实验问题总结(一)

一丶问题描述

换用IGBT做逆变输出波形出现畸变， 原本用mos管却没事，逐步排查后发现是igbt驱动出现问题。

在基于EG8010的逆变项目中，SPWM信号的死区时间为设置好的500ns，同时在IGBT驱动芯片NSI6602中又设置了150ns的死区时间，导致输出的正弦波形畸变，如下图所示：

IGBT的驱动电路要求:
（1)安全可靠开通和关断IGBT

（2)电气隔离:信号隔离和电源隔离（目的是把控制器和强电隔离）

（3）IGBT 保护(可选):短路、过压、过热、死区时间、最小脉冲抑制和安全停止。

 实验所用的驱动芯片为NSI6602，将控制器产生的PWM信号隔离放大后驱动IGBT，它具有可编程死区时间、极短的延迟匹配与脉宽失真的特点，配置如下所示：

 死区时间由电阻R7设置，例如R7=15k欧，则pwm死区时间为15×10=150ns。

 尝试修改芯片DT脚的配置：

（1）将芯片6脚与VDD相连，会保持原来pwm的死区时间 ，照此修改后问题解决。

（2）将芯片6脚开路，死区时间会<35ns，照此修改后依然问题解决。

（3） 将R7=40K欧后，波形更差。

分析原因

死区时间设置的不合理导致逆变输出波形畸变，下面详细分析下死区时间。

二、死区时间

以单相全桥逆变为例：

这上下两个开关管不能同时导通，否则就会出现短路的情况，从而对系统造成损害。

那为什么会出现同时导通的情况呢？

因为开关器件的开通与关断并不是瞬间完成的，所以在驱动开关元器件门极的时候需要增加一段延时，确保另一个开关管完全关断之后再去打开这个开关元器件，通常存在两种情况；

上半桥关断后，延迟一段时间再打开下半桥；下半桥关断后，延迟一段时间再打开上半桥；

这样就不会同时导通，从而避免功率元件烧毁；

上下管的驱动信号是互补的，死区时间如下所示：

相对于PWM来说，死区时间是在PWM输出的这个时间，上下管都不会有输出，当然会使波形输出中断，死区时间一般只占百分之几的周期。但是当PWM波本身占空比小时，空出的部分要比死区还大，所以死区会影响输出的纹波，但应该不是起到决定性作用的。

另外如果死区设置过小，但是仍然出现上下管同时导通，因为导通时间非常非常短，电流没有变得很大，不足以烧毁系统，那此时会导致开关元器件发热严重，所以选择合适的死区时间尤为重要，过大过小都不行。

单片机设置的死区时间

单片机生成的PWM信号通常会包括已经设置好的死区时间。例如，通过某些寄存器配置，可以在生成的PWM信号中自动插入死区时间。这种方法直接在PWM信号源头上插入死区时间，保证上下两个开关在任何时候都不会同时导通。采用外部配置死区时间，如图所示，死区时间为500ns。

IGBT驱动芯片设置的死区时间

IGBT驱动芯片（如NSI6602）也可以设置死区时间，它通常是在驱动信号进入IGBT之前再插入一个死区时间，比如当输入PWM信号发生变化时，NSI6602会先关闭当前导通的开关器件；在关闭当前导通的开关器件后，NSI6602会等待设定的死区时间，然后再开启另一个开关器件，如下所示。

这种方法主要用于进一步确保安全，因为驱动芯片能够精确控制栅极驱动信号的上升和下降沿。

因此，当生成的PWM信号已经包含了死区时间，例如500ns，而IGBT驱动芯片在接收到这个信号后再增加一个150ns的死区时间，那么实际作用在IGBT上的死区时间将是500μs + 150ns = 650ns。不知道理解对不对？

三丶问题分析

1.死区时间的叠加

由于死区时间叠加，实际的死区时间会变得比预期更长，这会影响逆变器的性能：

（1）波形失真：过长的死区时间可能导致输出波形失真，尤其是在过零和峰值处。

（2）效率降低：过长的死区时间会增加开关损耗，降低系统效率。

（3）不对称性：如果上下桥臂的死区时间不对称，导致输出波形的不对称性，进一步加剧失真。

2.双重死区时间

如果控制器和驱动器没有协同工作，可能会导致出现两个死区时间，这样会在同一个开关周期内出现两次死区，进一步恶化波形质量。

3.同步问题

设置两个死区时间可能导致SPWM信号和IGBT驱动信号的不同步，具体表现为：

（1）相位误差：两个死区时间的不同步可能引入相位误差，导致开关器件不能按预期时间导通和关断，输出波形会出现畸变。

（2）时序冲突：不同步的死区时间设置可能导致时序冲突，使得开关器件同时导通或关断，出现短路或不完全导通的情况。

根据实际需要选择在单片机或者IGBT驱动芯片中设置死区时间，而不是同时设置。通常，选择在单片机中设置死区时间，因为单片机的控制更精确。