常用存储器介绍（RAM、ROM、FLASH等）

最新推荐文章于 2024-06-04 10:18:50 发布

zhangduang_KHKW

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分类专栏： MCU 文章标签：单片机硬件工程 fpga开发

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存储器是计算机结构的重要组成部分。存储器是用来存储程序代码和数据的部件，有了存储器计算机才具有记忆功能。基本的半导体存储器种类如下图所示：

存储器按其存储介质特性主要分为“易失性存储器”和“非易失性存储器”两大类。其中的“易失/非易失”是指存储器断电后，它存储的数据内容是否会丢失的特性。由于一般易失性存储器存取速度快，而非易失性存储器可长期保存数据，所以它们都在计算机中占据着重要角色。在计算机中易失性存储器最典型的代表是内存，非易失性存储器的代表则是硬盘。

RAM

RAM 是“ Random Access Memory ”的缩写，被译为随机存储器。所谓“随机存取”，指的是当存

储器中的消息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。这个词的由来是因为

早期计算机曾使用磁鼓作为存储器，磁鼓是顺序读写设备，而 RAM 可随读取其内部任意地址的

数据，时间都是相同的，因此得名。实际上现在 RAM 已经专门用于指代作为计算机内存的易失

性半导体存储器。

根据 RAM 的存储机制，又分为动态随机存储器 DRAM(Dynamic RAM) 以及静态随机存储器

SRAM(Static RAM) 两种。

DRAM

动态随机存储器 DRAM 的存储单元以电容的电荷来表示数据，有电荷代表 1 ，无电荷代表 0 ，见

图 DRAM 存储单元。但时间一长，代表 1 的电容会放电，代表 0 的电容会吸收电荷，因此它需要

定期刷新操作，这就是“动态 (Dynamic) ”一词所形容的特性。刷新操作会对电容进行检查，若电

量大于满电量的 1/2 ，则认为其代表 1 ，并把电容充满电；若电量小于 1/2 ，则认为其代表 0 ，并

把电容放电，藉此来保证数据的正确性。

SDRAM

根据 DRAM 的通讯方式，又分为同步和异步两种，这两种方式根据通讯时是否需要使用时钟信

号来区分。图同步通讯时序图是一种利用时钟进行同步的通讯时序，它在时钟的上升沿表示有

效数据。

由于使用时钟同步的通讯速度更快，所以同步 DRAM 使用更为广泛，这种 DRAM 被称为

SDRAM(Synchronous DRAM) 。

DDR SDRAM

为了进一步提高 SDRAM 的通讯速度，人们设计了 DDR SDRAM 存储器 (Double Data Rate

SDRAM) 。它的存储特性与 SDRAM 没有区别，但 SDRAM 只在上升沿表示有效数据，在 1 个

时钟周期内，只能表示 1 个有数据；而 DDRSDRAM 在时钟的上升沿及下降沿各表示一个数据，

也就是说在 1 个时钟周期内可以表示 2 位数据，在时钟频率同样的情况下，提高了一倍的速度。

至于 DDRII 和 DDRIII ，它们的通讯方式并没有区别，主要是通讯同步时钟的频率提高了。

当前个人计算机常用的内存条是 DDRIII SDRAM 存储器，在一个内存条上包含多个 DDRIII

SDRAM 芯片。

SRAM

静态随机存储器 SRAM 的存储单元以锁存器来存储数据，见图 SRAM 存储单元。这种电路结构

不需要定时刷新充电，就能保持状态 ( 当然，如果断电了，数据还是会丢失的 ) ，所以这种存储器

被称为“静态 (Static) ” RAM 。

同样地，SRAM 根据其通讯方式也分为同步 (SSRAM) 和异步 SRAM，相对来说，异步 SRAM 用

得比较广泛。

DRAM 与 SRAM 的应用场合

对比 DRAM 与 SRAM 的结构，可知 DRAM 的结构简单得多，所以生产相同容量的存储器， DRAM

的成本要更低，且集成度更高。而 DRAM 中的电容结构则决定了它的存取速度不如 SRAM ，特

性对比见表 DRAM 与 SRAM 对比。

所以在实际应用场合中， SRAM 一般只用于 CPU 内部的高速缓存 (Cache) ，而外部扩展的内存一

般使用 DRAM 。在 STM32 系统的控制器中，只有 STM32F429 型号或更高级的芯片才支持扩展

SDRAM ，其它型号如 STM32F1 、 STM32F2 及 STM32F407 等型号只能扩展 SRAM 。

非易失性存储器

非易失性存储器种类非常多，半导体类的有 ROM 和 FLASH ，而其它的则包括光盘、软盘及机械

硬盘。

ROM 存储器

ROM 是“ Read Only Memory ”的缩写，意为只能读的存储器。由于技术的发展，后来设计出了可

以方便写入数据的 ROM ，而这个“ Read Only Memory ”的名称被沿用下来了，现在一般用于指代

非易失性半导体存储器，包括后面介绍的 FLASH 存储器，有些人也把它归到 ROM 类里边。

MASK ROM

MASK( 掩膜 ) ROM 就是正宗的“ Read Only Memory ”，存储在它内部的数据是在出厂时使用特殊

工艺固化的，生产后就不可修改，其主要优势是大批量生产时成本低。当前在生产量大，数据不

需要修改的场合，还有应用。

OTPROM

OTPROM(One Time Programable ROM) 是一次可编程存储器。这种存储器出厂时内部并没有资料，用户可以使用专用的编程器将自己的资料写入，但只能写入一次，被写入过后，它的内容也不可再修改。在 NXP 公司生产的控制器芯片中常使用 OTPROM 来存储密钥。

EPROM

EPROM(Erasable Programmable ROM) 是可重复擦写的存储器，它解决了 PROM 芯片只能写入一次的问题。这种存储器使用紫外线照射芯片内部擦除数据，擦除和写入都要专用的设备。现在这种存储器基本淘汰，被 EEPROM 取代。

EEPROM

EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM) 是电可擦除存储器。EEPROM 可以重复擦写，它的擦除和写入都是直接使用电路控制，不需要再使用外部设备来擦写。而且可以按字节为单位修改数据，无需整个芯片擦除。现在主要使用的 ROM 芯片都是 EEPROM 。

FLASH 存储器

FLASH 存储器又称为闪存，它也是可重复擦写的储器，部分书籍会把 FLASH 存储器称为 FLASH

ROM ，但它的容量一般比 EEPROM 大得多，且在擦除时，一般以多个字节为单位。如有的 FLASH 存储器以 4096 个字节为扇区，最小的擦除单位为一个扇区。根据存储单元电路的不同，FLASH 存储器又分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH ，见表 NOR_FLASH 与 NAND_FLASH 特性对比。