，输入端的信号可以传到输出端；当VC=0时，两管都截止，传输门处于截止状态，输入端的信号不能传到输出端。
传输高电平时，与单沟道MOS管传输原理一样，不过当一管截止时，另一管继续导通，不可实现充分传输，并且两者为并联，传输电阻减小，因此传输速度较快。
低电平传输与高电平类似，均无截止现象。

特点：充分传输，不会提前截止，无阈值损失；并联构成，导通电阻较小，电容充放电速度快，电路速度快。