【基本MOS逻辑单元学习（MOS反相器二）】

学习目标：

对前一篇内容进行补充，学习了解一下E/D MOS反相器、CMOS反相器；并且对一些参数指标比如开/关门电压、抗干扰能力、特性传输曲线进行了解。

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学习内容：

1.E/D MOS反相器

为了避免阈值损失，将耗尽型NMOS管作为负载，以此构成了E/D MOS反相器。
若维持栅漏短接，则存在导通能力过强的问题，于是将负载管改为栅源短接。
以此虽然避免了阈值损失，但是TD始终导通，输出低电平时，依旧为有比电路，
在上升时间，TD向寄生电容C充电为恒流充电。

E/D MOS管特点：消除了阈值损失，VOH=VDD；上升过程为恒流充电，速度快；尽管仍为有比电路，但集成度高；抗干扰能力强；功耗大

2. CMOS 反相器
   CMOS即为互补MOS，优点在于：功耗极低（没有静态功耗）、抗干扰能力强、工作电源电压范围大、工作温度范围宽等
   
   当Vi=“0”：NMOS截止，PMOS导通，VO=VOH=VDD
   当Vi=“1”：PMOS截止，NMOS导通，VO=VOL=GND,且与K因子无关。

特点：直流功耗为0；逻辑摆幅大；无衬底效应，将衬底进行PN结反偏，NMOS、PMOS将自动隔离。

动态功耗：分为两个部分，第一，对寄生电容的充放电产生功耗，P1=CVDD²f。
第二，电平转换引入的附加功耗，在NMOS、PMOS同时导通时，出现电流通道，当Vi=转折电压时，电流最大Idm，附加功耗为P2=VDDIdmf(t2-t1)，（t1、t2分别对应于Vi=Vtn与Vi=VDD+Vtp两点）
总功耗为P1+P2。

下面，将对E/E饱和负载反相器、E/D MOS反相器、CMOS反相器进行电压传输特性曲线分析
1.E/E饱和负载反相器
当Vi从0增大时，输入管截止，负载管处于饱和状态，Vo输出为高电平。
负载管只要导通，必定饱和，其导通临界线为（VDD-Vo=Vtl >> Vo=VDD-Vtl，当Vo<VDD-Vtl时，负载管导通）。
由于Vi逐渐增大，所以输入管存在导通临界线（Vi=Vti）和饱和临界线(Vo=Vi-Vtl，当Vo>Vi-Vtl时，饱和导通).
如图：
图中可大致分为三个区域：
1：负载管临界导通，输入管截止：此时输入低电平，输出高电平，并且有Vo=VDD-Vtl(Vo=“VGS-Vth”)，存在阈值损失。
2：负载管饱和导通，输入管饱和导通，此时根据电流相等，列出电流方程Kl(VDD-Vo-Vtl)²=Ki(Vi-Vti)²，传输特性为一条直线，斜率取决于K因子。
3：负载管饱和导通，输入管非饱和导通，此时传输特性为曲线。

2.E/D MOS反相器
Vi从0增大，输入管截止，列出负载管的饱和条件(VDD-Vosat>0-Vtd,即Vosat<VDD+Vtd,负载管为耗尽型，所以Vosat<VDD)，但是此时Vo=VDD，负载管处于非饱和导通状态；
由于Vi逐渐增大，所以输入管存在导通临界线（Vi=Vti）和饱和临界线(Vo=Vi-Vtl，当Vo>Vi-Vtl时，饱和导通).

以此分为四个区域：
1：负载管非饱和导通，输入管截止：Vo=VDD，无阈值电压损失。
2：负载管非饱和导通，输入管饱和导通：Vo非线性下降。
3：负载管饱和导通，输入管饱和导通：根据电流等式，可得出Vi为定值（称为转折电平），此时为一条垂直的直线。
4：负载管饱和导通，输入管非饱和导通：Vo非线性下降至低电平

3.CMOS反相器
总有一端截止，且P管临界饱和线为（Vo=Vi+Vtp）,P管临界导通线为（Vi=VDD+Vtp）。
N管同上。

分析… …