PMOS——用于电源开关浅析

前言:

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1. 简介

在网上查了一些关于 PMOS 和 NMOS 哪个更适合用于电源开关这种场合,大部分都是从工艺,导通电阻 Rds 来解释,但随着半导体工艺的进步,现今的 PMOS 与 NMOS 之间差距已经不大了,从 SOT-23 的封装来看,两者的大小也是差不多的。个人觉得,PMOS 用于电源开关更多是为了方便控制。

2. 应用

2.1 上电控制:

软件控制系统上电、下电、不同模式之间切换,一般通过控制 NMOS 进而 PMOS 开关;

在这里插入图片描述此种设计方式也可以用于多种模式之间的切换,通过不同模式来操作 NMOS ,一路 NMOS 的开关决定了一个模式,从而打开 PMOS 。

电源开关选择 PMOS (上图Q1) 的原因:因为 PMOS 是 Vgs < 0 时,D、S 之间导通,而 PMOS 的源极 (S) 经常接着是要通过的电压,比如电池的 3.7V~4.2V,这样只需栅极 (G) 的电压一定范围小于源极的电压,PMOS 就可以导通,经常使用如上图,通过一个 NMOS 下拉到地,打开 PMOS。而如果采用 NMOS 作为电压的开关的话,困难就比较大,因为 NMOS 的开启电压Vgs = (Vg-Vs) > 0,就要求 NMOS 的栅极电压要大于源极的电压,这样在一个系统下,经常是降压比较多的,就不容易找到一个比连接 NMOS 的源极还跟高的电压,所以导通电压常用 PMOS。采用 NMO S也是可以的,只是不如 PMOS 方便控制。

2.2 电池防反接:

如下图:上电瞬间,PMOS 管的寄生二极管导通,系统形成回路,源极 S 的电位大约为 Vbat-0.6V,而栅极 G 的电位为0,MOS管的开启电压极为:Ugs = 0 -(Vbat-0.6),栅极表现为低电平,Vgs < 0,PMOS 的 DS 导通,系统通过 PMOS 的 DS 接入形成回路。

在这里插入图片描述在这里插入图片描述
如上图,USB 上电与 Battery 供电的切换。PMOS Q1 栅极接一个下拉电阻,防止 MOS 管栅极处于悬空,在电池供电的模式,PMOS 的栅极稳定提供一个低电平,保证 Vgs < 0,打开 MOS 管,形成完整回路。

2.3 模块电源开关:

一些在低功耗场景,或者说设备(或者IC)只有在工作的时候才上电,空闲状态断开电源,也可以选用 PMOS 来开关,如下图:

在这里插入图片描述如上图,PMOS 的源极(S)接模块的输入电源,漏极(D)接模块的电源,当需要模块上电工作的时候,通过主控(MCU)在 PMOS 稍微栅极(G)设置一个低电平输出,使得 PMOS 的开启电压 Vgs = Vg - Vs < 0,打开 PMOS ,模块上电。通过这样的切换,可以避免外接模块始终处于上电状态,而是需要进入工作状态才上电,灵活控制模块的上电下电。

3. PMOS 参数

以罗姆的 RSU002P03 为例:

3.1 开启电压

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如上图:Vgs 的范围为:-1.0~-2.5,Rds 的大小与 Vgs 的大小有关。

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如上图:在常温下(25℃),Vgs 的开启电压为:2V。

使用一个器件,要数据手册与实际测量结合,才能尽可能减少出错。

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PMOS功率管开关电路设计是一种用于控制高电压和高功率负载的电路设计方案。它的主要原理是利用PMOS管的特性,在不同电压下进行开关操作,从而实现对负载电流的控制。以下是一个简单的PMOS功率管开关电路设计的步骤。 第一步,选择合适的PMOS功率管。首先要确定所需的最大负载电流和电压,并根据这些参数选择适当的PMOS功率管。 第二步,设计电源电压。根据负载的电压要求,选择适当的电源电压。为了保证PMOS功率管的可靠工作,电源电压应稍高于负载电压。 第三步,设计驱动电路。为了控制PMOS功率管的开关操作,需要设计一个适当的驱动电路,其中包括一个信号源和一个偏置电路。信号源通常是一个电压源或一个微控制器,用于产生开关信号。偏置电路用于调整信号源的电平,以满足PMOS功率管的开关要求。 第四步,连接电路元件。将PMOS功率管、驱动电路和负载正确地连接在一起。确保电路的连接正确并按照设计要求进行布局。 第五步,测试和调整。连接电源并测试电路的性能。如果必要,根据测试结果进行调整,以实现所需的开关功能和负载控制。 最后,我们需要注意PMOS功率管开关电路设计的热管理。由于高功率负载的存在,PMOS功率管会产生一定的热量。因此,要确保电路中有适当的散热器和热管理措施,以确保电路的稳定性和可靠性。 总结来说,PMOS功率管开关电路设计是一种用于控制高功率负载的电路设计方案。通过选择合适的元件、设计驱动电路和考虑热管理问题,可以实现对负载电流的可靠控制。

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