IC后端基础——温度反转效应

一、温度反转效应

MOS管电流公式:  

从电流公式中得出，电流的大小分别与迁移率u，管子宽长比W/L，以及（Vgs-Vth）值有关系。

其中，电流的大小与迁移率u成正相关，电流的大小与Vth成负相关（Vth不会超过Vgs）。

由由于Delay =(Cout*VDD)/Id，其中Cout为Drain的电容值，VDD为供电电压，Id为漏电流。

Delay与Id呈负相关。

而从U（T）=u(300)(300/T)m  ，Vth(T) =Vth(300)-k(T-300)得知，迁移率u和阈值电压Vth都随着温度的升高而变小。所以从电流公式得出，随着温度的升高，Id值可能变大也可能变小。下面分别讨论这两种可能性。

1.在40nm及以上工艺时，Id减小（delay变大）

在40nm及以上工艺时，由于供电电压比较高，虽然Vth随着温度的升高而减小，但Vgs-Vth足够大，几乎为固定常数，因此此时Vth对Id的影响可以忽略不计，迁移率u的变化对Id占主导作用。

2.在40nm及以下工艺，Id变大（delay变小）

在40nm及以下工艺时，由于供电电压较低，Vgs-Vth的变化率较迁移率u的变化率更大，即此时阈值电压Vth的变化占主导作用。因此，随着温度的升高，漏电流Id变大，delay变小。

二、MMMC文件的corner组合

所以，在40nm及以上工艺时，cell delay随着温度的升高而变大。在做timing signoff时，setup signoff的corner只需选cworst_125，hold corner选取cbest_m40即可。

但是在先进工艺中，cell delay不再简单随着温度的升高而变大，而是在低温时cell delay反而会更差，如上图所示。我们把这种现象称之为温度反转效应。因此，在先进工艺中，setup signoff的corner不仅仅是cworst_125，更需要检查cworst_m40这个corner，而且cworst_m40这个corner下cell delay是最大的。