单相逆变大功率实验

一、实验原理

EG8010芯片是一种专用于逆变器的SPWM（正弦脉宽调制）控制芯片，它通过内部集成的SPWM发生器产生调制信号，控制外部的功率开关器件，实现直流电压向交流电压的转换。NSI6602是一款专用于驱动IGBT的驱动芯片，它能够提供足够的驱动电流和保护功能，确保IGBT的正常工作。

1.主电路设计

设计包含IGBT的全桥逆变电路,如下所示。

2. 驱动电路设计

设计NSI6602驱动电路，如下所示。

3. 控制电路设计

设计基于EG8010的控制电路，如下。

二、实验步骤

1 打开DC电源，逐步增加输入电压至设计值（400V）。

2 使用示波器观察逆变器输出波形，波形的频率、幅值和失真情况。

3 测量负载上的电压和电流，记录数据。

4 更换不同类型的负载（如感性负载），重复上述测试过程，并记录数据。

三、实验记录

电路搭建如下所示：

逆变输出交流侧的滤波电感采用两串三并，增加最大饱和电流。

输出纯阻性负载，功率5kw时，用示波器观察输出的负载电压波形与直流母线电流波形如下： 

 记录的测试数据后续补上。

四. 总结

1.滤波电感的参数选择影响到逆变器的整体工作状态

2.采用IGBT在大功率工作状态下效率大概91%左右，而采用SIC mos管效率在93%左右，SICmos的开关损耗更小。

后续工作：

1.给IGBT加水冷散热，在6KW功率下长时间运行。

2.SPWM采用单极性时，测量电路整体效率。

3.分析负载为变压器时逆变器的性能变化，讨论其工作稳定性和效率。