二极管/三极管基本原理

1、二极管

• 在一块本征半导体中的两边掺以不同的杂质，使其分别形成P型半导体和N型半导体，两区交界处形成PN结（耗尽层，又称势垒区）。

1、图中多数载流子（多子）使用小圆圈表示，少数载流子（少子）使用大圆圈表示，即左侧P区多子为空穴——带正电，右侧N区多子为电子——带负电。
2、由于PN结多子的扩散运动，P区与N区原本的电中性被被破坏，两区交界处形成耗尽层，耗尽层中的内建电场使少子产生漂移运动，同时阻止多子扩散，最终达到动态平衡，PN结中无电流通过。
3、内建电场产生的势垒电压$U_{\phi }$由制作材料决定，硅材料为$[0.6,0.8]$，锗材料为$[0.2,0.3]$。

• 单向导电性

1、加正向电压（$P\to N$）:势垒区变窄，多子扩散电流随外加电压增加迅速上升，少子漂移电流对总电流影响可以忽略不计，PN结呈现导通状态（正向运用时存在门限电压，外加电压超过这一数值电流才明显增长）。
2、加反向电压（$N\to P$）:势垒区变宽，扩散电流趋于零，此时通过PN结的电流为漂移电流，即反向饱和电流（与温度相关，温度每升高10摄氏度，反向饱和电流增大一倍），PN结呈现截止状态。

• 击穿特性
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• 电容效应

1、势垒电容（在正向/反向运用时均存在）:
$$C_T=C_{T0}/(U_{\phi }-U{)}^{\gamma }$$

$C_{T0}$为外加电压为零时的势垒电容；$U_{\phi }$为PN结势垒电压，$U$为PN结上的外加电压；$\gamma$为结变系数，取值范围为$[\frac{1}{3},\frac{1}{2}]$。

反向运用时有：$$|U|\uparrow ⟶C_T\downarrow$$
可以依此特性制成变容二极管。

2、扩散电容（正向运用时存在，且起主要作用）：
$$C_D=\frac{({\tau }_p+{\tau }_n)}{U_T}I$$

$I$为PN结正向电流，${\tau }_p$和${\tau }_n$分别为空穴和电子的寿命，$U_T$为热电压（$T=300K$时约为$26mV$）：
$$U_T=kT/q$$
$k$为波尔茨曼常数，$T$为热力学温度，$q$为电子电荷量。

2、三极管

• 三极管由两个通过基区耦合的PN结组成，与二极管相比具有完全不同的特性。

1、上图展示了工作在放大状态下的NPN型三极管载流子的传输过程（N区多子为电子，P区多子为空穴），其中$I_{En}$为发射结电子注入电流，$I_{Ep}$为发射结空穴注入电流，$I_{Cn}$为集电结电子注入电流，$I_{Bn}$为基区复合电流，$I_{CBO}$为反向饱和电流。
2、由于发射结正偏，利于两端多子的扩散运动，形成$I_{En}$与$I_{Ep}$，且由于发射区重掺杂、基区轻掺杂，故$I_{En}\gg I_{Ep}$；注入基区的电子边扩散边复合基区空穴，并从基极吸引空穴来补充，形成$I_{Bn}$；由于集电结反偏，扩散到集电结附近的电子由于强电场力的作用越过集电结，形成$I_{Cn}$；集电结的反偏形成了反向饱和电流$I_{CBO}$，该电流与发射结无关，对三极管放大作用有害。
3、共发射极直流电流放大系数$\beta$：
$$\beta =\frac{I_{Cn}}{I_{Bn}}\approx \frac{I_C}{I_B}(当I_{CBO}很小)$$

其中$I_B=I_{Bn}-I_{CBO}$，$I_C=I_{Cn}+I_{CBO}$。

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