校历第五周计划(9.30-10.6):半导体的导电性
上次组会的一些问题:
- 周报加一些自己的理解:针对这个问题,学生也反复斟酌如何在现阶段基础知识学习中加入自己的一些见解,奈何真的是基础很差,写出自己的见解需要大量的基础知识作为底蕴。最后决定,学生目前先按照书本上的知识学习,针对一些目前阶段能够做出分析的知识点穿插一些自己的见解,等计划进行到看论文阶段再进行大部分的理解分析,加入自己的观点。
- 针对上次组会学生提出的能级问题,学生已经理解清楚,有关于价带和导带的问题也有了更深的见解。由于文字博客表述不清,此处省略不写。
预备知识:
- 欧姆定律:
- 欧姆定律微分形式:(电流密度 = 电导率乘以电场强度)导体中某一点的电流密度和该处的电导率及电场强度直接联系起来。
- 漂移运动:电子沿外加电场反方向运动称为漂移运动,速度称为漂移速度。电流密度可以表示为:,n为电子浓度,已知电子平均漂移速度与电场强度成正比。迁移率即为单位场强下电子的平均漂移速度。
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一、半导体的电导率和迁移率
- 电场强度较小时,半导体中的载流子在电场作用下的运动仍遵守欧姆定律,由于半导体中存在电子和空穴,且载流子浓度随内外部条件变化。故半导体导电机构与导体复杂。
- 半导体中导电的电子(脱离共价键)在导带中,导电的空穴是在价带中,由于所处能带不同,故两者平均漂移速度不同,在外加电场时,总的电流密度的公式即为两者相加。n、p分别为电子和空穴浓度。
- 电场强度较小时,电流密度和电场强度仍遵守欧姆定律,根据预备知识2,半导体的电导率为:
- 针对P、N型半导体,电子或空穴对电流的贡献基本可以忽略,则上式即为单项。
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二、载流子的散射
- 除却漂移运动,载流子还有别的运动形式,否则载流子的漂移速度就会无限的被外加电场放大。散射是载流子与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生碰撞,用波的概念,就是电子波在半导体中传播时遭到了散射,因此载流子速度和方向会发生变化。
- 半导体的主要散射机构包含电离杂质的散射、晶格振动的散射、等同的能谷间散射、中性杂质散射、位错散射、合金散射。
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三、电阻率和杂质浓度的关系
- 如图,锗、硅、砷化镓在300k时电阻率与杂质浓度的关系。
- 杂质浓度升高时曲线发生弯曲的原因:一是杂质在室温下不能全部电离,在重掺杂的简并半导体情况更加严重;二是迁移率随杂质浓度的增加而显著下降。
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四、电阻率随温度的变化
- 以硅为例,如图,AB段:温度很低(本征激发可以忽略),载流子(主要由杂质电离提供)随温度的升高而增加,散射主要由电离杂质决定,迁移率随温度的升高而增大,故电阻率随温度升高而下降。
- BC段:温度升高,杂质全部电离,本证激发还不十分显著,载流子基本上不随温度变化,晶格振动散射上升为主要矛盾,迁移率随温度升高而降低,电阻率随温度升高而增大。
- C段:温度继续升高,本证激发很快增加,大量本征载流子的产生远远超过迁移率减小对电阻率的影响,这时,本证激发成为矛盾主要方面,杂质半导体的电阻率将随温度的升高而急剧地下降,表现出同本征半导体相似的特性。
- 温度一旦到达本征导电起主要作用时,一般器件就不能正常工作,称为器件的最高工作温度。锗器件为100°C,硅为250°C,砷化镓可达450°C。