输入失调电压 | Input offset voltage | VIO | mV、uV |
输入偏置电流 | Input bias current | IIB | nA |
输入失调电流 | Input offset current | IIO | nA |
输入电阻 | Input Impedance | Rin | MR |
电压增益 | Large Signal Voltage Gain | AV | V/V |
最大输出电压 | Maximum Output Voltage Swing | Vom | V |
共模输入电压范围 | Common-mode input-voltage range | VICM/VICR | V |
共模抑制比 | Common-mode rejection ratio | CMRR | db |
电源电压抑制比 | Supply-voltage rejection ratio | SVRR | db |
消耗电流 | Operating current | ICC | mA |
转换速率 | Slew Rate | SR | V/µs |
VIO、VIB、 IIO 、ICC 越小越好
VOM、CMRR、 SVRR越大越好
以下的地指参考地。在双电源为AGND,单电源为AVCC/2
1.VIO输入失调电压
解释:两输入端接地,输出的值。理想输出为0,实际输出不为0
计算:输入失调电压=增益/输出电压,其值为mV级别,仪表为uV级别
提升:VIO越小越好,较大时工作增益受限制,
eg:若A=100,VIIO=1V ==》输出电压为100V,输出信号变成VOM饱和波形,无法正确放大
测量:加负反馈,AV=1000,测量VIO。若无反馈策略,输出饱和失真,无法正确测量
问题:外加电路对VIO调零,但由于温度系数(漂移),VIO为uV/°C~V/°C
2.输入偏置电流IIB
解释:两输入端流进或流出直流电流的平均值
提升:IIB越小好,较大时输入端接电阻受限制
eg:IIB=1A ,输入端接10R==》不工作时会产生10V电压,无法正确放大
选择:IIB本质为BJT输入级基极电流(温度变化不影响)或FET栅极漏电流(FET受温度影响,每升10°C,IIB增大2倍
3.输入失调电流IIO
解释:运放两输入端偏置电流之差的绝对值
提升:IIO越小越好,会温漂,对于BJT,温漂为pA°C
4.输入电阻Rin
解释: 运放两输入端间的差动输入电阻。
提升:该值越大越好,太小会对信号分压,无法正确放大
运放输入端与地间共模输入电阻=10~1000Rin
5.电压增益Av
解释:也称为差动电压增益,运放将输入端间电压以Av进行放大输出,理想Av无限大,实际数百db(10W倍)
提升:AV影响增益稳定度,Av越大越好,但Av叫大,Av恒定频率范围便窄(如小于<5HZ),频率越高,Av越小,在超低频范围(如<10HZ)内,Av值恒定。
6.最大输出电压VOM
解释:VOM=饱和前的电压,实际运放,若VPP变大,则输出信号接近电压进入饱和状态,失真
提升:VOM与电压电压、RL(负载)有关,VOM频率特性与SR有关,f越大,VOM越小
负饱和前电压~正饱和前电压范围==输出动态范围
可以输出电源极限值,表示理想运放,称为轨对轨/满幅度(rail to rail)运放
7.共模输入电压范围VICM
解释:两输入端与地间能加共模电压范围。
若加的共模电压>VICM,则放大功能消失。
8.共模抑制比CMRR
解释:CMRR=差模增益(Av)/共模增益(Avc)
提升:CMRR越大,增益温度度越高,CMRR越小信号失真变大,增益误差变大。f上升,CMRR变小。
9.电源电压抑制比SVRR
解释:电源变化,该变化量会出现在输出。SVRR=△VS(电压变化)/△VS(输入换算电压)
提升: SVRR越大,电压变化时,换算成输入电压值越小,对输出影响越小 ,
SVRR过小,输出出现电源噪声。
f上升,SVRR变小。
在运放电源加0.1uF旁路电容,可以减小SVRR的影响
10.消耗电流ICC
解释: ICC越小越好,较大,运放发热=》发热引起输出直线漂移增大
11.转换速率SR
解释:若输入信号频率过高,则运放输出不能跟踪其变化。SR表示跟踪性能。单位时间(1us)变化的输出电压值。V/us。理想无限大。
提升: SR越大越好,但SR越大,其他特性较差
SR由运放內部决定,SR决定了VOM的频率特性
12.增益带宽乘积GB
解释:表示运放增益-频率特性。MHZ。
提升:GB越大越好,但GB越大,其他特性较差