GNP/CMC(纳米石墨片/羧甲基纤维素钠)和GNP/rGO(纳米石墨片/还原氧化石墨烯)复合石墨膜-供应硫化锗玻璃/ 硒化镓GaSe/硫化镓GaS/碘化铬CrI3/鈣鈦礦/二硫化钛TiS2薄膜定制

本文介绍了利用纳米石墨片制备GNP/CMC和GNP/rGO复合石墨膜的工艺,探讨了工艺参数对材料性能的影响。复合膜在散热性能上表现出色,适用于芯片冷却。此外,文章还列举了多种可供定制的半导体和功能性薄膜产品。
摘要由CSDN通过智能技术生成

以纳米石墨片为主要原料,采用沉积和涂膜方法,制备了GNP/CMC(纳米石墨片/羧甲基纤维素钠)和GNP/rGO(纳米石墨片/还原氧化石墨烯)复合石墨膜,系统研究了相关工艺参数对拉伸强度、导热、导电性能的影响,并实际测试了复合石墨膜的散热效果。  
采用超声剥离的方法制备出了纳米石墨片并用其蒸发沉积出了GNP/CMC复合石墨膜,并探究了辊压和热处理工艺及CMC含量对复合石墨膜力学及导电导热性能的影响。纳米石墨片为表面光滑的片层结构,没有严重的团聚,厚度大约为50nm,片径大约在2-10μm之间,并且边缘地带略有蜷曲和翘起。当GNP:CMC=30:7时复合膜的综合性能优异,密度为1.11g/cm3,抗拉强度为14.2MPa,电阻率为3.89mΩ·cm,方阻为0.87Ω/□,热扩散系数为115.7mm2/s,热导率为72.1W/(m·K)。采用模拟芯片对复合石墨膜的散热性能进行实验测试,结果表明:当功率密度为2W/cm2时GNP:CMC=30:3的复合膜可使芯片温度下降43.7℃。
供应产品目录:
Cu(In,Ga)Se_2和Cu_2ZnSnSe_4薄膜
黄铜矿系薄膜
CuInSe2(CIS)薄膜
二硒化钼(MoS2)薄膜
大尺寸单层/多层/少层二硫化钼(MoS2)薄膜
二维硒化钼(MoS2)薄膜
二氧化钛纳米线/二硒化钼(MoS2)复合薄膜
二硒化铌NbSe2复合薄膜
二硫化钒VS2薄膜
氮化碳(CNx)薄膜
高氮含量氮化碳(C3N4)薄膜
射频磁控溅射沉积氮化碳(CNx)薄膜
氮化碳(CNx/TiN)复合薄膜
磷掺杂的

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